chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

惠海 HC005N03L 30V70A 70N03 TO-252封裝 N溝道MOS管 大電流 發(fā)熱小 投影儀方案

惠海水水 ? 來源:jf_59810338 ? 作者:jf_59810338 ? 2024-10-09 14:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOS管的工作原理是基于在P型半導體與N型半導體之間形成的PN結(jié),通過改變柵極電壓來調(diào)整溝道內(nèi)載流子的數(shù)量,從而改變溝道電阻和源極與漏極之間的電流大小。由于MOS管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低等優(yōu)點,它們在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中得到了大范圍應用。MOS管,即金屬-氧化物-半導體場效應晶體管MOSFET),是一種在電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的半導體器件。

主營種類:

1.PMOS(P型MOS管):PMOS管是指柵極(G)的材料是P型半導體,多數(shù)載流子是空穴的MOS管。

2.NMOS(N型MOS管):NMOS管是指柵極(G)的材料是N型半導體,多數(shù)載流子是電子的MOS管。

工作原理:

MOS管的工作原理主要基于其特有的絕緣柵結(jié)構(gòu)。當在柵極上施加電壓時,會在絕緣層下方的半導體表面形成電荷層,這個電荷層稱為“溝道”。通過改變柵極電壓,可以控制溝道的寬度,進而控制漏極和源極之間的電流。

具體來說,當NMOS管柵極加正電壓時,半導體表面的P型硅反型成N型而成為反型層,其導電類型與P型硅相反,故又稱為N溝道;反之,當PMOS管柵極加負電壓時,半導體表面的N型硅反型成P型而成為反型層,其導電類型與N型硅相反,故又稱為P溝道。

特點:

1.輸入電阻大:由于柵極與半導體表面之間有一層絕緣層,因此輸入電阻極大,可以達到幾兆歐姆甚至更高。

2.噪聲低:MOS管的噪聲主要由溝道電阻和柵極泄漏電流引起,但由于其輸入電阻大,泄漏電流小,因此噪聲較低。

3.抗輻射能力強:MOS管的絕緣柵結(jié)構(gòu)使其具有較強的抗輻射能力。

應用:

MOS管廣泛應用于各種電路中,如模擬電路、數(shù)字電路、功率電路等。由于其高輸入阻抗、簡單的制造工藝和使用靈活性,MOS管在高度集成化方面有著得天獨厚的優(yōu)勢。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,如手機電腦、電視等,MOS管都扮演著重要的角色。

wKgZomb4tfWAA-tcAAJ0YSuyABY714.pngwKgaomZViQCAeiT2AAdPSc5K9bU057.png

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    53855

    瀏覽量

    463095
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9203

    瀏覽量

    148269
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    111

    文章

    2778

    瀏覽量

    75922
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    HGK023N12L 控制器專用MOSTO-252 120V場效應30A 開啟1.7V

    半導體NMOS常用型號:3400 30N03 50N03 90N03 120N03 50
    發(fā)表于 01-14 10:29

    5N10MOS-HG160N10LS 絲印HG510 100VMOS 60VMOS 80V-N通道場效應 海原廠直銷 性價比高

    燈具壽命!?智能小家電?:電機控制,加濕器,美容,靜音節(jié)能兩不誤。 我司有20V 30V 40V 60V 100
    發(fā)表于 12-27 11:29

    44-57V轉(zhuǎn)3.3V2A,12V1A,12V1.5A整套低成本POE供電芯片方案 動態(tài)響應好 紋波小 抗干擾強 小體積

    分離器的假協(xié)議可以通過MOSHC5N10、HC6N10、
    發(fā)表于 12-27 11:12

    選型手冊:VSD004N03MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體

    威兆半導體推出的VSD004N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:53 ?149次閱讀
    選型手冊:VSD004<b class='flag-5'>N03</b>MS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強型功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    貼片MOS100N03 TO-252規(guī)格書

    貼片MOS100N03 TO-252電流100A 30V
    發(fā)表于 12-04 17:12 ?0次下載

    合科泰TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優(yōu)勢

    如BMS、電機控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計的解決方案。而HKTD1
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:44 ?685次閱讀
    合科泰<b class='flag-5'>TO-252</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD100<b class='flag-5'>N03</b>的核心優(yōu)勢

    60N03貼片MOS規(guī)格書

    60N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:28 ?0次下載

    80N03貼片MOS規(guī)格書

    80N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:27 ?0次下載

    30N10 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    30N10 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-21 17:19 ?0次下載

    30N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-21 17:18 ?1次下載

    20N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    20N03 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-21 16:38 ?0次下載

    選型手冊:MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、
    的頭像 發(fā)表于 11-05 16:01 ?288次閱讀
    選型手冊:MOT<b class='flag-5'>70N03</b>D <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    N15N10 場效應 100V60V30V15A 電源MOSHC070N10L TO-252封裝 散熱好 低內(nèi)阻 皮實耐抗

    高效可靠,驅(qū)動未來:HC070N10L MOSFET賦能電子設(shè)計 在追求高效能與緊湊設(shè)計的電子工程領(lǐng)域,半導體推出的
    發(fā)表于 08-09 11:10

    支持60V70V80V100V45A電流方案N通道MOSHC025N10L高性價比高效率穩(wěn)定

    。 半導體MOS包含20V 30V 40V 6
    發(fā)表于 07-10 14:03

    H6255L降壓恒壓芯片 支持48V 60V轉(zhuǎn)12V5V3.3V2A POE供電方案 動態(tài)響應好 紋波小

    ,都可用的H6255L降壓恒壓芯片+HC5N10的MOS,可以支持100
    發(fā)表于 02-20 11:07