仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向 30V 低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A 大電流承載能力及 RoHS 合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)等）。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值5.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值8mΩ，低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：70A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)195A，滿足負(fù)載持續(xù)與短時(shí)過載需求。

二、核心特性

• 低柵極電荷與簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)：優(yōu)化的柵極電荷特性降低驅(qū)動(dòng)電路功耗，驅(qū)動(dòng)要求簡(jiǎn)單，適配高頻開關(guān)應(yīng)用（如 PWM 控制的 DC-DC 轉(zhuǎn)換）；
• 耐雪崩能力：具備指定的雪崩能量耐受能力，在感性負(fù)載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)性：RoHS 合規(guī)且采用無鉛鍍層，符合綠色電子制造要求；
• 開關(guān)場(chǎng)景適配：專為各類開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，如負(fù)載開關(guān)、電源切換等對(duì)開關(guān)性能有要求的場(chǎng)景。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：53W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 熱特性：結(jié)到外殼熱阻（\(R_{JC}\)）2.8℃/W，結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）110℃/W，需通過封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理；
• 工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍：-55~+175℃。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的大電流開關(guān)設(shè)計(jì)；同時(shí)提供 TO-251 直插封裝（對(duì)應(yīng)型號(hào) MOT70N03C，70 片 / 管），滿足傳統(tǒng)插裝需求；
• 典型應(yīng)用：
  • DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在 30V 級(jí)降壓 / 升壓轉(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管，低損耗特性提升電源轉(zhuǎn)換效率；
  • 負(fù)載開關(guān)：用于各類電子設(shè)備的功率負(fù)載切換，70A 電流能力支持設(shè)備高效啟動(dòng)；
  • 開關(guān)類系統(tǒng)：如工業(yè)控制、消費(fèi)電子中的電源開關(guān)回路，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的功率切換。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）