宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導(dǎo)通電阻為5 m?及脈沖輸出電流為175 A。

與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應(yīng)晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米（3.75平方毫米）。 設(shè)計(jì)師不需要選擇設(shè)計(jì)更小型化還是性能更高的產(chǎn)品，而是二者可以同時(shí)兼得！

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升eGaN?器件的性能之同時(shí)能夠降價(jià)。EPC2049進(jìn)一步印證了eGaN與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績效差距正在繼續(xù)擴(kuò)大。」