chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

      英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-06-26 17:07 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      新品

      TOLL和DFN封裝CoolGaN 650V

      G5第五代氮化鎵功率晶體管

      fdee068e-526c-11f0-986f-92fbcf53809c.png


      第五代CoolGaN 650V G5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標準，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已新增采用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝，其創(chuàng)新設計可降低各類工業(yè)及消費電子應用中的功率損耗。


      產(chǎn)品型號：

      ■IGT65R025D2ATMA1

      ■IGT65R035D2ATMA1

      ■IGT65R045D2ATMA1

      ■IGT65R055D2ATMA1

      ■IGT65R140D2ATMA1

      ■IGLD65R055D2AUMA1

      ■IGLD65R080D2AUMA1

      ■IGLD65R110D2AUMA1

      ■IGLD65R140D2AUMA1


      產(chǎn)品特點

      650V增強型功率晶體管

      超快開關速度

      無反向恢復電荷

      支持反向?qū)?/p>

      低柵極電荷與低輸出電荷

      卓越的換向魯棒性

      動態(tài)導通電阻（RDS(on)）極低

      高ESD防護能力：2kV人體放電模型（HBM）-1kV元件充電模型（CDM）

      底部散熱封裝

      通過JEDEC認證（JESD47/JESD22標準）

      應用價值


      支持高頻工作模式

      實現(xiàn)系統(tǒng)最高能效

      賦能超高功率密度設計

      降低BOM成本


      應用領域


      電信基礎設施AC-DC電源轉(zhuǎn)換

      計算和數(shù)據(jù)存儲

      電動汽車充電系統(tǒng)

      工業(yè)電源

      光伏

      變流器

      USB-C轉(zhuǎn)換器與充電器

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 氮化鎵
        +關注

        關注

        66

        文章

        1858

        瀏覽量

        119211
      • DFN
        DFN
        +關注

        關注

        0

        文章

        15

        瀏覽量

        8798
      • 功率晶體管
        +關注

        關注

        3

        文章

        685

        瀏覽量

        19084
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        “芯”品發(fā)布｜鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！

        在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規(guī)級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V
        的頭像 發(fā)表于 11-27 16:17 ?890次閱讀

        奇瑞汽車第五代瑞虎8全球上市

        11月10日，自研旗艦 全球冠軍——第五代瑞虎8全球上市發(fā)布會于北京雁棲湖隆重舉行。作為中國新燃油戰(zhàn)略下的全新力作，新車集“硬核全能”的駕控實力與“電感體驗”的智慧舒適于一身，為用戶帶來全面越級的駕
        的頭像 發(fā)表于 11-12 17:55 ?1016次閱讀

        奇瑞汽車第五代瑞虎8即將上市

        11月10日，奇瑞新燃油戰(zhàn)略下的重點車型——第五代瑞虎8將正式上市。作為瑞虎8冠軍家族的全新產(chǎn)品，第五代瑞虎8集全新設計、電感體驗、“賽級民用”的駕控及安全于一身，引領全球燃油車進入下一個時代。
        的頭像 發(fā)表于 11-10 15:27 ?409次閱讀

        英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領域氮化鎵（GaN）技術創(chuàng)新

        【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AEC）汽車應用標準的氮化鎵（GaN）晶體管
        的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?5.9w次閱讀
        英飛凌推出首款100<b class='flag-5'>V</b>車規(guī)級<b class='flag-5'>晶體管</b>，推動汽車領域<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>（GaN）技術創(chuàng)新

        奇瑞汽車第五代瑞虎8開啟預售

        世界高城，馭鑒冠軍。2025年11月3日，第五代瑞虎8在拉薩正式開啟預售，預售價10.59萬元至13.59萬元，同時提供虎款、豹款兩種造型供選擇。為助力更多用戶暢享豪華大五座家庭SUV出行體驗，第五代瑞虎8同步帶來
        的頭像 發(fā)表于 11-04 12:53 ?555次閱讀

        新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

        新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5
        的頭像 發(fā)表于 11-03 18:18 ?2347次閱讀
        新品 | <b class='flag-5'>第五代</b><b class='flag-5'>CoolGaN</b>? <b class='flag-5'>650-700V</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>G5</b>

        英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關產(chǎn)品介紹

        CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵（GaN）技術的單片雙向開關，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設計，正在成為高效電力轉(zhuǎn)
        的頭像 發(fā)表于 08-28 13:52 ?3316次閱讀

        新品 | 英飛凌CoolSiC? 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管

        新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝，可實現(xiàn)高效緊湊設計，具有增
        的頭像 發(fā)表于 08-07 17:06 ?748次閱讀
        新品 | 英飛凌CoolSiC? <b class='flag-5'>第五代</b>1200 <b class='flag-5'>V</b>碳化硅肖特基二極<b class='flag-5'>管</b>

        Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊

        Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化
        的頭像 發(fā)表于 07-25 14:56 ?3900次閱讀
        Texas Instruments LMG3624 <b class='flag-5'>650V</b> 170mΩ<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN) <b class='flag-5'>功率</b>級數(shù)據(jù)手冊

        英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

        英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）
        的頭像 發(fā)表于 05-21 10:00 ?728次閱讀

        GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

        ；內(nèi)置ESD保護功能，有助于實現(xiàn)高可靠性的設計。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于
        的頭像 發(fā)表于 03-07 15:46 ?841次閱讀
        GNP1070TC-Z <b class='flag-5'>650V</b> GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

        英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管， 推動全行業(yè)標準化進程

        的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN?
        發(fā)表于 03-03 15:50 ?3874次閱讀
        英飛凌推出采用新型硅<b class='flag-5'>封裝</b>的 <b class='flag-5'>CoolGaN</b>? <b class='flag-5'>G</b>3<b class='flag-5'>晶體管</b>， 推動全行業(yè)標準化進程

        氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計技術手冊免費下載

        氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設計
        的頭像 發(fā)表于 02-27 18:26 ?1006次閱讀

        ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

        全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程
        的頭像 發(fā)表于 02-18 10:03 ?1122次閱讀

        為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

        650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
        的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1652次閱讀
        為什么<b class='flag-5'>650V</b> SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件？