國內首條6英寸SiC芯片生產線完成技術調試

近日，中車時代電氣SiC產業(yè)化基地離子注入工藝設備技術調試完成，標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成，具備SiC產品的生產條件，下個月產線將正式啟動試流片。

該生產線是國內首條6英寸SiC芯片生產線，總建設投資3.5億元人民幣，獲得了國家“02”專項、國家發(fā)改委新材料專項等國家重點項目支持。

半導體事業(yè)部SiC器件產業(yè)化建設團隊在時間緊、任務重、無成熟經驗可借鑒的情況下，得到中科院微電子所技術支持和協(xié)助，攻堅克難，通過縝密繁雜的各方協(xié)調、積極推進，安全完成46臺(套)工藝、檢測測試設備搬入、調試，以及特殊廠務系統(tǒng)調試等一系列高難度、高危險的任務。本月初在各方共同努力下完成了最后一項工藝能力調試。目前，該生產線廠務、動力、工藝、測試條件都已完備，具備SiC產品的生產條件，可以實現(xiàn)4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。

SiC單晶材料作為新型第三代半導體材料的代表，與當前主流的第二代硅基半導體材料相比，能夠有效提高系統(tǒng)效率、降低能耗、減小系統(tǒng)裝置體積與重量、提高系統(tǒng)可靠性。未來，半導體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當今節(jié)能技術的發(fā)展趨向，成為節(jié)能裝置最核心的部件。SiC生產線工藝調試按期完成，是提高我國核心功率半導體器件和搶占未來科技和產業(yè)制高點的需要，將助力公司半導體產業(yè)布局前沿技術領域，搶占市場高地。