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對RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡單介紹

存儲界 ? 2018-01-17 10:59 ? 次閱讀
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RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容,故主要用于存儲短時間使用的程序。

按照存儲信息的不同,隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。

SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。

SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時鐘,內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。

這一點與異步SRAM不同,異步SRAM的訪問獨立于時鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

DRAM(Dynamic RAM)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。

因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。

SRAM的速率高、性能好,它主要有如下應用:

1)CPU與主存之間的高速緩存。

2)CPU內部的L1/L2或外部的L2高速緩存。

SDRAM(Synchronous DRAM)即同步動態(tài)隨機存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘,內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

DRAM演進及詳細分類:

A.DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨 機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一 次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。

B. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步動態(tài)隨機存取存儲器,同步是指Memory工作需要步時鐘,內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不 丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

C. DDR: SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經經歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM。

第 一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快,所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步 時鐘。 SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率,第一代內存用時鐘頻率命名,如pc100,pc133則表明時鐘信號為100或 133MHz,數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)內存則采用數(shù)據(jù)讀寫速 率作為命名標準,并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作頻 率是333/2=166MHz,2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400,DDR2從DDR2-400到DDR2-800,DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM,并且作為名詞解釋,皆屬誤導。SDR不等于SDRAM。

ROM(Read-Only Memory)只讀存儲器,是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中,資料并且不會因為電源關閉而消失。

FLASH即閃存。它是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

EEPROM即電子可擦除只讀存儲器。EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù),閃存通常被用來保存設置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機中保存資料等。

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原文標題:RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼?

文章出處:【微信號:cunchujie,微信公眾號:存儲界】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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