“光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
01—光刻前處理
晶圓在光刻前需要做一些特殊處理,比如一些鍍膜后的wafer,一些工廠是要求特定時(shí)間內(nèi)完成光刻,減少在工藝外表面的污染。
另外我們知道晶圓表面有一定的表面狀態(tài),會(huì)影響成膜的效果,可以參照文章:wafer表面的親水性和疏水性會(huì)影響什么
常見(jiàn)的硅片是比較容易吸附潮氣的,就是親水性,也稱(chēng)為水合作用,但是對(duì)于光刻,具有干燥成疏水性的表面十分重要。上一步完成工藝之后盡快光刻,另外保持車(chē)間相對(duì)濕度低于50%。
涂膠前先進(jìn)行脫水烘烤,200℃~500℃烘烤,有條件的在氮?dú)鈼l件下烘烤。
常見(jiàn)的光刻膠一般在涂膠前還需要涂一層HMDS,HMDS的涂膠方式有很多,常用的氣相底膜涂膠,在一個(gè)密閉的腔體內(nèi),200℃~250℃下30s完成,HMDS呈霧狀形成一層薄薄的基底膜,提高光刻膠和wafer的粘附力。
HMDS工藝結(jié)束之后,就完成了涂膠前的準(zhǔn)備工作。
02—光刻涂膠
接下來(lái)就是涂膠,涂膠需要根據(jù)光刻膠的特性進(jìn)行設(shè)定,可以參考光刻膠的說(shuō)明文件:光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
涂膠工藝根據(jù)不同的晶圓和光刻膠,出來(lái)的效果也是很多不同,常見(jiàn)的幾種異常:
| 問(wèn)題1:表面出現(xiàn)氣泡 | |
| 可能原因:滴膠時(shí)膠中帶有氣泡 | |
| 噴嘴尖端切口有問(wèn)題或帶刺 | |
| 問(wèn)題2:四周呈現(xiàn)放射狀條紋 | |
| 可能原因: | |
| 膠液噴射速度過(guò)高 | |
| 設(shè)備排氣速度過(guò)高 | |
| 膠涂覆前靜止時(shí)間過(guò)長(zhǎng) | |
| 勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速或加速度設(shè)置過(guò)高 | |
| 片子表片留有小顆粒 | |
| 膠中有顆粒 | |
| 問(wèn)題3:中心出現(xiàn)漩渦圖案 | |
| 可能原因: | |
| 設(shè)備排氣速度過(guò)高 | |
| 噴膠時(shí)膠液偏離襯底中心 | |
| 旋圖時(shí)間過(guò)長(zhǎng) | |
| 加速度過(guò)高 | |
| 問(wèn)題4:中心出現(xiàn)圓暈 | |
| 可能原因: | |
| 不合適的托盤(pán), | |
| 噴嘴偏離襯底中心 | |
| 問(wèn)題5:膠液未涂滿(mǎn)襯底 | |
| 可能原因: | |
| 給膠量不足 | |
| 不合適的勻膠加速度 | |
| 問(wèn)題6:出現(xiàn)針孔現(xiàn)象 | |
| 可能原因: | |
| 空氣中粉塵 | |
| 光刻膠內(nèi)存在顆?;驓馀?/td> | |
| 襯底上存在顆粒 |
很多情況下多是出現(xiàn)上圖這種形狀,就是局部涂膠厚度異常,一般是偏薄,出現(xiàn)這種情況一是可能表現(xiàn)有顆粒,二是旋轉(zhuǎn)涂膠時(shí)發(fā)生異常,可以調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速和加速度。三是檢查一下光刻膠是否存放過(guò)期。
滴膠也分為幾種,有靜態(tài)涂膠、一般適合黏度較低的膠水,有邊旋轉(zhuǎn)邊涂膠。
靜態(tài)涂膠后,硅片先低速旋轉(zhuǎn),光刻膠覆蓋到邊緣之后,加速到設(shè)定轉(zhuǎn)速, 一般2500~4000rpm。另外動(dòng)態(tài)滴膠,100~200rpm的轉(zhuǎn)速邊轉(zhuǎn)邊滴膠。采用動(dòng)態(tài)滴膠不需要很多光刻膠就能潤(rùn)濕(鋪展覆蓋)整個(gè)基片表面。尤其是當(dāng)光刻膠或基片本身潤(rùn)濕性不好的情況下,動(dòng)態(tài)滴膠尤其適用,不會(huì)產(chǎn)生針孔。滴膠之后,下一步是高速旋轉(zhuǎn)。使光刻膠層變薄達(dá)到最終要求的膜厚,這個(gè)階段的轉(zhuǎn)速一般在1500-6000轉(zhuǎn)/分,轉(zhuǎn)速的選定同樣要看光刻膠的性能(包括粘度,溶劑揮發(fā)速度,固體含量以及表面張力等)以及基片的大小??焖傩D(zhuǎn)的時(shí)間可以從10秒到幾分鐘。勻膠的轉(zhuǎn)速以及勻膠時(shí)間往往能決定最終膠膜的厚度。
一般情況下,勻膠轉(zhuǎn)速快,時(shí)間長(zhǎng),膜厚就薄。影響勻膠過(guò)程的可變因素很多,這些因素在勻膠時(shí)往往相互抵銷(xiāo)并趨于平衡。
旋膠過(guò)程中,99%的光刻膠都會(huì)被甩掉,剩下的一層膜,通過(guò)旋轉(zhuǎn)和空氣流動(dòng),會(huì)揮發(fā)溶液,膜層變干,但是仍舊是黏黏的液體感的,此時(shí)不要碰到膜層。需要軟烘,
另外一個(gè)影響成膜質(zhì)量的因素,旋涂過(guò)程中cup內(nèi)的氣流。
很多旋涂機(jī)的cup都配有有機(jī)抽風(fēng),風(fēng)力的大小會(huì)影響到成膜時(shí)光刻膠的涂覆狀態(tài)。且風(fēng)力大小也直接影響膜層干的速度,因此勻膠的時(shí)候,減小基片上面的空氣的流動(dòng),以及因空氣流動(dòng)引起的湍流(turbulence),或者至少保持穩(wěn)定也是十分重要的。
03—曝光
曝光相對(duì)來(lái)說(shuō)工藝比較穩(wěn)定,無(wú)非就是曝光劑量的問(wèn)題,時(shí)刻監(jiān)控光源的功率變化,適當(dāng)縮短或者延長(zhǎng)曝光時(shí)間。半導(dǎo)體光刻工藝及光刻機(jī)全解析
04—顯影
顯影工藝是比較關(guān)鍵的,不同光刻膠配合不同的顯影液,還要前烘和后烘的條件。
最普通常用的正膠顯影液是TMAH,目前0.26當(dāng)量濃度的TMAH顯影液成為工藝標(biāo)準(zhǔn)。TMAH具有很強(qiáng)的腐蝕性。
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原文標(biāo)題:光刻工藝之涂膠問(wèn)題
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