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BMS板中思開(kāi)MOS如何選型?

深圳市思開(kāi)半導(dǎo)體有限公司 ? 來(lái)源:深圳市思開(kāi)半導(dǎo)體有限公 ? 作者:深圳市思開(kāi)半導(dǎo)體 ? 2024-10-24 10:35 ? 次閱讀
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電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過(guò)對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集,計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過(guò)程,主要就是為了能夠提高電池的利用率,防止電池出現(xiàn)過(guò)度充電和過(guò)度放電。

MOS對(duì)鋰電池板的保護(hù)作用非常大,它可以檢測(cè)過(guò)充電,檢測(cè)過(guò)放電,檢測(cè)充電時(shí)過(guò)電電流,檢測(cè)放電時(shí)過(guò)電電流,檢測(cè)短路時(shí)過(guò)電電流。所以正確選擇適合的MOS管至關(guān)重要。

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那么BMS板中MOS該如何選型呢?在BMS中,選擇MOS管時(shí)需要考慮以下幾個(gè)主要因素:

1、耐壓能力?:選擇MOS管的耐壓能力(Vdss)時(shí),需要確保其能夠承受電池的最大電壓,以防止擊穿。一般會(huì)選擇電池充飽電壓的1.5倍為MOS管的耐壓,(如8串磷酸鐵鋰電芯的充飽電壓是29.2V,1.5倍的余量電壓是45V了,所以最低選用60V耐壓的MOS,以此類推)2、導(dǎo)通電阻(Rds-on)?:導(dǎo)通電阻越小,導(dǎo)通損耗越小,電流通過(guò)產(chǎn)生的熱量也越小,效率越高。在多個(gè)MOS管并聯(lián)時(shí),可以通過(guò)選擇較小的Rds-on來(lái)進(jìn)一步減小導(dǎo)通內(nèi)阻。

3?、柵極電荷(Qg)?:柵極電荷越小,開(kāi)關(guān)損耗越小,開(kāi)關(guān)速度越快。4、工作溫度范圍?:選擇能夠在BMS工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作的MOS管(思開(kāi)半導(dǎo)體的MOS管工作溫度范圍都在-55℃到175℃,可滿足一切工業(yè)應(yīng)用)。

在BMS板中選擇合適的MOS管還有一個(gè)關(guān)鍵步驟,那就是需要考慮具體的參數(shù)選擇,?在選擇具體的MOS管參數(shù)時(shí),可以參考以下參數(shù):

1?、耐壓能力(Vdss)?:根據(jù)電池的最大電壓選擇合適的耐壓值,(例如4~6串鐵鋰電芯一般選擇40V的MOS管;8~10串鐵鋰電芯一般選擇60V的MOS管;10~16串鐵鋰電芯一般選擇85V的MOS管;16-20串鐵鋰電芯的一般選擇100V的MOS管)。

2?、導(dǎo)通電阻(Rds-on)?:選擇較小的Rds-on以減小導(dǎo)通損耗,從而減小MOS管的發(fā)熱,降低板上的溫升。(例如100A的輸出電流下選擇Rds-on為1點(diǎn)幾個(gè)毫歐的MOS管,通過(guò)6、7個(gè)MOS并聯(lián)來(lái)分流)。

?3、柵極門檻電壓(Vgsth)?:確保柵極電壓足夠高以開(kāi)啟漏源電流,同時(shí)確保在BMS板上多顆MOS管并聯(lián)的情況下要接近于同時(shí)開(kāi)啟,思開(kāi)半導(dǎo)體的MOS管都通過(guò)嚴(yán)格的分檔,以保證開(kāi)啟電壓的一致性。

4?、寄生電容?:特別是Ciss,Crss,對(duì)開(kāi)關(guān)頻率較高的應(yīng)用要求盡量小,如電機(jī)控制器,無(wú)人機(jī)電調(diào)等。對(duì)大部分低側(cè)開(kāi)關(guān)的BMS應(yīng)用要求不高,可以通過(guò)電路調(diào)整驅(qū)動(dòng)電流大小來(lái)適配MOS管;但對(duì)高側(cè)開(kāi)關(guān)的BMS應(yīng)用因?yàn)樾酒?qū)動(dòng)電流較小,保證MOS在短路時(shí)能快速關(guān)斷,要求Ciss,Crss也盡量小。

為了更好地可以確保BMS板中的MOS管能夠滿足電池管理系統(tǒng)的需求,有效地保護(hù)電池并提高其使用壽命。請(qǐng)參考思開(kāi)半導(dǎo)體在BMS應(yīng)用中的MOS管選型建議表:

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在選型過(guò)程中,還需要注意以下幾個(gè)問(wèn)題:

1、保護(hù)電路設(shè)計(jì)?:確保MOS管能夠在短路或過(guò)流情況下迅速動(dòng)作,避免損壞電池或系統(tǒng)。

2?、熱設(shè)計(jì)?:通過(guò)合理的熱設(shè)計(jì)來(lái)確保MOS管在工作時(shí)不會(huì)過(guò)熱,可以通過(guò)并聯(lián)多個(gè)MOS管或增加散熱器面積來(lái)分散熱量。

3、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?:確保驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠的驅(qū)動(dòng)電壓和電流,以滿足MOS管的開(kāi)關(guān)需求。

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思開(kāi)半導(dǎo)體的MOS產(chǎn)品系列全:30V~300V,充分考慮了電池供電和電機(jī)負(fù)載的應(yīng)用需求;基于先進(jìn)SGT MOS設(shè)計(jì)工藝,RDS(on),EAS性能達(dá)到最佳。因此思開(kāi)半導(dǎo)體MOS產(chǎn)品參數(shù)一致性高,性能穩(wěn)定,在BMS應(yīng)用中市場(chǎng)占比最高,其特有的思開(kāi)先進(jìn)SGT MOS技術(shù)有效提高了電池的利用率和穩(wěn)定性。

但思開(kāi)半導(dǎo)體將持續(xù)加強(qiáng)研發(fā)投入,打磨更多、更有競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)品,并同客戶保持緊密的技術(shù)交流和溝通,及時(shí)洞悉市場(chǎng)變化和客戶需求,以滿足更多樣化的市場(chǎng)需求。

wKgaoWcZsouAZEGkAAOmFyhRuM8398.jpg 審核編輯 黃宇

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