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智原科技與聯(lián)華電子共同發(fā)表55納米低功耗工藝(55ULP)的PowerSlash基礎(chǔ)IP方案

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2018-03-05 15:08 ? 次閱讀
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聯(lián)華電子(UMC,TWSE: 2303)與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日共同發(fā)表智原科技于聯(lián)電55納米超低功耗工藝(55ULP)的 PowerSlash 基礎(chǔ)IP方案。智原 PowerSlash 與聯(lián)電工藝技術(shù)相互結(jié)合設(shè)計(jì),為超低功耗的無線應(yīng)用需求技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化,滿足無線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長期壽命需求。

智原科技營銷暨投資副總于德洵表示:“物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用建構(gòu)過程中,效能往往受制于低功耗技術(shù)。而今透過聯(lián)電55納米超低功耗技術(shù)以及智原 PowerSlash IP 的加速模式(Turbo Mode)功能,為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用環(huán)境帶來至關(guān)重要的解決方案,除了省電更提供絕佳的效能。再次,聯(lián)電和智原共同締造了成功的芯片服務(wù)技術(shù)?!?/p>

智原 PowerSlash IP 包含多重臨界電壓組件庫、內(nèi)存編譯器和電源管理組件,能夠充分利用聯(lián)電 55ULP 的優(yōu)勢在0.81V至1.32V廣域電壓下運(yùn)作。此外,新的加速模式功能可以有效調(diào)升性能曲線,幫助 MCU 核心達(dá)到2倍效能,在相同額定頻率下減少約40%的動態(tài)功耗。

聯(lián)電硅智財(cái)研發(fā)暨設(shè)計(jì)支持處的莫亞楠資深處長也表示: “ 物聯(lián)網(wǎng)芯片設(shè)計(jì)師對于有效的節(jié)能解決方案有高度的需求。聯(lián)電擁有晶圓代工業(yè)界中最健全的物聯(lián)網(wǎng)專屬55納米技術(shù)平臺,結(jié)合完整的硅智財(cái)方案,可以支持物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的不間斷低功耗要求。藉由智原在我們的 55ULP 平臺上發(fā)表的 PowerSlash IP,能夠讓客戶使用完善的工藝平臺,協(xié)助提供物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的獨(dú)特需求。”

PowerSlash IP 結(jié)合智原的低功耗設(shè)計(jì)系統(tǒng)、系統(tǒng)芯片超低功耗控制組件與 FIE3200 FPGA 平臺,可以使用在低功耗集成電路的前端設(shè)計(jì)或后端開發(fā)階段。聯(lián)電的 55ULP 技術(shù)能夠支持較低的操作電壓及 sub-pA 裝置漏電,為含有鈕扣電池的產(chǎn)品提供理想的的晶圓工藝。智原與聯(lián)電合力的超低功耗解決方案,為超低功耗集成電路設(shè)計(jì)平臺帶來新的基準(zhǔn)。

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