近日,據(jù)韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級與產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技
發(fā)表于 02-14 13:43
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據(jù)外媒最新報道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,
發(fā)表于 02-12 10:38
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近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND
發(fā)表于 01-14 14:21
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近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報
發(fā)表于 01-14 10:08
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近期,NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將
發(fā)表于 01-07 14:04
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存儲大廠鎧俠近日宣布,計劃在2024年12月實施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對當(dāng)前NAND Flash市場的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),并有望促使價格止跌回升。
發(fā)表于 12-03 17:36
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1. 2024 年通用NAND 價格下跌超50% 三星、鎧俠計劃減產(chǎn) ? 由于通用
發(fā)表于 12-02 11:20
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近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC
發(fā)表于 11-21 14:16
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近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言,三星計劃在2024年底現(xiàn)貨
發(fā)表于 11-20 16:13
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存儲芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項令人矚目的預(yù)測,稱在人工智能需求的強勁推動下,到2028年,全球?qū)?b class='flag-5'>NAND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測不僅展示了存儲市場的巨大潛力,也預(yù)示著鎧
發(fā)表于 11-12 14:40
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近日,日本知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠被曝出正積極籌備首次公開募股(IPO)的重大計劃。根據(jù)鎧俠向日本金融服務(wù)廳提交的正式文件,公司
發(fā)表于 11-11 14:41
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三星電子即將啟動一項計劃,將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計將通過中國本土企業(yè)或第
發(fā)表于 11-06 14:00
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近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域
發(fā)表于 10-31 18:22
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日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣布,已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股(IPO)計劃暫時擱置。這一決定背后,是鎧俠
發(fā)表于 09-25 14:53
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存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣布了一項重要進(jìn)展:其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠(Fab 2,簡稱K2)已圓滿竣工。此次竣工標(biāo)志著
發(fā)表于 08-06 09:27
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