
以3200GB容量為例,我們來(lái)看一下三個(gè)系列的具體差別
接口差異:
CD8-V系列為PCIe 4.0、NVMe? 1.4 規(guī)范兼容,隨機(jī)讀取速度高達(dá)1,250K IOPS、隨機(jī)寫(xiě)入340K IOPS,順序讀取72,00 MB/s
CD8P-V系列為PCIe?5.0, NVMe? 2.0,隨機(jī)讀取速度高達(dá)1,900K IOPS、隨機(jī)寫(xiě)入400K IOPS,順序讀取12,000 MB/s,與CD8-V系列相比,實(shí)現(xiàn)了60%-80%的順序讀取性能提升,為用戶帶來(lái)更為出色的使用體驗(yàn)。
尺寸差異:
2.5英寸尺寸為:1570100.45mm E3.S尺寸為:7.576112.75mm,E3.S的尺寸更小巧,因此在一些需要空間緊湊的場(chǎng)景下具有優(yōu)勢(shì)。為后期擴(kuò)容提供更多的可能性。
CD8-V系列采用鎧俠 112層 BiCS FLASH? 3D TLC 閃存存儲(chǔ),CD8P系列采用KIOXIA BiCS FLASH?第5代TLC閃存。
兩個(gè)系列相同點(diǎn):
- CD8-V系列,CD8P-V系列,2.5英寸以及E3.S均為客戶提供容量為1600GB至12800GB
- 均采用單端口設(shè)計(jì),針對(duì)數(shù)據(jù)中心級(jí)工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化
- 具備持續(xù)性能和可靠性,適用于苛刻的 24x7 環(huán)境
- 高密度存儲(chǔ)部署設(shè)計(jì)
- 具備斷電保護(hù)(PLP)和端到端數(shù)據(jù)校正
- 安全選項(xiàng):SIE、SED
可靠性和保障:
- MTTF:250 萬(wàn)小時(shí)
- 保修期:5 年
- DWPD:3
環(huán)境參數(shù):
- 工作溫度:0℃ 到 74℃
- 非工作溫度:-40℃ 到 85℃
- 濕度(工作時(shí)):5% 到 95% R.H.
- 震動(dòng)(工作時(shí)):21.27 m/s2 (5 到 800 Hz)
- 沖擊(工作時(shí)):9.8 km/s2 (1,000 G)(0.5 毫秒)
-
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深入剖析SN74CB3T16210-Q1 20位FET總線開(kāi)關(guān)
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N81AK8T13壓電螺釘光學(xué)鏡架 - 小型化設(shè)計(jì)適配微型光學(xué)系統(tǒng)
哪些電容可以替代CBB81電容
GaAs SP4T 吸收式開(kāi)關(guān) 20 MHz–2.5 GHz skyworksinc
20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 開(kāi)關(guān) skyworksinc
用于超寬帶 (UWB) 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 開(kāi)關(guān) skyworksinc
20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開(kāi)關(guān) skyworksinc
Texas Instruments DRV81xx-Q1EVM 評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
PFD20-18S28A3(C)2 PFD20-18S28A3(C)2
FD20-110S15B3C3-H1 FD20-110S15B3C3-H1
FD20-110S40B3C3 FD20-110S40B3C3
DD20-48E0524B3C3 DD20-48E0524B3C3
鎧俠CD8系列產(chǎn)品對(duì)比 KCD81PUG3T20 KCD81PJE3T20 KCD81VUG3T20
評(píng)論