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ESD HBM測試差異較大的結(jié)果分析

上海季豐電子 ? 來源:上海季豐電子 ? 2024-11-18 15:17 ? 次閱讀
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ESD HBM測試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測試樣本差異、?測試操作員技能和經(jīng)驗差異以及測試方法選擇的不同。

其中,可能導(dǎo)致結(jié)果差異較大的首先應(yīng)屬于設(shè)備和儀器差異,其次是測試操作員技能和經(jīng)驗,其他原因一般不會導(dǎo)致特別大的差異。

季豐電子ESD實驗室已通過ANSI20.20的環(huán)境認(rèn)證、CNAS、IEC17025等管理體系的認(rèn)證,實驗室對設(shè)備校準(zhǔn)和環(huán)境的管理十分嚴(yán)格,可以有效保證檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和時效性。

案例分析

案例描述:OUT 管腳對VDD管腳打負(fù)向靜電,一個結(jié)果PASS -6000V,一個結(jié)果-2500V失效,同批次的芯片經(jīng)過了功能篩選,使用的同一家品牌的設(shè)備測試HBM,同一家實驗室,然而出現(xiàn)了結(jié)果差異較大的問題。

有了以上的信息支撐,實驗室在對比了測試程序,測試方案及方法,同一個程序,同一個設(shè)備,同樣的測試規(guī)范,沒有發(fā)現(xiàn)有什么問題。最后確認(rèn)是使用了不同的通道導(dǎo)致的差異。問題是,到底是測試板的問題還是放電通道的問題,是不是通道放電異常導(dǎo)致的呢?實驗室直接抓取了兩個測試板使用的對應(yīng)通道的短路放電電流波形,如下所示:

如圖AB,從圖中可得知

放電能力相當(dāng),而懷疑點恰恰在于上升沿Tr參數(shù)有略差,A 圖中Tr 為8.793ns, B圖中Tr為6.520ns,雖有差異,但均是符合Js001的測試規(guī)范。

對比了兩塊測試板的通道位置的距離,A板是跨通道板走線稍長,B板則是在同一通道板走線較近一些,所以這個Tr的不同也可以理解,懷疑是芯片對Tr是比較敏感的,所以果斷通過TLP測試的驗證。

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圖A

ae5ae0f4-a337-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

圖B

如圖TLP-A,TLP-B

可以清楚地看出,在圖TLP-A 上升沿采用的是10ns,結(jié)果2.7A還沒有出現(xiàn)失效,但是在圖TLP-B中,上升沿采用的是2ns,結(jié)果1.6A就出現(xiàn)了失效;

所以經(jīng)過折算到HBM來看,此兩次測試的HBM結(jié)果不同,結(jié)論是因為芯片對靜電的上升沿非常敏感導(dǎo)致。

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圖TLPA

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圖TLPB

季豐電子

季豐電子成立于2008年,是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域,深耕集成電路檢測相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊,分別為基礎(chǔ)實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設(shè)備,可為芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

季豐電子通過國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術(shù)企業(yè)、上海市“科技小巨人”、上海市企業(yè)技術(shù)中心、研發(fā)機(jī)構(gòu)、公共服務(wù)平臺等企業(yè)資質(zhì)認(rèn)定,通過了ISO9001、 ISO/IEC17025、CMA、CNAS、IATF16949、ISO/IEC27001、ISO14001、ANSI/ESD S20.20等認(rèn)證。公司員工近1000人,總部位于上海,在浙江、北京、深圳、成都等地設(shè)有子公司。

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原文標(biāo)題:技術(shù)分享 | ESD HBM測試差異較大的結(jié)果分析

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