2024年11月19日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

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出席開幕式的領導嘉賓有中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇，中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮，中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁，中國工程院院士、清華大學教授羅毅，中國科學院外籍院士、瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授LarsSAMUELSON，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處副處長朱邵歆，中國中小企業(yè)協(xié)會、國家發(fā)展改革委原氣候司巡視員謝極，科技部戰(zhàn)略規(guī)劃司原司長王曉方，國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）聯(lián)合秘書長、科技部國際合作司原司長靳曉明，科技部資源配置與管理司原副司長、一級巡視員曹國英，工業(yè)與信息化部電子司原副司長季國平，國家自然科學基金委員會信息科學部原副主任何杰，蘇州實驗室副主任景震強，蘇州市科技局副局長劉俊，蘇州納米科技發(fā)展有限公司黨委書記、董事長張淑梅，美國光學學會院士、中美光電學會院士、臺灣清華大學榮譽講座教授劉容生，臺灣光電科技工業(yè)協(xié)進會前執(zhí)行長羅懷家，美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席 Victor VELIADIS，華為技術(shù)日本株式會社大阪研究所高級首席專家Kimimori HAMADA，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMA，英特爾研究院副總裁、英特爾中國研究院院長宋繼強，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波，聯(lián)盟副理事長、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員、江蘇第三代半導體研究院院長徐科，中國科學院大學教授、中國科學院空天信息創(chuàng)新研究院研究員、“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”專項專家組組長樊仲維，華南師范大學校長楊中民，中國科學院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所副所長林文雄，清華大學教授潘峰，西安電子科技大學副校長、教授張進成，香港科技大學首席教授陳敬，福州大學特聘教授、國際信息顯示學會（SID)中國區(qū)總裁嚴群，賽迪研究院集成電路研究所所長周峰，華潤微電子有限公司總裁李虹，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁董博宇，揚州揚杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤，杭州士蘭微電子股份有限公司副總經(jīng)理、教授級高工聞永祥，深圳匯川技術(shù)有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司董事長王垚浩，河北同光半導體股份有限公司董事長鄭清超，復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲，中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長、中國科學院半導體研究所原所長、研究員、半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任李晉閩。此外，還有眾多來自海內(nèi)外相關(guān)領域的政府領導、知名專家、企業(yè)領袖、行業(yè)組織領導、投資機構(gòu)以及媒體朋友，近千人出席了開幕大會。圍繞第三代半導體技術(shù)、應用，深入探討交流最新技術(shù)進展與發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華主持了開幕式環(huán)節(jié)。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長楊富華主持開幕式環(huán)節(jié)

培塑融合創(chuàng)新生態(tài)新思路 賦能產(chǎn)業(yè)升級進程

不同應用的變革升級以及新興領域的拓展，帶來第三代半導體材料應用的持續(xù)增長，帶動更多應用領域的更新?lián)Q代和產(chǎn)業(yè)升級。產(chǎn)業(yè)鏈融通，以及創(chuàng)新生態(tài)構(gòu)建將有利于整體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新和良性循環(huán)，推動產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟發(fā)展。

中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇為大會致辭

中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇致辭時表示，隨著人工智能高算力需求爆發(fā)，新一代速度更快、功耗更低、集成度更高的半導體材料和器件成為滿足信息技術(shù)面向超高速、超大容量發(fā)展的必然選擇。全球正在經(jīng)歷新一輪電氣化進程，交通運輸、大算力設施等新興應用的快速布局對更加高效、更加強勁的電能處理能力提出了迫切的需求，也成為下一代電力電子系統(tǒng)研發(fā)的新動力。寬禁帶半導體與其他功能材料實現(xiàn)跨材料體系的異質(zhì)集成和功能融合，開發(fā)新型器件是第三代半導體領域的重要發(fā)展趨勢。半導體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對半導體行業(yè)尤為重要，加強技術(shù)研究和原始創(chuàng)新，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，以創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，同時要堅持加強全球產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的協(xié)作，仍然是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要路徑。

中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮為大會致辭

半導體技術(shù)，作為現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力之一，一直以來都在不斷革新和突破，備受全球關(guān)注，新的時代發(fā)展趨勢下，迎來了非常好的發(fā)展機遇。中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮致辭時表示，當前，第三代半導體材料以其獨特的性能優(yōu)勢，無論是在光電技術(shù)，還是在功率電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)方面都有著不可替代的作用，近些年發(fā)展也取得了長足的進步。第三代半導體具有產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新融合的特點，可以在闖出融合新路的過程當中做出更大的貢獻。希望來自各地的業(yè)界同仁通過論壇深入的交流碰撞，更好的找到未來前進的方向，也為我國的產(chǎn)教融合，產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新的融合創(chuàng)造更好的條件。希望年輕的科技工作者和同學們通過論壇不斷的探討學習思考成長，更快的成長起來，撐起我們第三代半導體新的天空，共同書寫新的輝煌篇章。

工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力為大會致辭

蘇州實驗室副主任景震強為大會致辭

新材料產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)略性基礎性產(chǎn)業(yè)，必將成為未來高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石和先導。蘇州實驗室副主任景震強致辭時表示，當前，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)革命深入發(fā)展，新材料的研發(fā)和應用已經(jīng)成為推動產(chǎn)業(yè)升級經(jīng)濟增長，培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力的重要力量。第三代半導體材料具有獨特的優(yōu)勢，對于引領支撐信息產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展具有關(guān)鍵作用，全球科技界產(chǎn)業(yè)界都高度關(guān)注，競相布局?？萍紡妵牧媳仨毾刃?，蘇州實驗室前瞻布局戰(zhàn)略性材料，承擔著建設全國材料科技創(chuàng)新高地和人才高地的重任。當前，蘇州實驗室正全力打造尖端人才聚集和科技體制改革兩個平臺，秉持開放合作的理念，將努力發(fā)揮材料領域科技攻關(guān)總平臺的作用，進一步加強與國內(nèi)外科研機構(gòu)、高校、科技領軍企業(yè)之間的協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建科學技術(shù)工程融通創(chuàng)新機制，力爭以材料科技突破引發(fā)產(chǎn)業(yè)變革，也歡迎海內(nèi)外優(yōu)秀人才有志之士加入一起共創(chuàng)美好未來。

聯(lián)盟（CASA）9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標準發(fā)布

為促進產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟在產(chǎn)業(yè)各界的關(guān)注和支持下，2021年起布局并持續(xù)啟動了SiC MOSFET功率器件的系列標準制定工作，希望能夠業(yè)界建立起統(tǒng)一的產(chǎn)品可靠性評價及測試方法，樹立應用市場信心，支撐新興市場開拓。開幕式上，舉行了9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標準的發(fā)布儀式。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲

發(fā)布《2024年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展》

2024年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展名單

2024年，第三代半導體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異。在快速變化的浪潮中，為了更好的把握行業(yè)前沿、凸顯具有影響力和突破性的進展，為行業(yè)發(fā)展提供清晰視角，激勵更多創(chuàng)新，大會程序委員會倡議，啟動2024年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展評選活動。截止11月10日通過自薦、推薦和公開信息整理等途徑，共收到備選技術(shù)39項，經(jīng)程序委員會投票、綜合評議，開幕式上，“6-8英寸藍寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)實現(xiàn)重大突破”、“垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備”“基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術(shù)”等十大技術(shù)進展正式揭曉。

探新路 助力創(chuàng)新應用新浪潮

新科技時代背景下，創(chuàng)新和技術(shù)挑戰(zhàn)持續(xù)推動著第三代半導體技術(shù)研究和應用的發(fā)展進程，展現(xiàn)出巨大的應用潛力，產(chǎn)業(yè)化水平不斷提升。技術(shù)的變革升級也將深刻影響未來產(chǎn)業(yè)的格局塑造。

開幕大會主旨報告環(huán)節(jié)，共有九大國際重量級報告。中國科學院院士楊德仁，美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024大會主席Victor VELIADIS，瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、中國科學院外籍院士LarsSAMUELSON，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹，北京大學理學部副主任、特聘教授沈波，華為技術(shù)日本株式會社大阪研究所高級首席專家濱田公守，西安電子科技大學副校長、教授張進成，華潤微電子總裁李虹等院士領銜的專家們，從產(chǎn)業(yè)、技術(shù)等多維度探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展的未來，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新篇章。山東大學教授徐現(xiàn)剛、香港科技大學首席教授陳敬、中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻聯(lián)袂主持了大會主旨報告環(huán)節(jié)。

中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁分享《半導體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)》大會報告。

美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADIS分享

《加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展》大會報告。

日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹分享《用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發(fā)研究》大會報告。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波分享《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》大會報告。

華為技術(shù)日本株式會社大阪研究所高級首席專家分享濱田公守《最新的高性能SiC MOSFET技術(shù)趨勢》大會報告。

華潤微電子有限公司總裁李虹分享《融通半導體產(chǎn)業(yè)鏈 構(gòu)建應用創(chuàng)新生態(tài)圈》大會報告。

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁董博宇分享《同芯共贏，以裝備創(chuàng)新推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展》大會報告。

瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、中國科學院外籍院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授LarsSAMUELSON分享《實現(xiàn)超小型全氮化微型LED的納米級材料科學》大會報告。

西安電子科技大學副校長、教授張進成分享《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》 大會報告。

山東大學教授主持開幕大會上午大會報告環(huán)節(jié)。

中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻主持開幕大會下午大會報告環(huán)節(jié)。

香港科技大學首席教授陳敬主持開幕大會下午報告環(huán)節(jié)。

半導體材料產(chǎn)業(yè)具有研發(fā)投入大、周期長，技術(shù)難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業(yè)國際壟斷嚴重等特點。從半導體材料產(chǎn)業(yè)來看，也面臨著產(chǎn)品水平處于中低端，先進、高端半導體材料嚴重依賴進口，企業(yè)規(guī)模較小，半導體材料的生長、加工設備缺乏，半導體材料的測試設備幾乎空白等挑戰(zhàn)。專家表示，盡管技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展進步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導體的材料和器件研究依然面臨一系列關(guān)鍵科學技術(shù)問題，需繼續(xù)開展深入、系統(tǒng)的研究工作。

開幕大會高峰對話環(huán)節(jié)，北京大學理學部副主任、特聘教授沈波主持下，華潤微電子總裁李虹，揚杰電子副董事長梁瑤，士蘭微電子副總經(jīng)理聞永祥，匯川技術(shù)聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，南砂晶圓董事長王垚浩等頭部企業(yè)帶頭人、實力派專家，圍繞“碳化硅從6英寸逐漸向8英寸轉(zhuǎn)化的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”、“功率器件應用市場需求釋放”、“產(chǎn)業(yè)生態(tài)優(yōu)化”等當前產(chǎn)業(yè)企業(yè)發(fā)展的熱點重要前沿話題，前瞻與務實相結(jié)合，面對面對話探討，現(xiàn)場碰撞出熱烈火花。

本屆論壇為期三天，除了重量級全天開幕大會，19-21日精彩將持續(xù)展開。共設有16場熱點主題技術(shù)分論壇、200余個報告、5場熱點產(chǎn)業(yè)峰會、4場強芯沙龍會客廳主題對話，還有多場衛(wèi)星活動，匯聚全球頂級精英，技術(shù)與產(chǎn)業(yè)并舉，全面覆蓋半導體照明和第三代半導體及相關(guān)領域的前沿熱點、技術(shù)應用、產(chǎn)業(yè)趨勢。

論壇同期，第六屆先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS），全鏈條聚焦第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。論壇期間設有POSTER論文交流、現(xiàn)場抽獎等精彩紛呈的活動，現(xiàn)場氛圍非常熱烈。敬請關(guān)注！

審核編輯 黃宇