CMP技術(shù)概述
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造工藝,近年來隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,其重要性日益凸顯。CMP通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面的超精密平坦化處理,是先進(jìn)制程(如7nm、5nm及以下)中不可或缺的技術(shù)。
CMP技術(shù)平坦化處理對(duì)晶片表面影響示意圖 圖源:公開網(wǎng)絡(luò)
CMP的平坦化機(jī)理
1、基本原理
CMP的平坦化過程是通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)的。具體步驟如下:
化學(xué)反應(yīng)層的形成:
拋光液中的化學(xué)試劑(如酸性或堿性溶液)與晶圓表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成一層較軟的化學(xué)反應(yīng)層。例如,在銅CMP過程中,氧化劑(如過氧化氫)會(huì)將銅氧化成氧化銅(CuO),形成一層氧化層。這層化學(xué)反應(yīng)層比原始材料更軟,更容易被機(jī)械研磨去除。
機(jī)械研磨去除:
拋光墊上的磨料顆粒(如二氧化硅、氧化鋁等)在拋光墊的壓力作用下,與晶圓表面接觸,通過物理磨損的方式去除化學(xué)反應(yīng)層。
拋光過程中的壓力和旋轉(zhuǎn)速度對(duì)研磨效率和表面質(zhì)量有重要影響。較高的壓力和速度可以提高去除速率,但可能會(huì)增加表面粗糙度。
表面平坦化:
通過化學(xué)和機(jī)械作用的協(xié)同作用,晶圓表面的凹凸不平被逐漸去除,最終實(shí)現(xiàn)平坦化的表面?;瘜W(xué)反應(yīng)層被去除后,新的材料表面暴露出來,重復(fù)上述化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨過程,直到達(dá)到所需的平坦化效果。
2、影響平坦化效果的因素
化學(xué)因素:拋光液成分、化學(xué)反應(yīng)速率等。
機(jī)械因素:拋光墊特性、磨料顆粒特性、壓力、旋轉(zhuǎn)速度等。
工藝參數(shù):溫度、拋光時(shí)間等。
CMP的市場(chǎng)規(guī)模與需求分析
1、當(dāng)前市場(chǎng)規(guī)模
2023年市場(chǎng)規(guī)模:全球CMP材料市場(chǎng)規(guī)模約為25億美元。
其中,拋光液占比最大,約為60%,拋光墊占比約為30%,其他材料(如清洗液、添加劑等)占比約為10%。
2024年第一季度市場(chǎng)規(guī)模:全球CMP材料市場(chǎng)規(guī)模約為7億美元,同比增長(zhǎng)約10%。
主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來自半導(dǎo)體制造業(yè)的持續(xù)擴(kuò)張,尤其是先進(jìn)制程和新型材料(如金剛石、碳化硅、氮化鎵等)的需求增加。
2、需求分析
半導(dǎo)體制造業(yè)的需求:CMP工藝是半導(dǎo)體制造中不可或缺的步驟,尤其是在晶圓平坦化、多層金屬布線、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。
隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷進(jìn)步,對(duì)CMP工藝的平坦化精度和材料去除速率要求越來越高。
先進(jìn)制程的需求:先進(jìn)制程(如7nm、5nm及以下)對(duì)CMP工藝的需求尤為迫切,因?yàn)檫@些制程對(duì)表面平坦化和缺陷控制的要求極高。
新型材料的需求:金剛石、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新型半導(dǎo)體材料的應(yīng)用增加,對(duì)CMP工藝提出了新的挑戰(zhàn)和需求。
未來發(fā)展趨勢(shì)
高精度平坦化:CMP技術(shù)將朝著更高的平坦化精度和更低的表面粗糙度方向發(fā)展,以滿足先進(jìn)制程的需求。
新材料應(yīng)用:開發(fā)新的拋光液和拋光墊,以適應(yīng)金剛石、碳化硅、氮化鎵等新型材料的需求。
環(huán)保和可持續(xù)性:開發(fā)更環(huán)保的拋光液和回收利用拋光墊等,推動(dòng)CMP技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展。
CMP作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝,其平坦化機(jī)理通過化學(xué)和機(jī)械作用的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,CMP的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,需求不斷增加。未來,CMP技術(shù)將朝著高精度、新材料應(yīng)用和環(huán)??沙掷m(xù)的方向發(fā)展,市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)增長(zhǎng)。
-
CMP
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
157瀏覽量
26706 -
半導(dǎo)體制造
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
448瀏覽量
24769
原文標(biāo)題:CMP技術(shù)解析:平坦化機(jī)理、市場(chǎng)現(xiàn)狀與未來展望
文章出處:【微信號(hào):DT-Semiconductor,微信公眾號(hào):DT半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
CMP工藝中的缺陷類型
半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代材料 | CMP化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Planarization)

注塑加工半導(dǎo)體CMP保持環(huán):高性能材料與精密工藝的結(jié)合

PEEK與PPS注塑CMP固定環(huán)的性能對(duì)比與工藝優(yōu)化

淺談虛擬電廠技術(shù)現(xiàn)狀及展望

OptiSystem應(yīng)用:增益平坦濾波器優(yōu)化
工業(yè)電機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢(shì)分析
MCU在車載系統(tǒng)中的展望
CMP技術(shù)原理,面臨的挑戰(zhàn)及前景分析
cmp在數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用 如何優(yōu)化cmp性能
電子行業(yè):創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下的未來展望
點(diǎn)焊技術(shù)的未來:市場(chǎng)動(dòng)向與創(chuàng)新展望

評(píng)論