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一顆芯片面積頂4顆H200,博通推出3.5D XDSiP封裝平臺

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-12-10 09:15 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)博通最近推出了3.5D XDSiP的芯片封裝平臺技術,面向下一代高性能AI、HPC應用的定制XPU和ASIC。3.5D XDSiP的最大亮點,在于可以將超過6000平方毫米的3D堆疊硅晶片和12個HBM模塊集成到一個系統(tǒng)級封裝中。這是什么概念?

目前手機移動端的旗艦處理器驍龍8Elite核心面積是124.1平方毫米;英偉達H200核心面積1526平方毫米;今年英偉達推出的首款Blackwell架構(gòu)GPU B200,采用雙die合封,核心面積也達到1600平方毫米左右。也就是說博通的3.5D XDSiP平臺,可以支持近4個B200核心集成在一個封裝中。

那么這么“巨大”的芯片是怎么封裝的,市場上真的需要這么大規(guī)模的芯片嗎?

2.5D封裝、3D堆棧、F2F堆疊結(jié)合,首批產(chǎn)品2026上市


圖源:博通


隨著摩爾定律的進一步減緩,先進封裝在大規(guī)模計算集群中XPU上的應用已經(jīng)成為了業(yè)界共識,在AI計算中,XPU需要計算、內(nèi)存、I/O等功能的復雜集成,以最大限度地降低功耗和成本。

而博通的3.5D XDSiP平臺,作為用于定制計算芯片的平臺,優(yōu)勢主要包括:

wKgZO2dXlo2AZ8_7AAL8LD6zKFE253.png
圖源:博通


增強的互連密度:與傳統(tǒng)采用硅通孔TVS的F2B(面到背)的技術相比,3.5D XDSiP采用HCB(混合銅鍵合)以F2F(面對面)的方式將邏輯芯片堆疊,堆疊芯片之間的信號密度提高了7倍;
高能效:通過利用3D HCB代替平面芯片到芯片物理接口,芯片到芯片接口的功耗降低了90%;
低延遲:最大限度地減少3D堆棧中計算、內(nèi)存和I/O組件之間的延遲;
小尺寸:支持更小的轉(zhuǎn)接板和封裝尺寸,從而節(jié)省成本并改善封裝翹曲。

這項封裝技術是博通與臺積電多年合作的成果,博通ASIC產(chǎn)品部高級副總裁兼總經(jīng)理Frank Ostojic表示:“隨著我們達到摩爾定律的極限,先進封裝對于下一代XPU集群至關重要。通過與我們的客戶密切合作,我們在臺積電和EDA合作伙伴的技術和工具基礎上創(chuàng)建了一個3.5D XDSiP平臺。通過垂直堆疊芯片組件,Broadcom的3.5D平臺使芯片設計師能夠為每個組件配對正確的制造工藝,同時縮小插入器和封裝尺寸,從而顯著提高性能、效率和成本?!?br />
臺積電業(yè)務發(fā)展高級副總裁張曉強博士表示,臺積電和博通在過去幾年中密切合作,將臺積電最先進的邏輯處理和3D芯片堆疊技術與博通的設計專業(yè)知識結(jié)合在一起。

wKgZO2dXlpuAR74BAAYTfBfISXk950.png
圖源:博通


博通表示,3.5D XDSiP技術目前已經(jīng)被主要的AI領域客戶使用,已經(jīng)有6款產(chǎn)品正在開發(fā)中。其中富士通下一代2nm制程的Arm處理器FUJITSU-MONAKA已經(jīng)確認使用博通3.5D XDSiP技術,這款處理器面向數(shù)據(jù)中心、邊緣計算等應用,據(jù)此前富士通的介紹,MONAKA每顆CPU包含一個中央的I/O die和四個3D垂直堆疊die,并集成SRAM,預計2027年出貨。

使用3.5D XDSiP技術的芯片產(chǎn)品,博通預計最早在2026年2月實現(xiàn)出貨。

小結(jié):

先進封裝作為未來AI計算芯片的重要部分,博通這種大面積的芯片封裝方案,能夠極大程度上提高系統(tǒng)集成度,同時通過創(chuàng)新的互連方案,提高片內(nèi)互連的帶寬和提高能效,有望成為未來高性能處理器的一個重要方向。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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