意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場景設(shè)計。
新推出的工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG，額定漏極電流均超過300A，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1mΩ，能夠在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)卓越的能效。其動態(tài)性能也得到了顯著提升，總柵極電荷典型值為65nC，同時擁有低電容(Ciss, Crss)，確保在高開關(guān)頻率下電能損耗降至最低。
此外，該系列MOSFET體二極管具有低正向電壓和快速反向恢復(fù)特性，這些特點有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。在工業(yè)和汽車等高要求的應(yīng)用場景中，這些特性尤為重要，能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。
意法半導(dǎo)體的這一新品推出，再次展示了其在MOSFET技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。未來，意法半導(dǎo)體將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，為用戶提供更加高效、可靠的半導(dǎo)體解決方案。
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現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的
發(fā)表于 07-12 16:18
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