近日，一年一度的行家說三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開。納微半導(dǎo)體憑借2024年優(yōu)異的應(yīng)用和產(chǎn)品表現(xiàn)，榮獲三項(xiàng)重磅大獎(jiǎng)！

本次行家說年會(huì)上，納微半導(dǎo)體還帶來一場以《GaN&SiC驅(qū)動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心跟車載電源創(chuàng)新》為主題的精彩演講，分享了目前納微半導(dǎo)體領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅技術(shù)，如何為當(dāng)下最熱的AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車帶來更高功率、更高效率的功率轉(zhuǎn)換解決方案。

第三代平導(dǎo)體應(yīng)用推動(dòng)突破獎(jiǎng)

2024年，生成式AI進(jìn)入了井噴式發(fā)展，為背后的數(shù)據(jù)中心帶來了驚人的能源危機(jī)，服務(wù)器電源作為最大耗電點(diǎn)之一，亟需向更高效率和更高功率密度邁進(jìn)。

納微半導(dǎo)體敏銳地察覺到了這一趨勢(shì)，將旗下大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片與具有獨(dú)特工藝——溝槽輔助平面柵的GeneSiC碳化硅功率器件進(jìn)行結(jié)合，助力下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升。

率先推出AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

3月，納微發(fā)布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，計(jì)劃在12-18個(gè)月實(shí)現(xiàn)電源功率的3倍提升，從3kW迅速拉至10kW。

全球功率密度最高的服務(wù)器電源

7月，納微發(fā)布CRPS185 4.5kW服務(wù)器電源方案，其采用了氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)，以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。

全球首發(fā)8.5kW OCP電源

11月，納微全球首發(fā)8.5kW OCP服務(wù)器電源，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。

憑借著領(lǐng)先的產(chǎn)品性能，納微GaNSafe和GeneSiC產(chǎn)品已成功在60多個(gè)客戶項(xiàng)目中獲得應(yīng)用，獲此殊榮可謂實(shí)至名歸。

年度優(yōu)秀產(chǎn)品：

GeneSiC 1700V碳化硅MOSFETS

納微半導(dǎo)體的GeneSiC碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，采用了專利的溝槽輔助平面柵技術(shù)，平面和溝槽優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，可支持高產(chǎn)量制造、快速冷卻運(yùn)行以及延長壽命的可靠性。

此次獲獎(jiǎng)的1700V碳化硅MOSFETs，具有最優(yōu)的FoM品質(zhì)因素和溫度特性以及最低的Rdson，達(dá)到了全球領(lǐng)先的性能，有效打造高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換方案，在儲(chǔ)能以及中壓功率模塊應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。

年度創(chuàng)新產(chǎn)品：

GaNFast Bi-Directional雙向氮化鎵開關(guān)

在雙碳要求下，光伏和風(fēng)能等新能源進(jìn)入了黃金發(fā)展期。氮化鎵憑借著高頻率，低損耗的優(yōu)勢(shì)，成為這類綠色能源存儲(chǔ)的關(guān)鍵角色。

納微GaNFast Bi-Directional雙向氮化鎵開關(guān)是一款優(yōu)化的雙向開關(guān)，能夠阻斷兩個(gè)方向的電壓。每個(gè)源極和公共基板之間的單片集成基板鉗位電路可自動(dòng)鉗位源極到基板的電壓以防止背柵效應(yīng)。

1顆Bi-GaN氮化鎵功率芯片可以相當(dāng)于4顆同等Rdson的單向氮化鎵器件，可廣泛的應(yīng)用于單極矩陣變換器拓?fù)渲校沟?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/逆變器/" target="_blank">逆變器峰值效率升至97%，獲得海內(nèi)外頭部微逆客戶的采用和關(guān)注。

此番三斬行業(yè)大獎(jiǎng)，充分展現(xiàn)了納微在電氣化之路上所取得的卓越成果。未來，納微將繼續(xù)不斷加速下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)，助力更多行業(yè)進(jìn)入高效、綠色的能源“芯”篇章！