三維集成電路制造中,對準技術(shù)是確保多層芯片鍵合精度、實現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點正確互聯(lián)的核心技術(shù),直接影響芯片性能與集成密度,其高精度可避免
發(fā)表于 08-01 09:16
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蓋樓一樣,層層堆疊。
總結(jié)一下,芯片制造的主要過程包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試和封裝。
晶圓,作為單晶柱體切割而成的圓薄片,其制作原料是硅或砷化鎵。高純度的硅材料提取自硅砂
發(fā)表于 12-30 18:15
碼邏輯電路,兩者都是植在同一塊硅片上。生物科技:人類基因圖譜計劃的目的是對人體內(nèi)的脫氧核糖核酸(DNA)中約80000個基因進行譯碼;其中主要利用生物芯片(用集成電路技術(shù)制造,并植有特定DNA排序的
發(fā)表于 08-20 17:58
芯片模塊封裝(MCM)、系統(tǒng)封裝(SIP)、系統(tǒng)上封裝(SOP)和嵌入式基板封裝方向發(fā)展。而嵌入式基板技術(shù)可與PCB技術(shù)緊密地結(jié)合在一起,實現(xiàn)三維高密度互連,縮短了
發(fā)表于 04-24 10:08
芯片模塊封裝(MCM)、系統(tǒng)封裝(SIP)、系統(tǒng)上封裝(SOP)和嵌入式基板封裝方向發(fā)展。而嵌入式基板技術(shù)可與PCB技術(shù)緊密地結(jié)合在一起,實現(xiàn)三維高密度互連,縮短了
發(fā)表于 04-24 10:08
(SMT)、圓片規(guī)模集成(WSI)和多芯片模塊(MCM)技術(shù)在電路系統(tǒng)中的運用,使得電路節(jié)點的物理可訪問性正逐步削減以至于消失,電路和系統(tǒng)的可測試性急劇下降,測試費用在電路和系統(tǒng)總費用中所占的比例不斷
發(fā)表于 09-23 11:44
半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)英文版教材,需要的聯(lián)系我吧。太大了,穿不上來。
發(fā)表于 10-26 10:01
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義:將芯片凸點電極與載帶的引線連接,經(jīng)過切斷、
發(fā)表于 01-13 14:58
互連 等。1)自由空間光互連技術(shù)通過在自由空間中傳播的光束進行數(shù)據(jù)傳輸,適用于芯片之間或電路板之間這個層次上的連接,可以使互連密度接近光的衍
發(fā)表于 01-29 09:17
成為一個光束,并自動在兩個器件之間建立一個藕合光路。該技術(shù)的優(yōu)點是可以在不同形狀的器件間進行模式尺寸的轉(zhuǎn)換,降低制造費用特別是對軸方向的光學(xué)互連,且用叩進行模擬顯示,具有高的藕合效率和出色的對準誤差
發(fā)表于 01-29 09:19
的對準問題特別突出。雖然有很多的相關(guān)技術(shù)如有源和無源對準、自對準等,但都不是很理想。而且,很多的光互連技術(shù)是基于混合集成,光電芯片的單片集成困難很大。因此,光
發(fā)表于 01-29 09:21
。經(jīng)過近年的研究,一些用于光互連的分立器件的特性已經(jīng)接近于設(shè)計的指標,但是,對于分立器件的集成,至少在今后很長時間內(nèi),還是以采用混合集成的方法為主。2)基于與硅基的集成電路技術(shù)的兼容和成本等考慮,仍然會
發(fā)表于 01-29 09:23
件的技術(shù),并且在第3章中我們描述了互連材料和Si襯底間接觸孔的制造。本章將涉及
互連結(jié)構(gòu)本身的制造技術(shù)
發(fā)表于 08-09 16:02
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封裝工藝流程--芯片互連技術(shù)
發(fā)表于 12-05 13:53
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XSR 即 Extra Short Reach,是一種專為Die to Die之間的超短距離互連而設(shè)計的芯片間互連技術(shù)??梢酝ㄟ^芯粒互連(N
發(fā)表于 06-06 09:53
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