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淺談瑞盟科技·MS30517SA——單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-12-20 17:44 ? 次閱讀
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產(chǎn)品簡述

MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動

器件,能夠有效地驅(qū)動 MOSFETIGBT 開關 。

芯片的設計能夠大大減少擊穿電流,MS30517SA

能夠提供高峰值拉、灌電流脈沖,同時提供了軌到

軌驅(qū)動能力以及低傳播延遲(典型值為 13ns)。

MS30517SA 能夠承受 -5V 電壓輸入。

主要特點

?低成本柵極驅(qū)動器器件,提供 NPN 和 PNP 離

散解決方案的高品質(zhì)替代產(chǎn)品

?4A 峰值拉電流和灌電流對稱驅(qū)動

?低傳播延遲:13ns(典型值 )

?快速上升和下降時間:9ns 和 7ns(典型值 )

?TTL 和 CMOS 兼容邏輯閾值

(與電源電壓無關)

?雙輸入設計(選擇一個反相(IN- 引腳)

或者同相(IN+ 引腳)驅(qū)動器配置)

?工作溫度范圍:-40°C 至 125°C

?SOT23-5 封裝

應用

?開關模式電源

?直流到直流轉(zhuǎn)換器

?針對數(shù)字電源控制器的伴隨柵極驅(qū)動器器件

?太陽能、電機控制、不間斷電源 (UPS)

?寬帶隙電源器件(例如 GaN)的柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgZO2dpCxyADWfHAAAgNDJNEM4604.png

內(nèi)部框圖

wKgZO2dpCzOAawKNAABgfbMY_xc477.png

管腳圖

wKgZO2dpC0aAf_I8AAAo-sv98Wc650.png


管腳說明

wKgZO2dpC1qAcp2vAADuzat6iD8976.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應用方式會對器件造成永久的損壞,芯片長時間處于極限工作

狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZO2dpC3yAA3XvAAC5w2BAC4I513.png

推薦工作條件

wKgZPGdpDW-ATt6wAABBcNe1AxY248.png

電氣參數(shù)

wKgZO2dpDY-AcJbaAAH81IrGMDE614.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGdpDbGAEGDIAAFlLLpYl48711.png

wKgZPGdpDcSAF20GAACqZd8apQM307.png

功能描述

概述

MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件,能夠有效地驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 開關。 芯

片的設計能夠大大減少擊穿電流,MS30517SA 能夠提供高峰值拉、灌電流脈沖,同時提供了軌到軌驅(qū)

動能力以及低傳播延遲(典型值為 13ns)。

MS30517SA 可提供峰值為 4A 的拉/灌(對稱驅(qū)動)電流驅(qū)動能力,可以在 4.5V 至 18V 的電源電壓

范圍以及 -40°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)運行。 VDD 引腳上的內(nèi)部欠壓鎖定 (UVLO) 電路可在 VDD 低于欠

壓閾值時,使輸出保持低電平。 此器件能夠在低電壓(例如低于 5V)下運行,并且擁有同類產(chǎn)品中最

佳的開關特性,因此非常適用于驅(qū)動諸如 GaN 功率半導體器件等寬帶隙電源開關器件。

MS30517SA 采用雙輸入設計,可以靈活地用同一器件實現(xiàn)反相(IN-引腳)和同相(IN+引腳)配

置。IN+或 IN- 引腳用于控制驅(qū)動器輸出的狀態(tài)。未使用的輸入引腳用于使能和禁用功能。出于保護目

的,當輸入引腳處于懸空狀態(tài)時,輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻確保輸出保持低電平。因此,未

使用的輸入引腳不能懸空,必須進行適當偏置,以確保驅(qū)動器輸出使能正常工作。

MS30517SA 的輸入引腳閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容低壓邏輯。該邏輯是固定的,與 VDD 電源電壓

無關。高低閾值之間的寬遲滯特性提供出色的抗擾度。

MS30517SA 的特點和優(yōu)勢

wKgZPGdpDfeAC8goAAGL1ZBN0o4969.png

VDD 和 UVLO

MS30517SA 具有內(nèi)部欠壓閉鎖(UVLO)保護功能。當驅(qū)動器處于 UVLO 狀態(tài)時,無論輸入狀態(tài)如

何,該電路都會保持所有輸出為低電平。此器件能夠在低電壓(例如低于 5V)下運行,并且擁有同類

產(chǎn)品中最佳的開關特性,因此非常適用于驅(qū)動諸如 GaN 功率半導體器件等寬帶隙電源開關器件。

由于驅(qū)動器從 VDD 引腳汲取電流來偏置所有內(nèi)部電路,為了實現(xiàn)最佳高速電路性能,建議使用兩

個 VDD旁路電容來防止噪聲問題。建議使用表面貼裝元件。一個 4.7μF 陶瓷電容應盡可能靠近

MS30517SA 的 VDD 至 GND 引腳。此外,ESR 相對較低的電容(如 1μF)與之并聯(lián)并靠近連接,以幫助

提供負載所需的高電流峰值,達到預期電流水平和開關頻率,電容的并聯(lián)組合應呈現(xiàn)低阻抗特性。

wKgZO2dpDheACOSkAABUwcO7qB8563.png

工作電源電流

MS30517SA 具有極低的靜態(tài) IDD電流。典型工作電源電流是指在欠壓閉鎖(UVLO)狀態(tài)和全開狀態(tài)

(靜態(tài)和開關條件下)下的 IDD電流。器件完全開啟且輸出處于靜態(tài)時的 IDD電流,表示當器件的所

有內(nèi)部邏輯電路完全工作時的最低靜態(tài) IDD電流。總電源電流是靜態(tài) IDD電流、開關引起的平均 IOUT

電流以及與未使用的輸入引腳上的上拉電阻相關的任何電流之和。例如,當反相輸入引腳被拉低時,通

過上拉電阻從 VDD 電源汲取額外電流(參見內(nèi)部框圖)。已知工作頻率(fSW)和所用驅(qū)動電壓下的

MOSFET 柵極(QG)電荷,平均 IOUT電流可以計算為 QG和 fSW的乘積。

輸入級

MS30517SA 的輸入引腳基于 TTL 和 CMOS 兼容的輸入閾值邏輯,獨立于 VDD 電源電壓,該邏輯電

平閾值的設置可以同時兼容 3.3V 和 5V。與傳統(tǒng) TTL 邏輯方案相比,更寬的遲滯可提供更強的抗擾度。

MS30517SA 具有重要的保護功能,只要任何輸入引腳處于懸空狀態(tài),相應通道的輸出就會保持在

低電平狀態(tài)。這是通過在所有反相輸入(IN-引腳)上使用 VDD 上拉電阻或在所有同相輸入引腳(IN+

引腳)上使用 GND 下拉電阻來實現(xiàn)的。

MS30517SA 還具有雙路輸入配置,兩個輸入引腳可用于控制輸出狀態(tài)。輸出引腳的狀態(tài)取決于

IN+和 IN-引腳上的偏置。參考真值表和典型的應用圖。

一旦為 PWM 驅(qū)動選擇了一個輸入引腳,另一個輸入引腳(未使用的輸入引腳)必須適當偏置以

使能輸出。如前所述,未使用的輸入引腳不能保持懸空狀態(tài),因為只要有任何輸入引腳處于懸空狀

態(tài),輸出就會出于保護目的而被禁用?;蛘呶词褂玫妮斎胍_可以有效地用于使能/禁用功能。

使能功能

利用未使用的輸入引腳,MS30517SA 可以實現(xiàn)使能或禁用功能。當 IN+被拉低至 GND 或 IN–被拉

高至 VDD 時,輸出被禁用。因此,IN+引腳接高電平可使能邏輯引腳,而 IN–引腳接低電平可使能邏輯

引腳。

輸出級

當 VDD 為 12 V 時,MS30517SA 提供峰值為 4A 的拉/灌(對稱驅(qū)動)電流驅(qū)動能力。MS30517SA

輸出級采用混合上拉結(jié)構(gòu),利用 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 器件并聯(lián)排列。當輸出從低電平變?yōu)楦唠娖?/p>

時,MS30517SA 在很短的時間內(nèi)開啟 N 溝道 MOSFET,從而短暫提升峰值電流,實現(xiàn)快速開啟。

低傳播延遲

當 VDD 為 12V 時,MS30517SA 具有同類最佳的 13ns(典型值)輸入至輸出傳播延遲。在高頻開

關應用中,這是業(yè)界標準柵極驅(qū)動器器件中的最低脈沖傳輸失真水平。

功能模式

在正常模式下,輸出狀態(tài)取決于 IN+和 IN-引腳的狀態(tài)。不同輸入引腳組合的輸出狀態(tài)如下:

wKgZPGdpDtOAdiBdAAA1mpS9A4g759.png

典型應用圖

MS30517SA 的工作電源電壓為 4.5V 到 18V。在應用中,應在電源 VDD 端并聯(lián)一個 ESD 靜電放電

器件 D1,該器件的鉗位電壓為 18V 到 24V。為防止干擾,電源 VDD 端應接旁路電容 C1,該電容需靠

近 VDD 引腳,推薦陶瓷電容,電容值 4.7μF(電容值不低于 2.2μF)。

控制邏輯輸入端并聯(lián) ESD 靜電放電器件,D2 鉗位電壓應小于 6V,D3 鉗位電壓應大于控制輸入電

壓,小于或等于 18V(VIN

wKgZO2dpECaAAfPsAADdzrr2rI8968.png

封裝外形圖

SOT23-5

wKgZO2dpEEWAQ3_nAAEzEMjg12I528.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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