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引線鍵合檢測(cè)的基礎(chǔ)知識(shí)

芯長(zhǎng)征科技 ? 來(lái)源:芯長(zhǎng)征科技 ? 2025-01-02 14:07 ? 次閱讀
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引線鍵合檢測(cè)

引線鍵合完成后的檢測(cè)是確保產(chǎn)品可靠性和后續(xù)功能測(cè)試順利進(jìn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。檢測(cè)項(xiàng)目全面且細(xì)致,涵蓋了從外觀到內(nèi)部結(jié)構(gòu)的多個(gè)方面。

以下是對(duì)各項(xiàng)檢測(cè)項(xiàng)目的詳細(xì)分述:

目檢

球的推力測(cè)試

拉線測(cè)試

鍵合的失效可靠性

1

目檢

目檢是在顯微鏡下對(duì)完成品進(jìn)行的檢查,主要關(guān)注以下幾個(gè)方面:

焊球短路:確保金球與相鄰的金球或金屬引線之間無(wú)短路觸碰,避免電流異常流通。

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焊點(diǎn)的位置偏移:檢查金球是否在焊墊有效面積的75%以內(nèi),且金球與相鄰金球或金屬引線之間無(wú)觸碰,確保鍵合位置準(zhǔn)確。

焊球大小:最小球徑不得小于2倍線徑,最大球徑不得大于5倍線徑,避免過(guò)大或過(guò)小影響鍵合強(qiáng)度。

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第二焊點(diǎn)的魚(yú)尾大小:第二焊點(diǎn)(魚(yú)尾)的寬度和長(zhǎng)度需符合規(guī)定范圍,寬度不得小于1.2倍線徑或大于5倍線徑,長(zhǎng)度不得小于0.5倍線徑或大于3倍線徑,確保焊點(diǎn)形狀符合標(biāo)準(zhǔn)。

錯(cuò)焊:核對(duì)實(shí)際焊線位置與鍵合裝配圖的要求是否一致,避免誤焊導(dǎo)致功能異常。

線尾殘留:檢查線尾是否殘留并黏著在鋁墊上或手指區(qū)、銅板區(qū)、連接帶上,殘留長(zhǎng)度需符合規(guī)定范圍,避免影響后續(xù)工藝。

引線受損:檢查金屬引線本身和球頸部分是否存在受損、刮傷等,受損程度不得超過(guò)25%線徑,確保引線完整性。

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碰線、線距不足、塌線:檢查金屬引線之間或金屬引線與芯片之間是否存在短路,線弧與線弧、線弧與芯片邊緣、線弧與其他引腳之間的間距需符合規(guī)定,避免短路和塌線現(xiàn)象。

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鍵合線的弧度不良:檢查線弧的弧度是否在規(guī)格范圍內(nèi),避免弧度過(guò)大或過(guò)小影響鍵合效果和美觀。

漏焊線:核對(duì)鍵合裝配圖,確保規(guī)定應(yīng)該焊線的位置已正確焊線,避免漏焊導(dǎo)致功能缺失。

鍵合造成晶粒崩角、隱裂:檢查作業(yè)中是否因外力傷及晶粒實(shí)體,導(dǎo)致部分晶粒缺失損壞,影響芯片性能和可靠性。

第二焊點(diǎn)頸部斷裂:檢查第二焊點(diǎn)的頸部是否存在拉折、撕裂、裂痕等現(xiàn)象,確保焊點(diǎn)強(qiáng)度符合要求。

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通過(guò)目檢,可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)并排除潛在的缺陷和問(wèn)題,確保引線鍵合的質(zhì)量和可靠性。同時(shí),目檢也是后續(xù)檢測(cè)項(xiàng)目的基礎(chǔ)和前提,為后續(xù)檢測(cè)提供了重要的參考和依據(jù)。

2

球的推力測(cè)試

球的推力測(cè)試,也被稱作鍵合點(diǎn)強(qiáng)度測(cè)試,是評(píng)估引線鍵合質(zhì)量的重要手段。該測(cè)試旨在通過(guò)精確的推刀夾具和測(cè)試平臺(tái),模擬實(shí)際使用中可能遇到的剪切力,從而檢測(cè)焊球與芯片或基板之間的結(jié)合強(qiáng)度。

測(cè)試準(zhǔn)備與設(shè)備

推刀夾具:選用剛硬且精密的推刀夾具,確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

三軸測(cè)試平臺(tái):通過(guò)三軸測(cè)試平臺(tái),可以精確控制測(cè)試頭的移動(dòng),確保測(cè)試位置準(zhǔn)確無(wú)誤。

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測(cè)試角度:剪切工具與芯片表面應(yīng)呈90°±5°的夾角,以確保測(cè)試力的均勻分布。

傳感器:定期校準(zhǔn)的傳感器用于測(cè)量推力大小,其負(fù)載能力應(yīng)超過(guò)焊球最大剪切力的1.1倍,以確保測(cè)試的準(zhǔn)確性。

光學(xué)芯片與顯微鏡:高功率光學(xué)芯片和穩(wěn)定的雙臂顯微鏡用于輔助觀察測(cè)試過(guò)程,確保測(cè)試操作的精確性。

攝像系統(tǒng):配置攝像系統(tǒng)進(jìn)行加載工具與焊接對(duì)準(zhǔn)、測(cè)試后檢查、故障分析和視頻捕獲,便于后續(xù)分析和記錄。

失效模式與判定

焊球在推力作用下的失效模式多種多樣,主要包括以下幾種:

球脫模式:焊球整體脫離,可能包含或不包含形成的金屬間化合物(如銅鋁材料的殘留)

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焊接面殘留:經(jīng)推力作用后,焊球的焊接面會(huì)殘留銅鋁材料或僅殘留引線本身材料(如銅材料)

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焊墊金屬脫離:焊墊金屬?gòu)暮笁|上脫離,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)⑿酒幕撞牧蠋С?/p>

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推刀位置錯(cuò)誤:推刀位置設(shè)置過(guò)高可能推斷引線頸部,設(shè)置過(guò)低則可能將整個(gè)焊墊層推走

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通過(guò)球的推力測(cè)試,可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)并評(píng)估引線鍵合的強(qiáng)度和質(zhì)量問(wèn)題,為產(chǎn)品的可靠性和后續(xù)功能測(cè)試提供有力保障。同時(shí),該測(cè)試也是質(zhì)量控制和工藝改進(jìn)的重要依據(jù)。

3

拉線測(cè)試

拉線測(cè)試(Wire Pull)是一種用于監(jiān)控鍵合線弧質(zhì)量和工藝可靠性的重要測(cè)試方法。該測(cè)試通過(guò)施加拉力來(lái)評(píng)估鍵合線的強(qiáng)度,并確定其最弱位置。

測(cè)試位置與設(shè)備

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測(cè)試位置:拉線測(cè)試通常選擇在距離第一焊點(diǎn)或第二焊點(diǎn)1/3的位置進(jìn)行,以模擬實(shí)際使用中可能受到的拉力。測(cè)試位置的選擇應(yīng)確保能夠準(zhǔn)確反映鍵合線的強(qiáng)度。

測(cè)試設(shè)備:拉線測(cè)試需要使用專門(mén)的拉線鉤和測(cè)試設(shè)備,如拉力計(jì)或拉力測(cè)試機(jī)。這些設(shè)備能夠精確控制拉力的施加,并記錄測(cè)試過(guò)程中的數(shù)據(jù)。

測(cè)試方法

將拉線鉤移動(dòng)到焊線下方,并沿Z軸方向(即垂直于芯片表面的方向)向上拉扯。測(cè)試可以是破壞性的,即直到焊接被破壞;也可以是非破壞性的,即達(dá)到預(yù)先定義的力度后停止。

拉力范圍與評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)

拉力范圍:拉力的測(cè)試范圍通常根據(jù)具體需求而定,常見(jiàn)的范圍包括0~100g、0~1kg和0~10kg等。

質(zhì)量評(píng)判:拉線測(cè)試后,需要對(duì)鍵合引線的各個(gè)部分進(jìn)行質(zhì)量評(píng)判。評(píng)判內(nèi)容包括第一焊點(diǎn)的焊墊和焊球、球頸、鍵合引線、焊接位置以及第二焊點(diǎn)的線尾等。根據(jù)評(píng)判結(jié)果,可以確定鍵合線的強(qiáng)度和質(zhì)量是否符合要求。

第二焊點(diǎn)拉線力測(cè)試

測(cè)試目的:第二焊點(diǎn)拉線力測(cè)試是評(píng)估第二焊點(diǎn)鍵合強(qiáng)度的一種方法。它通過(guò)觀察拉線后殘留金屬的狀況,為工藝分析提供重要信息。

測(cè)試方法:進(jìn)行第二焊點(diǎn)拉線力測(cè)試時(shí),拉線鉤應(yīng)盡量靠近第二焊點(diǎn),以確保線弧在第二焊點(diǎn)處斷裂。該測(cè)試是破壞性的,通常不作為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng),但在特定情況下可用于分析工藝問(wèn)題。

4

鍵合的失效可靠性

在超聲波焊鍵合過(guò)程中,焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑是一種常見(jiàn)的缺陷現(xiàn)象,它指的是焊盤(pán)金屬層下方的二氧化硅層或其他層次受到破壞。彈坑通常肉眼難以察覺(jué),但其對(duì)電性能的影響卻不容忽視。

彈坑產(chǎn)生的原因

彈坑的產(chǎn)生源于多種因素,主要包括以下幾個(gè)方面:

超聲波能量過(guò)高:當(dāng)超聲波能量超過(guò)一定閾值時(shí),會(huì)導(dǎo)致硅晶格點(diǎn)陣的破壞,進(jìn)而形成彈坑。過(guò)高的能量輸入使得焊盤(pán)下方的材料無(wú)法承受,從而產(chǎn)生損傷。

鍵合壓力過(guò)大:在楔焊鍵合過(guò)程中,如果鍵合力過(guò)高,同樣會(huì)對(duì)焊盤(pán)下方的材料造成壓迫,導(dǎo)致彈坑的產(chǎn)生。

焊球尺寸不合適:如果焊球太小,堅(jiān)硬的鍵合工具在鍵合過(guò)程中可能會(huì)直接接觸到焊盤(pán)金屬層,而非通過(guò)焊球進(jìn)行緩沖,從而增加焊盤(pán)受損的風(fēng)險(xiǎn)。

焊盤(pán)厚度不足:焊盤(pán)的厚度是影響其抗損傷能力的重要因素。當(dāng)焊盤(pán)厚度小于一定值時(shí)(如0.6微米以下),其抵抗外力破壞的能力會(huì)顯著降低,更容易產(chǎn)生彈坑。

材料硬度不匹配:焊盤(pán)金屬和金屬引線的硬度如果匹配不當(dāng),也可能導(dǎo)致彈坑的產(chǎn)生。硬度差異過(guò)大時(shí),較軟的材料更容易受到損傷。

鋁絲超聲波焊鍵合的特殊性:在鋁絲超聲波焊鍵合中,由于鋁絲的硬度相對(duì)較高,如果工藝參數(shù)控制不當(dāng),也容易導(dǎo)致晶圓焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑。

芯片本身的問(wèn)題:芯片本身的質(zhì)量問(wèn)題,如材料缺陷、加工精度不足等,也可能導(dǎo)致彈坑的產(chǎn)生。

晶圓測(cè)試時(shí)的損傷:在晶圓測(cè)試過(guò)程中,如果探針操作不當(dāng),也可能刺傷焊墊,進(jìn)而引發(fā)彈坑問(wèn)題。

彈坑對(duì)可靠性的影響

彈坑的存在會(huì)嚴(yán)重影響鍵合的可靠性。首先,彈坑會(huì)破壞焊盤(pán)與金屬引線之間的電氣連接,導(dǎo)致電路性能下降或失效。其次,彈坑還可能成為潛在的裂紋源,隨著時(shí)間和環(huán)境的變化,裂紋可能逐漸擴(kuò)展,最終導(dǎo)致整個(gè)鍵合結(jié)構(gòu)的失效。

因此,在超聲波焊鍵合過(guò)程中,必須嚴(yán)格控制工藝參數(shù),確保焊盤(pán)、焊球、金屬引線等材料的匹配性,以及芯片本身的質(zhì)量。同時(shí),在晶圓測(cè)試和后續(xù)處理過(guò)程中,也需要采取適當(dāng)?shù)拇胧?,避免?duì)焊墊造成損傷。通過(guò)這些措施,可以有效降低彈坑產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn),提高鍵合的可靠性和穩(wěn)定性。

彈坑缺陷與化學(xué)腐蝕分析

彈坑是超聲波焊鍵合中常見(jiàn)的一種缺陷,它指的是焊盤(pán)金屬層下方的二氧化硅層或其他層次受到破壞。為了深入分析彈坑缺陷,通常需要進(jìn)行化學(xué)腐蝕分析。

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這一分析過(guò)程涉及將焊區(qū)的金屬鋁腐蝕掉,以觀察金屬間化合物的覆蓋率和焊區(qū)金屬層下方電路是否有損傷。

鍵合點(diǎn)的質(zhì)量與可靠性問(wèn)題

在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中,鍵合點(diǎn)可能會(huì)遇到多種問(wèn)題,如開(kāi)裂、翹起、尾部不一致以及剝離等。這些問(wèn)題可能由多種因素導(dǎo)致,包括引線通道不干凈、進(jìn)料角度不對(duì)、劈刀堵塞、引線夾污染、夾力或距離不正確、張力不正確等。此外,金屬間化合物的形成、引線彎曲疲勞、腐蝕、金屬遷移以及振動(dòng)疲勞等也是影響鍵合可靠性的主要原因。

影響鍵合可靠性的主要因素

焊接面絕緣層未去除干凈:如芯片鍵合區(qū)的光刻膠或窗口鈍化膜殘留,會(huì)導(dǎo)致金屬間鍵合不良,形成絕緣夾層,增加接觸電阻,降低鍵合可靠性。

金屬層缺陷:如芯片金屬層過(guò)薄、有合金點(diǎn)或黏附不牢固,會(huì)導(dǎo)致鍵合時(shí)無(wú)緩沖作用,形成缺陷,或壓焊點(diǎn)容易脫落。

表面沾污:各部件在各個(gè)環(huán)節(jié)均可能產(chǎn)生沾污,如灰塵、有機(jī)物、鈉等,會(huì)導(dǎo)致原子不能互相擴(kuò)散,影響鍵合質(zhì)量。

材料間接觸應(yīng)力不當(dāng):鍵合應(yīng)力過(guò)小會(huì)導(dǎo)致鍵合不牢,過(guò)大則會(huì)影響鍵合點(diǎn)的機(jī)械性能,甚至損傷芯片材料。

引線框架腐蝕:鍍層污染過(guò)多及較高的殘余應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致引線框架腐蝕,影響鍵合可靠性。


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原文標(biāo)題:一文了解引線鍵合檢測(cè)

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    引線鍵合 引線鍵合,又稱壓焊,是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測(cè)試良率具有決定性影響。 以下是對(duì)引線鍵合的分述: 引線鍵合概述
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:18 ?2072次閱讀
    <b class='flag-5'>引線鍵合</b>的<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>

    引線鍵合替代技術(shù)有哪些

    電氣性能制約隨著片外數(shù)據(jù)傳輸速率持續(xù)提升及節(jié)距不斷縮小,引線鍵合技術(shù)暴露出電感與串?dāng)_兩大核心問(wèn)題。高頻信號(hào)傳輸時(shí),引線電感產(chǎn)生的感抗會(huì)阻礙信號(hào)快速通過(guò),而相鄰
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    <b class='flag-5'>引線鍵合</b>替代技術(shù)有哪些

    什么是引線鍵合?芯片引線鍵合保護(hù)膠用什么比較好?

    引線鍵合的定義--什么是引線鍵合?引線鍵合(WireBonding)是微電子封裝中的關(guān)鍵工藝,通過(guò)金屬細(xì)絲(如金線、鋁線或銅線)將芯片焊盤(pán)與外部基板、引線框架或其他芯片的焊區(qū)連接,實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:11 ?639次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>引線鍵合</b>?芯片<b class='flag-5'>引線鍵合</b>保護(hù)膠用什么比較好?