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淺談瑞盟科技·MS1030——超聲波流量高精度測量電路

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2025-01-10 14:24 ? 次閱讀
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產(chǎn)品簡述

MS1030 是一款針對超聲波流量高精度測量電路,它具有高

精度,高穩(wěn)定性,高效率的特點。它的測量精度 15ps,測量范

圍 500ns ~ 4ms@4MHz。在第一波模式情況下,內(nèi)部比較器

offset 可編程范圍為±127mV,而且還另外增加了-128~124mV 的

比較偏置電壓;測量回波最多達 8 個回波脈沖。該電路的封裝

管腳和 MS1022 完全兼容,客戶在替換上非常便捷。

wKgZO2eAglKALaSzAABXbI-hjYE745.png

主要特點

流量測量單元

?測量精度高達 15ps,1LSB 達 3.8ps

?測量范圍 500ns 至 4ms @4MHZ

?最多可以測量 8 個回波信號,而且將 8 個回波信號測量值

進行累加并放入結果寄存器

?具有高精度脈寬檢測單元

模擬輸入電路

?內(nèi)嵌穩(wěn)定低漂移、精密比較器,失調(diào)電壓 1mV(典型)

?內(nèi)嵌可編程比較器偏置電壓,編程電壓-128~124mV

?內(nèi)嵌第一波檢測功能,且可編程偏置電壓達±127mV

?模擬部分在非測量時間進行關閉,功耗小于 50nA

脈沖發(fā)生單元

?內(nèi)嵌兩個脈沖發(fā)生器,單個最多可生成 127 個脈沖

?脈沖發(fā)生器發(fā)送脈沖頻率,從 62.5kHz~2MHz @4MHz

?脈沖發(fā)生器單個輸出電流可達 48mA 電流

?兩個脈沖輸出管腳具有單個反向功能

溫度測量單元

?2 個或 4 個溫度傳感器,

PT500/PT1000

?內(nèi)嵌施密特觸發(fā)器

?超低功耗(每 30 秒測量一次時

為 0.08μA)

其他功能

?上升或/和下降沿觸發(fā)測量

?高精度的 STOP 屏蔽窗口

?低功耗 32kHz 振蕩器(7μA)

?4 線 SPI 通信接口

?工作電壓 2.5V 至 3.6V

?工作溫度-40°C 至+125°C

?QFN32

應用

?超聲波水表

?超聲波熱量表

?超聲波氣表

?超聲波流量計

?超聲波風速儀

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgZO2eAgruASOeMAAAsIXs68tA281.png


管腳圖

wKgZPGeAhdmANwaeAACyf1FQuTs637.png

管腳說明

wKgZO2eAjIWAZErSAAJY2tzVVAc449.png

內(nèi)部框圖

wKgZO2eAjJ2AF6wCAAExvNXfP84084.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應用方式會對器件造成永久的損壞,芯片長時間處于極限工作

狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZO2eAjbWAX8hWAABqTXR_0cM211.png

推薦工作條件

wKgZO2eAjnmAFDCJAADOLuhZSzQ174.png

電氣參數(shù)

wKgZPGeAkFeAMn3WAAIFkGqsZWc549.png

wKgZPGeAkiOAaiakAAIOdt4UthM380.png

時序

如果沒有特別說明,以下特性參數(shù)均是在 VCC=3.3V±0.3V,環(huán)境溫度為-40°C?+85°C 條件下測量得到的。

wKgZO2eAkvqAenEDAALvBEminaY896.png

wKgZO2eAkxSAa3_BAAEhkY7vHPg196.png

電源電壓

MS1030 為高端數(shù)字模擬混合器件。為了達到最佳測量效果,好的電源非常重要。電源應該具有高

電容性和低電感性。

MS1030 提供兩對電源供應端口:

VIO - I/O 供電電壓

VCC - 內(nèi)核供電電壓

所有的 Ground 引腳都應該連接到印刷電路板的地層上。 VIO 和 VCC 應該通過一個電池或者固定

的線性電壓調(diào)節(jié)器給出。不要應用開關式的調(diào)節(jié)器,避免由于 IO 電壓引起的干擾。

時間數(shù)字轉換器能夠有好的測量效果,完全取決于好的電源供電。芯片測量主要是脈沖式的電

流,因此一個充足的雙通濾波非常重要:

VCC 47 μF (最小 22 μF)

VIO 100 μF (最小 22 μF)

電壓應用通過一個模擬的調(diào)節(jié)器給出,我們推薦不要使用開關式的電壓調(diào)節(jié)。

寄存器描述

操作碼及寄存器分配

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如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZO2eAlByAAN0vAAM-Vjac96M931.png

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wKgZO2eAmx2ADdaTAAQGwEJ0-Yc670.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGeAmyqASCSvAAErKNnuHqY246.png

功能描述

1. 流量測量概述

1.1 概述

流量測量是由模擬前端、數(shù)字 TDC、運算器(ALU)這幾部分組成,模擬前端主要負責信號的轉換和

傳遞到數(shù)字 TDC,數(shù)字 TDC 是以精密計數(shù)器和粗值計數(shù)器組成,負責將前端有效信號轉換為單位時

間,運算器是將數(shù)字 TDC 存儲的單位時間校準為基準時鐘相關的標準時間,并存儲到相應結果寄存

器,以下是簡單描述:

·測量精度可達 15ps,最小分辨率達 3.8ps (1LSB)

·最大的測量范圍可達 500ns?4ms @ 4MHz

·有 8 次 STOP 采樣能力,并將 8 次 STOP 進行累加

·測量結果都有獨立的結果寄存器

·在模擬模式下,可選擇第一波模式和非第一波模式測量

·可選上升/下降沿觸發(fā)

·STOP 通道有一個精度為 250ns 的可調(diào)窗口,可提供準確的 STOP 使能

1.2. 數(shù)字 TDC

數(shù)字 TDC 是以精密計數(shù)器和粗值計數(shù)器組成,精密計數(shù)器的測量精度可達 15ps,最小分辨率達

3.8ps (1LSB),精密計數(shù)器計數(shù)范圍是 0?2μs;而粗值計數(shù)器計數(shù)范圍是 500ns?4ms@ 4MHz。 TDC 的高

速單元并不測量整個時間間隔,僅僅測量從 START 或 STOP 信號到相鄰的基準時鐘上升沿之間的間隔

時間(精密計數(shù)器)。在兩次精密測量之間,TDC 記下基準時鐘的周期數(shù)(粗值計數(shù)器)。所以流量

測量結果是精密測量值和粗略測量值的總和。數(shù)字 TDC 具有 8 次 STOP 采樣能力,但每個 STOP 間隔不

小于 2×Tref。

wKgZPGeAv-mAPmVaAACDBMdGFBc753.png

wKgZPGeAv_2ABTlEAAM67soEiYI037.png

當 EN_ANALOG=1 時,內(nèi)部集成模擬電路輸入部分打開,這部分可作為數(shù)字輸入部分的一個替代

輸入。尤其是當設計超聲波熱量流量測量的時候,這個功能將會大大簡化整個電路的設計。信號將會

通過一個高通濾波耦合到輸入端,模擬信號可以從 STOP1 和 STOP2 兩個端口輸入,由于內(nèi)部比較器無

法以零點作為觸發(fā),比較器的觸發(fā)電壓被設置為 1/3 VCC。模擬選擇器將會根據(jù)測量的方向來選擇不同

的測量輸入。斬波穩(wěn)定比較器將會保證較低的電壓零點漂移(小于 2mV),這個是高質(zhì)量測量的前提

條件。而比較器的電壓零點漂移將會非常頻繁的在內(nèi)部通過斬波電路進行校正。如果溫度或者電壓隨

時間變化的話,那么電壓零點漂移將會自動被調(diào)整到小于 2 mV。

所有的元件都通過 MS1030 的控制單元進行控制。他們僅在測量的過程中開啟,從而來降低整體

測量功耗。

比較器的偏移電壓 offset 的設置可以以 4mV 為基礎進行,從 - 128mV 到 +124mV。這個設置是通

過寄存器 1 中參數(shù) offset, Bit 0-5 進行設置,以 2 的補碼形式給出。

另外當應用第一波的模式時,可以額外的設定第一個波識別的偏置電壓,設置可以以 2mV 為基礎

進行,從 - 128mV 到 +126mV。這個設置是通過寄存器 3 中參數(shù) wave_offs, Bit 6-12 進行設置,以 2 的

補碼形式給出。

wKgZO2eAw-KAOPTEAADVcTRaOiQ662.png

2. 流量測量模式

流量測量模式分為:數(shù)字測量模式,模擬測量模式,第一波測量模式,分別介紹這三種測量模式。

2.1 數(shù)字測量模式

2.1.1 數(shù)字測量概述

當“EN_ANALOG=0”時,選擇數(shù)字測量模式,在該測量模式下,開始信號從“START”管腳輸入,結束信

號從“STOP1”管腳輸入, STOP2 管腳無效,“START”和“STOP1”輸入信號均為數(shù)字信號,下圖為數(shù)字測量

波形圖,測量流程如下:

A、發(fā)送“TOF COMMADN”命令 0x01;

B、“START_CLKHS”為高速晶振延時,該延時是為了高速晶振從關閉模式到穩(wěn)定起振時間;

C、發(fā)送脈沖或者外部信號進行觸發(fā) START 信號,這時測量開始計時;

D、“DELVAL1”為 STOP 屏蔽窗口,設置時間根據(jù)用戶流程進行設置,設置時間不要超過回波返回時

間,以免出現(xiàn)溢出現(xiàn)象;

E、當“DELVAL1”屏蔽時間完成后,開始接收 STOP 信號,直到設置“HITIN”預期脈沖全部回來后不再接

收回波信號,這時 ALU 進行校準并保存數(shù)據(jù)到相應結果寄存器,最多可以接收 8 個回波信號,并且

將 8 個回波累加和放入結果寄存器,完成測試;

F、當整個測試完成后“INTN”管腳產(chǎn)生一個下降沿,通知 MCU 去處理數(shù)據(jù)。

wKgZO2eAxAaASXDWAABV-WIkLaA115.png

wKgZO2eAxB-AACqxAADc54pfVfg556.png

wKgZPGeAxDWAV92NAAFfmqaDaG8300.png

上圖為模擬測量波形圖,測量流程如下:

A、發(fā)送“TOF COMMADN”命令 0x01;

B、“START_CLKHS”為高速晶振延時,該延時是為了高速晶振從關閉模式到穩(wěn)定起振時間;

C、“TW2”為 STOP 采樣電容充電時間,使 STOP 端給采樣電容充電到 1/3VCC;

D、發(fā)送脈沖,根據(jù)“ANZ_FIRE”進行設置發(fā)送脈沖個數(shù),同時將發(fā)送的第一個脈沖觸發(fā) START 信號,

這時測量開始計時;

E、“DELVAL1”為回波屏蔽窗口,設置時間根據(jù)用戶流程進行設置,設置時間不要超過回波返回時間,

以免出現(xiàn)溢出現(xiàn)象;

F、offset 是可編程比較器偏置電壓,電壓范圍從-128mV?124mV;

G、當“DELVAL1”屏蔽時間結束后,比較器開始接收回波信號,當回波信號幅度超出“offset”偏置電壓

時,STOP 依次接收回波信號,直到設置“HITIN”預期脈沖全部回來后不再接收回波信號,這時 ALU 進

行校準并保存數(shù)據(jù)到相應結果寄存器,最多可以接收 8 個回波信號,并且將 8 個回波累加和放入結果

寄存器,完成一個測試;

H、當整個測試完成后“INTN”管腳產(chǎn)生一個下降沿,通知 MCU 去處理數(shù)據(jù)。

wKgZO2eAxEWAdbEbAADa3WSRGqU341.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGeAxFuAVj6aAAOTKNyzm7M940.png

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wKgZO2eAx_6ABW6zAAMcvbc1mC4159.png

3.3. 推薦使用的電容

為了能夠達到精確的測量效果,我們推薦用非常低 dC/dU 的電容。我們推薦使用 C0G 系列類型電

容或者太陽誘電公司的 CfCap 系列。

由于放電時間大概是 150μs. 因此電容應該選取下列值:

PT500: 220 nF

PT1000: 100 nF

設置 Tcycle = 1 以避免溢出錯誤;

在熱量表應用當中,請不要使用 X7R 或者相似的電容材料。

3.4. 電流消耗

采用 MS1030 進行溫度測量與采用 A/D 轉換器進行溫度測量相比,其電流消耗極低。

進行一次完整的溫度測量(2 個傳感器,2 個基準),包括所有的計算在內(nèi),其功耗小于 2.5μA/s。如

果每 30 秒進行一次溫度測量(熱量計的典型測量頻率),平均電流消耗 0.08μA ,比其他測量方法的

功耗的 1/50 還要小。PT500 傳感器將使電流加倍。

3.5. 錯誤檢測

溫度測量單元還具有檢查結果可用性的功能。它可以檢測傳感器是短路還是開路,然后 MS1030

將狀態(tài)寄存器的 11 或 12 位置 1,并對相應的結果寄存器寫入一個錯誤代碼。

·短路:相當于時間間隔太短(< 8 x Tref = 2μs @ 4MHz),MS1030 將會在結果寄存器中寫入 0x00。

·傳感器斷路:相當于沒有停止信號或時間溢出,MS1030 在輸出寄存器中寫入 0xFFFFFFFF。

注意:當選擇溫度測量的循環(huán)周期為 512μs (Tcycle = 1)時,必須使得 SEL_TIMO_MB2 時間大于 512μs,

否則得到的中斷標志(INTN)可能會是溢出結果。

wKgZO2eAylaAZHk3AADsf_S5Dos566.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

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wKgZPGeAyzaAOBTIAACs96OlXsY413.png

封裝外形圖

QFN32

wKgZO2eAzRaAd4nrAAEPpJNAjh8841.png

審核編輯 黃宇

——愛研究芯片的小王

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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