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效率突破30.22%,通過(guò)優(yōu)化HTL和采用SHJ底部電池實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池性能提升

美能光伏 ? 2025-01-17 09:03 ? 次閱讀
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在鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池中,使用硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池作為底部電池是實(shí)現(xiàn)高效率的最有前景的方法之一。目前,大多數(shù)高效疊層太陽(yáng)能電池使用厚的浮區(qū)(FZ)底部電池,這在工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)中并不經(jīng)濟(jì)。因此,研究者們致力于開(kāi)發(fā)更薄、雙面微紋理表面的Cz生長(zhǎng)SHJ底部電池,以提高光耦合效率并滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求。

研究背景


鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的光電特性,如高吸收系數(shù)、長(zhǎng)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度和可調(diào)帶隙,成為太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池通過(guò)將鈣鈦礦頂部電池和硅底部電池串聯(lián),能夠更有效地利用太陽(yáng)光譜,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。然而,要實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的疊層太陽(yáng)能電池,需要解決以下幾個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題:

界面工程:改善鈣鈦礦層與空穴傳輸層(HTL)之間的界面,減少非輻射復(fù)合損失,提高電荷提取效率。

光管理:優(yōu)化電池的光陷阱結(jié)構(gòu),提高光吸收效率,減少反射損失。

材料穩(wěn)定性:提高鈣鈦礦材料的穩(wěn)定性,確保電池在長(zhǎng)期運(yùn)行中的性能穩(wěn)定。

制造成本:開(kāi)發(fā)適合大規(guī)模生產(chǎn)的制造工藝,降低電池的制造成本。

潤(rùn)濕性改善


通過(guò)穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)測(cè)量接觸角測(cè)量,評(píng)估了不同PA對(duì)鈣鈦礦薄膜質(zhì)量和潤(rùn)濕性的影響。

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不同分子組合對(duì)潤(rùn)濕性及相關(guān)性能的影響

分子組合示意:圖a 為 Me-4PACz 與膦酰基乙酸(PAA)共吸附的示意圖,強(qiáng)調(diào)二者可能通過(guò)氫鍵形成更強(qiáng)的偶極-偶極相互作用,這種相互作用有助于改善HTL對(duì)鈣鈦礦的覆蓋性能。

PLQY 測(cè)量:使用Me-4PACz時(shí) PLQY略有增加,表明其對(duì)非輻射復(fù)合有一定抑制作用。

潤(rùn)濕性特征:添加 EPA、PAA 和 3 - SAA 可改善薄膜覆蓋,而 PMPA 和 TFMPMPA 雖能減少非輻射損失,但仍存在潤(rùn)濕性限制,3 - SAA 還導(dǎo)致非輻射損失增加。

表面自由能:Me-4PACz 涂覆的玻璃/ITO 基板潤(rùn)濕性明顯低于PAA,PAA使SFE從Me-4PACz的40增加到72mN/m,主要源于極性部分增加。兩步法旋涂 PAA 且中間不退火會(huì)大幅增加極性,退火可使Me-4PACz與ITO牢固結(jié)合,減少SFE變化。

接觸角測(cè)量:相比Me-4PACz,PAA樣品上的水接觸角更小,進(jìn)一步證明PAA可顯著提高表面潤(rùn)濕性,這對(duì)鈣鈦礦薄膜在HTL上的均勻沉積和覆蓋至關(guān)重要,有利于提升電池性能。

單結(jié)太陽(yáng)能電池的性能


制備單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,并使用不同的PA分子(PAA、PPA、PHA)和Me-4PACz的組合作為空穴傳輸層(HTL)。

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使用不同膦酸分子和Me-4PACz的組合對(duì)單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能的影響

鈣鈦礦層覆蓋情況:使用PAA時(shí)鈣鈦礦層的覆蓋顯著改善,減少了宏觀孔洞,降低了分流比例,從而提高了電池的產(chǎn)量和性能。

開(kāi)路電壓(VOC):隨著PA鏈長(zhǎng)的增加,VOC略有增加,表明PA的添加有助于提高VOC。

填充因子(FF):PA的添加顯著提高了FF,表明PA的添加有助于提高電荷提取效率和減少非輻射復(fù)合損失。

使用PAA和PHA時(shí),電池性能最佳,平均VOC為1.198 V,平均FF為84.3%。特別是PHA,不僅提高了VOC,還保持了高效的性能,表明PHA是進(jìn)一步優(yōu)化HTL層的有前景的材料。

電荷提取


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不同HTL組合對(duì)光生電荷載流子動(dòng)力學(xué)的影響

測(cè)量方法:樣品在515 nm激光激發(fā)下,以20 kHz的重復(fù)頻率進(jìn)行測(cè)量,初始載流子濃度相當(dāng)于約0.1 suns。

tr-PL 分析:在最初約400ns內(nèi),Me-4PACz或其與PAA的混合物的tr-PL衰減更明顯,這意味著它們能更有效地提取空穴,使光生載流子快速被提取,導(dǎo)致tr-PL快速衰減。而在較晚時(shí)間,其tr-PL衰減變慢,表明界面復(fù)合較低,減少了界面處的電荷復(fù)合,有助于提升電池性能。

tr-SPV 分析:Me-4PACz或其與PAA的混合物呈現(xiàn)負(fù)SPV信號(hào),表明空穴選擇性電荷轉(zhuǎn)移,空穴被傳輸至ITO中,約400ns后SPV瞬態(tài)達(dá)到最大振幅,標(biāo)志著從電荷提取向復(fù)合的轉(zhuǎn)變。與之不同,單獨(dú)使用PAA的樣品呈現(xiàn)持續(xù)且較小的正信號(hào),表明電子向ITO移動(dòng),可能是電子在 ITO/PAA/鈣鈦礦界面捕獲,或PAA具有輕微電子選擇性,說(shuō)明 PAA 單獨(dú)作為空穴選擇性傳輸層效率欠佳。

鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池


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鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)和性能

電池結(jié)構(gòu)示意:基于140μm Cz-Si的鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖,清晰呈現(xiàn)了從頂部Ag環(huán)、LiF(增透層)、鈣鈦礦層,到中間各功能層,再到底部 c - Si (n) 等層的堆疊順序,各層協(xié)同工作實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。

潤(rùn)濕性對(duì)比:通過(guò)接觸角測(cè)量,對(duì)比了亞微米紋理化和拋光正面的 SHJ 底部電池涂覆混合 PA 后的潤(rùn)濕性。在亞微米紋理表面,鈣鈦礦墨水的潤(rùn)濕性顯著提升,接觸角僅在初始時(shí)刻可測(cè),隨后墨水迅速鋪展覆蓋整個(gè)表面。這得益于微觀形貌降低了表面自由能,改善的潤(rùn)濕性有助于提高疊層電池的制備產(chǎn)量。

IV曲線:電池實(shí)現(xiàn)了較高的開(kāi)路電壓Voc達(dá)1.954V,填充因子FF為81.82%,短路電流密度Jsc為18.91mA/cm2,光電轉(zhuǎn)換效率PCE達(dá)到30.22%,展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

EQE光譜分析:使用量子效率測(cè)試儀測(cè)量外部量子效率(EQE)。測(cè)量范圍內(nèi),總短路電流密度Jsc為40.35mA/cm2,反射損失為2.23mA/cm2,寄生吸收為3.90mA/cm2。EQE 光譜表明兩個(gè)子電池未處于電流匹配狀態(tài),電池受硅基子電池限制,這種電流失配在一定程度上解釋了電池極低的滯后現(xiàn)象。

通過(guò)優(yōu)化空穴傳輸層(HTL)和采用雙面亞微米級(jí)紋理的硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)底部電池,顯著提高了鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池的性能。結(jié)合Me-4PACz和不同功能化的膦酸(PA)分子,不僅改善了鈣鈦礦薄膜的潤(rùn)濕性和覆蓋特性,還保持了高效的空穴提取和低非輻射復(fù)合損失,從而實(shí)現(xiàn)了30.22%的高效能,展示了這種結(jié)構(gòu)在高效太陽(yáng)能電池中的巨大潛力。

美能QE量子效率測(cè)試儀


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美能QE量子效率測(cè)試儀可以用來(lái)測(cè)量太陽(yáng)能電池的光譜響應(yīng),并通過(guò)其量子效率來(lái)診斷太陽(yáng)能電池存在的光譜響應(yīng)偏低區(qū)域問(wèn)題。它具有普遍的兼容性、廣闊的光譜測(cè)量范圍、測(cè)試的準(zhǔn)確性和可追溯性等優(yōu)勢(shì)。

兼容所有太陽(yáng)能電池類型,滿足多種測(cè)試需求

光譜范圍可達(dá)300-2500nm,并提供特殊化定制

  • 氙燈+鹵素?zé)?/span>雙光源結(jié)構(gòu),保證光源穩(wěn)定性

利用美能量子效率測(cè)試儀進(jìn)行外部量子效率(EQE)測(cè)量,可提供高精度的光譜響應(yīng)數(shù)據(jù),不僅驗(yàn)證了我們的優(yōu)化策略的有效性,還為未來(lái)進(jìn)一步提升電池效率和穩(wěn)定性提供了重要的指導(dǎo)。

原文出處:Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells Above 30% Conversion Efficiency on Submicron-Sized Textured Czochralski-Silicon Bottom Cells with Improved Hole-Transport Layers

*特別聲明:「美能光伏」公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。

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