近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。這些產(chǎn)品廣泛適用于光伏和風(fēng)能逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車及充電設(shè)施、不間斷電源(UPS)以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等場景。

本次推出的QSiC? 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具備高功率密度和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)勢，顯著降低了整體系統(tǒng)成本。這一系列產(chǎn)品采用了高可靠性設(shè)計(jì)，內(nèi)置的體二極管能夠在高達(dá)175°C的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。此外，所有器件均經(jīng)過超過1900 V的高電壓測試和600 mJ的UIL雪崩測試，確保在長時(shí)間使用中的穩(wěn)定性和安全性。

該系列產(chǎn)品提供多種封裝形式，包括裸片(GP2T030A170X)和帶有4引腳的TO-247-4L封裝(GP2T030A170H)，支持用戶根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇。此外，SemiQ還推出了符合汽車級AEC-Q101認(rèn)證的型號(AS2T030A170X和AS2T030A170H)，進(jìn)一步滿足汽車電子領(lǐng)域的高可靠性要求。

QSiC 1700 V SiC MOSFET系列憑借低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗和低電容特性，在行業(yè)內(nèi)樹立了新的性能標(biāo)桿。每個(gè)器件還通過了晶圓級老化測試(WLBI)，從而有效篩除可能存在潛在缺陷的器件，提升產(chǎn)品整體質(zhì)量。

具體而言，裸片和TO-247-4L封裝的產(chǎn)品具備564 W的功率耗散能力，連續(xù)漏極電流在25°C下為83 A(100°C下為61 A)，脈沖漏極電流在25°C下可達(dá)250 A。其導(dǎo)通電阻(RDSON)在25°C時(shí)為31 mΩ(125°C時(shí)為57 mΩ)，反向恢復(fù)時(shí)間(tRR)僅為17 ns，充分滿足高效能場景的應(yīng)用需求。

為了進(jìn)一步簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，SemiQ還推出了三款模塊化產(chǎn)品，包括采用S3封裝(標(biāo)準(zhǔn)62 mm半橋模塊)的模塊，以及兩款SOT-227封裝的功率模塊。這些模塊化設(shè)計(jì)不僅支持更高的功率密度，還具有便捷的安裝方式，可直接固定于散熱器上。

其中，62 mm半橋模塊的功率耗散能力高達(dá)2113 W，其連續(xù)漏極電流為397 A，脈沖漏極電流可達(dá)700 A，結(jié)殼熱阻僅為0.06°C/W，這使其成為高性能應(yīng)用中的理想選擇。而SOT-227模塊則兼具高功率輸出和低熱阻性能，最大功率耗散能力達(dá)到652 W，適用于要求高效散熱的應(yīng)用環(huán)境。

隨著碳化硅技術(shù)在電力電子領(lǐng)域的快速發(fā)展，SemiQ的1700 V SiC MOSFET系列為中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。憑借其高功率密度、高可靠性和多樣化選擇，該系列產(chǎn)品有望在光伏、儲能、充電設(shè)施等多個(gè)行業(yè)中發(fā)揮重要作用，助力我國新能源和電力電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)升級。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)(MCU)、觸摸芯片，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。