本文主要介紹磁性靶材磁控濺射成膜影響因素

磁控濺射作為一種重要的物理氣相沉積技術(shù)，在薄膜制備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。然而，使用磁性靶材（如鎳）時(shí)，其特殊的磁性質(zhì)會(huì)對(duì)濺射過(guò)程和成膜質(zhì)量產(chǎn)生顯著影響。本文深入探討了磁性靶材鎳在磁控濺射過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素，包括靶材磁性對(duì)磁場(chǎng)分布的作用、工藝參數(shù)的優(yōu)化、靶材特性、基片處理、濺射環(huán)境控制、系統(tǒng)配置調(diào)整以及薄膜應(yīng)力與后處理等方面，并提出了相應(yīng)的優(yōu)化策略，旨在為實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量鎳薄膜的高效制備提供理論支持和實(shí)踐指導(dǎo)。 磁控濺射技術(shù)憑借其操作簡(jiǎn)便、成膜質(zhì)量高、可重復(fù)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，成為制備各種功能薄膜的常用方法。在諸多靶材中，磁性靶材如鎳因其獨(dú)特的磁學(xué)、電學(xué)和力學(xué)性能，在電子器件、磁性存儲(chǔ)、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，磁性靶材的高磁導(dǎo)率會(huì)干擾磁控濺射設(shè)備的磁場(chǎng)分布，進(jìn)而影響等離子體的約束和濺射效率，給成膜過(guò)程帶來(lái)諸多挑戰(zhàn)。因此，深入研究磁性靶材鎳在磁控濺射過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)和影響成膜的因素具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

磁控濺射基本原理及磁性靶材面臨的問(wèn)題 磁控濺射是一種物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，其基本原理是在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的共同作用下，工作氣體（通常為氬氣）被電離形成等離子體，等離子體中的離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材表面，使靶材原子被濺射出來(lái)并沉積在基片上形成薄膜。對(duì)于磁性靶材鎳而言，由于其本身磁導(dǎo)率較高，會(huì)對(duì)磁場(chǎng)分布產(chǎn)生顯著影響。普通非磁性靶材在磁控濺射中，磁場(chǎng)能有效將電子約束在靶材表面附近，提高電離效率；但鎳靶會(huì)吸收或改變磁場(chǎng)分布，導(dǎo)致原有的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)被破壞，等離子體密度降低，濺射速率下降。 影響磁性靶材（鎳）磁控濺射成膜的因素 （一）靶材磁性對(duì)磁場(chǎng)分布的影響 磁場(chǎng)短路效應(yīng)：鎳等高磁導(dǎo)率材料會(huì)使磁場(chǎng)線更多地通過(guò)靶材內(nèi)部，而非在靶材表面形成閉合的環(huán)形磁場(chǎng)，導(dǎo)致表面磁場(chǎng)強(qiáng)度削弱，降低對(duì)電子的約束效果，進(jìn)而降低濺射效率。為克服這一問(wèn)題，可采取調(diào)整磁鐵配置的方法，如增強(qiáng)磁場(chǎng)強(qiáng)度、采用非平衡磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)，或者減小靶材厚度，以優(yōu)化磁場(chǎng)分布，確保在靶材表面形成足夠的磁場(chǎng)強(qiáng)度。 靶材刻蝕均勻性：磁場(chǎng)分布的改變可能導(dǎo)致靶材刻蝕區(qū)域不均勻，影響靶材的利用率，并可能引入顆粒污染?？赏ㄟ^(guò)旋轉(zhuǎn)靶材或優(yōu)化磁場(chǎng)設(shè)計(jì)，使刻蝕區(qū)域更加均勻，提高靶材的使用效率。 （二）工藝參數(shù)優(yōu)化 濺射功率：濺射功率直接影響濺射速率。功率過(guò)高會(huì)導(dǎo)致靶材過(guò)熱，甚至熔化，影響膜層質(zhì)量；功率過(guò)低則濺射速率太慢，成膜時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。因此，需要平衡濺射功率與冷卻效率，例如采用高效的水冷系統(tǒng)，確保靶材在合適的溫度下進(jìn)行濺射。 工作氣壓：工作氣體（氬氣）的壓力會(huì)影響濺射原子的平均自由程，進(jìn)而影響薄膜的均勻性和致密性。低壓（0.1 - 1 Pa）條件下，濺射原子平均自由程長(zhǎng)，沉積速率高，但薄膜均勻性可能較差；高壓（> 1 Pa）時(shí)，原子散射增加，沉積速率降低，但薄膜均勻性較好。在實(shí)際操作中，需根據(jù)具體需求選擇合適的氣壓。 基片溫度：基片溫度對(duì)原子的表面擴(kuò)散和薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)有重要影響。高溫有助于促進(jìn)原子的遷移，形成更致密的薄膜，但過(guò)高的溫度可能導(dǎo)致基片材料熱膨脹或與薄膜之間產(chǎn)生熱應(yīng)力問(wèn)題。通常將基片溫度控制在室溫至 300℃之間。 濺射時(shí)間：濺射時(shí)間直接關(guān)系到薄膜的厚度。時(shí)間越長(zhǎng)，膜層越厚，但過(guò)長(zhǎng)的濺射時(shí)間可能導(dǎo)致膜層應(yīng)力積累，出現(xiàn)開(kāi)裂或剝落現(xiàn)象。需根據(jù)濺射速率（如鎳的濺射速率約為 10 - 100 nm/min）合理調(diào)整濺射時(shí)間。 （三）靶材特性 純度與結(jié)構(gòu)：靶材的純度直接影響薄膜的性能。高純度靶材可減少雜質(zhì)摻雜，提高薄膜的電導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度等性能。此外，靶材的結(jié)晶狀態(tài)也會(huì)影響濺射過(guò)程，多晶靶材在濺射時(shí)可能比單晶靶材具有更均勻的濺射率。 表面狀態(tài)：靶材表面的氧化或污染會(huì)降低濺射效率。因此，需要定期對(duì)靶材進(jìn)行清潔或預(yù)濺射處理，以去除表面的氧化層和污染物。

（四）基片處理 清潔度：基片表面的清潔度對(duì)薄膜的附著力至關(guān)重要?？刹捎贸暡ㄇ逑椿虻入x子體處理等方法，去除基片表面的油污、灰塵等雜質(zhì)，增強(qiáng)膜基附著力。 表面粗糙度：適度的表面粗糙度（Ra < 1 nm）可提供更多的成核點(diǎn)，促進(jìn)薄膜的均勻生長(zhǎng)，但過(guò)高的粗糙度可能導(dǎo)致薄膜表面粗糙。 偏置電壓：施加 - 50 至 - 200 V 的偏置電壓可改變?nèi)肷涞交碾x子的能量，增強(qiáng)離子轟擊效應(yīng)，改善薄膜的致密性。但過(guò)高的偏置電壓可能導(dǎo)致薄膜損傷或應(yīng)力增加。 （五）濺射環(huán)境控制 反應(yīng)氣體摻雜：在一些情況下，會(huì)引入反應(yīng)氣體（如氧氣或氮?dú)猓┻M(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，以制備氧化物或氮化物薄膜。但在鎳的濺射過(guò)程中，引入反應(yīng)氣體時(shí)需要精確控制氣體比例（如 Ar:O? = 20:1），避免靶材表面被過(guò)度氧化或氮化，影響濺射速率和薄膜成分。 真空度：濺射腔室的真空度直接影響薄膜的純度。背景真空需優(yōu)于 5×10?? Pa，以減少殘余氣體對(duì)薄膜的污染。

（六）系統(tǒng)配置調(diào)整 靶基距：靶材與基片的距離（靶基距）對(duì)薄膜的沉積速率和均勻性有重要影響。通常將靶基距設(shè)定在 50 - 100 mm 之間，距離過(guò)近會(huì)導(dǎo)致沉積速率高但均勻性差，距離過(guò)遠(yuǎn)則均勻性較好但沉積速率降低。對(duì)于磁性靶材，需要根據(jù)其磁場(chǎng)變化情況優(yōu)化靶基距。 冷卻系統(tǒng)：高效的冷卻系統(tǒng)（如循環(huán)水冷）可防止靶材熱變形，確保濺射過(guò)程的穩(wěn)定性。 （七）薄膜應(yīng)力與后處理 內(nèi)應(yīng)力管理：濺射過(guò)程中高能粒子的轟擊會(huì)使薄膜內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，磁性材料由于其晶體結(jié)構(gòu)的不同，可能會(huì)產(chǎn)生更大的內(nèi)應(yīng)力，影響薄膜的附著力和機(jī)械性能?？赏ㄟ^(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)（如低功率、適當(dāng)偏壓）來(lái)減少薄膜的壓應(yīng)力或拉應(yīng)力。 退火處理：在 300 - 500℃進(jìn)行退火處理可釋放薄膜內(nèi)的應(yīng)力，并改善薄膜的結(jié)晶性，但退火過(guò)程可能會(huì)改變薄膜的磁性能。

綜上所述，通過(guò)系統(tǒng)地調(diào)整上述影響因素，可有效解決磁性靶材鎳在磁控濺射過(guò)程中面臨的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量鎳薄膜的高效制備，滿足電子、磁性存儲(chǔ)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅鼙∧さ男枨蟆Ｎ磥?lái)，還需要進(jìn)一步深入研究磁性靶材磁控濺射的微觀機(jī)制，探索更加有效的工藝優(yōu)化策略，推動(dòng)磁控濺射技術(shù)在磁性材料領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。