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快充電源芯片U876X的主要特性

開關(guān)電源芯片 ? 來源:開關(guān)電源芯片 ? 2025-02-10 15:56 ? 次閱讀
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快充電源芯片U876X產(chǎn)品型號有U8765/U8766,推薦最大輸出功率分別為65W/100W,集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。

快充電源芯片U876X主要特性:

●集成高壓 E-GaN

●集成高壓啟動功能

●超低啟動和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW

●谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)

●集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

●驅(qū)動電流分檔配置

●集成 Boost 供電電路

●集成完備的保護(hù)功能:

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù) (OVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

過流保護(hù) (SOCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

●封裝類型 ESOP-10W

SHENZHEN YINLIANBAO

快充電源芯片U876X腳位說明:

1 HV P 高壓啟動管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此快充電源芯片U876X通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流, 進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U876X 系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時,當(dāng)芯片工作于輕載模式時,將原邊開通速度減半,減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:快充電源芯片U876X可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能

文章出處:【微信號:gh_3980db2283cd,微信公眾號:開關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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