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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器,擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-03-12 10:44 ? 次閱讀
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兩款新型FET驅(qū)動(dòng)器有助于納秒級(jí)LiDAR應(yīng)用和50MHz DC / DC轉(zhuǎn)換器。

2018年3月8日,北京訊——德州儀器TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率,并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業(yè)內(nèi)最佳的驅(qū)動(dòng)速度以及1 ns的最小脈沖寬度,LMG1020 60-MHz低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器可在工業(yè)LIDAR應(yīng)用中使用高精度激光器。小型晶圓級(jí)芯片(WCSP)封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm,有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗,進(jìn)一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為高達(dá)200 V的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管而設(shè)計(jì)。該器件的可調(diào)死區(qū)時(shí)間控制功能能夠?qū)⒏咚貲C / DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、D類(lèi)音頻放大器及其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用效率提高多達(dá)5%。設(shè)計(jì)人員可利用超過(guò)300 V / ns的業(yè)內(nèi)最高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

·高速:這兩款器件可提供超高速傳播延遲(2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]),使電源解決方案比采用硅驅(qū)動(dòng)器快50倍。另外,LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖,實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程LIDAR應(yīng)用。

·高效率:這兩款器件均可實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)。 LMG1210提供1 pF的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶(hù)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制,可將效率提高多達(dá)5%。

·功率密度:LMG1210中的死區(qū)時(shí)間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)㈦娫闯叽缃档投噙_(dá)80%。功率密度增加的LMG1020,使LIDAR具有業(yè)內(nèi)最小封裝和最高分辨率。

TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)

LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員,從200V驅(qū)動(dòng)器到80V和600V功率級(jí)。憑借超過(guò)1,000萬(wàn)小時(shí)的GaN工藝可靠性測(cè)試,TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿(mǎn)足對(duì)成熟和即用型解決方案的需求,為GaN技術(shù)帶來(lái)數(shù)十年的硅制造專(zhuān)業(yè)技術(shù)和高級(jí)器件開(kāi)發(fā)人才。

在APEC上參觀TI展臺(tái)

TI將于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國(guó)國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)(APEC),并展示其廣泛的GaN產(chǎn)品組合以及GaN技術(shù)。

加快設(shè)計(jì)所需的支持和工具

設(shè)計(jì)人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評(píng)估模塊和SPICE模型快速輕松地評(píng)估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級(jí)參考設(shè)計(jì),快速開(kāi)始他們的氮化鎵設(shè)計(jì)。

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