Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉功能。兩個(gè)LGM3100器件可用來組成一個(gè)半橋，無需外部電平轉(zhuǎn)換器。GaN FET和驅(qū)動器元件具有內(nèi)置電源軌欠壓 鎖定 (UVLO) 保護(hù)和內(nèi)部自舉電源電壓箝位功能，可防止過驅(qū)動 (>5.4V)。Texas Instruments LMG3100R0x具有低功率和改進(jìn)的用戶接口。LMG3100R017是高頻、高效應(yīng)用的理想解決方案，其應(yīng)用包括降壓-升壓轉(zhuǎn)換器、LLC轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器、電信、電機(jī)驅(qū)動器、電動工具和D類音頻放大器。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 集成1.7mΩ ([LMG3100R017]或4.4mΩGaN FET/驅(qū)動器
• 額定電壓：100V連續(xù)電壓，120V脈沖電壓
• 集成的高側(cè)電平轉(zhuǎn)換和自舉功能
• 兩個(gè)LMG3100可組成一個(gè)半橋，無需外部電平轉(zhuǎn)換器
• 5V外部偏置電源
• 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
• 高壓擺率開關(guān)、低振鈴
• 開關(guān)能力高達(dá)10MHz的柵極驅(qū)動器
• 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅(qū)
• 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
• 低功耗
• 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于PCB布局
• 裸露頂部QFN封裝，用于頂部冷卻
• 底部大面積裸露焊盤，用于底部冷卻
• 零反向恢復(fù)

應(yīng)用

• 降壓、升壓和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
• LLC轉(zhuǎn)換器
• 太陽能逆變器
• 電信和服務(wù)器電源
• 電機(jī)驅(qū)動器
• 電動工具
• D類音頻放大器

規(guī)范

• 額定電壓：90V連續(xù)電壓
• 額定電壓：100V脈沖電壓
• 5V外部偏置電源
• 輸入邏輯電平：3.3V至5V
• 尺寸：6.5 mmx4 mmx0.89 mm

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