前言

下圖是本案例的功能框圖。

command.v文件對應(yīng)圖中SDRAM指令執(zhí)行模塊，它會從SDRAM接口控制模塊接收指令，然后產(chǎn)生控制信號直接輸出到SDRAM器件來完成所接收指令的動作。如下是該模塊的RTL視圖：

其具體代碼講解如下：

輸入信號INIT_REQ指示的是SDRAM上電等待的24000個時鐘周期，在這期間do_initial信號為高，系統(tǒng)只能發(fā)送NOP命令。

當初始化等待時間結(jié)束do_initial被拉低，首先確認在沒有其他指令進行中時，若有刷新請求，則do_refresh信號拉高。

然后確認在沒有其他指令進行中時，有讀請求時，do_reada信號拉高。

然后確認在沒有其他指令進行中時，有寫請求時，do_writea信號拉高。

然后確認在沒有其他指令進行中時，有預(yù)充電請求時，do_precharge信號拉高。

然后確認在沒有其他指令進行中時，有模式寄存器加載請求時，do_load_mode信號拉高。

當產(chǎn)生自動刷新命令、讀寫命令、預(yù)充電命令和模式加載命令時，系統(tǒng)會通過command_delay來延遲指令的有效執(zhí)行時間，確保指令能完整進行。除開突發(fā)讀/寫的情況，其他每個指令統(tǒng)一延遲8個時鐘周期后再延遲4個周期。

拿預(yù)充電命令舉例：

讀寫命令則是等待64個數(shù)據(jù)連續(xù)讀/寫完后，再延遲4個時鐘周期。拿讀命令舉例：

下面是地址端口、bank選擇和片選信號的處理。在初始化狀態(tài)，加載模式寄存器時是通過地址端口對寄存器進行賦值的。在激活操作時，地址端口發(fā)送行地址；在讀或者寫操作時，地址端口發(fā)送列地址。

command.v 模塊里面得到行地址rowaddr和列地址coladdr：

放大地址線SA波形可以看到，在行激活的時候發(fā)送的地址確實是0：

下面是RAS_N、CAS_N、WE_N信號的產(chǎn)生。

因為寫入 SDRAM 的數(shù)據(jù)與從 SDRAM 讀出的數(shù)據(jù)為共用傳輸引腳，為避免存取數(shù)據(jù)相沖，系統(tǒng)里設(shè)計了一個三態(tài)門電路（三態(tài)門電路的設(shè)計參考07-SDRAM控制器的設(shè)計——Sdram_Control.v代碼解析（后續(xù)發(fā)布），通過oe信號控制SDRAM 數(shù)據(jù)接口的輸入和輸出。oe信號的設(shè)計如下：

每次oe信號拉高超過64個時鐘周期，確保數(shù)據(jù)被正確寫入到SDRAM器件當中：

另外，讀命令和寫命令之前要先有激活命令，讀寫命令在激活命令的3個周期后發(fā)出，所以這里用個右移計數(shù)器計數(shù)3個周期：

do_wr信號波形如下：

PS: 本文波形來自文件~sdramcontroloutput_filescommand.stp。