一、應變片的由來

1. 科學發(fā)現(xiàn)：電阻應變效應（1856年）

應變片的誕生源于一項關(guān)鍵物理現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)。1856年，英國物理學家威廉·湯姆森（William Thomson，即開爾文勛爵）在研究金屬導線時，首次觀察到金屬材料在受力變形時電阻值會發(fā)生變化，這一現(xiàn)象被稱為電阻應變效應。這一發(fā)現(xiàn)為應變片的設(shè)計奠定了理論基礎(chǔ)，但受限于當時的技術(shù)水平，尚未實現(xiàn)實際應用。

2. 原型誕生：金屬絲應變片（1930年代）

20世紀30年代，美國工程師**愛德華·E·西蒙斯（Edward E. Simmons）和阿瑟·C·魯格（Arthur C. Ruge）**獨立研發(fā)出首款實用化應變片。他們使用直徑約0.025mm的康銅（銅鎳合金）絲繞制成柵狀結(jié)構(gòu)，并用膠水固定在紙基上，形成了最早的金屬絲應變片。這種設(shè)計首次實現(xiàn)了將機械應變轉(zhuǎn)換為可測量的電阻變化，并迅速應用于橋梁和飛機結(jié)構(gòu)的應力測試。

3. 技術(shù)突破：箔式應變片的發(fā)明（1952年）

金屬絲應變片存在靈敏度低、易斷裂等缺陷。1952年，美國BLH公司通過光刻蝕刻技術(shù)，在聚酰亞胺薄膜上制作出超薄金屬箔敏感柵，研發(fā)出金屬箔式應變片。這種新型應變片具有更薄的厚度（3-5μm）、更高的靈敏系數(shù)（K=2.1K=2.1），并可通過圖案設(shè)計優(yōu)化應變傳遞效率，成為現(xiàn)代應變片的標志性形態(tài)。

4. 材料革新：半導體與特殊場景應變片（1960年代后）

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展：

半導體應變片（1960年代）：利用硅、鍺等材料的壓阻效應，靈敏系數(shù)（K=100～150K=100～150）遠超金屬應變片，但需解決溫度漂移問題。

高溫應變片（1970年代）：采用卡瑪合金（Karma）或陶瓷基底，耐受溫度可達800°C，用于噴氣發(fā)動機熱端部件監(jiān)測。

光纖應變片（21世紀）：基于光纖布拉格光柵（FBG）技術(shù)，實現(xiàn)抗電磁干擾、長距離分布式測量。

二、應變片的工作原理

1. 核心原理：電阻應變效應

應變片基于電阻應變效應，即導體或半導體材料在機械變形時電阻值發(fā)生改變。其數(shù)學表達為：

（1）金屬應變片

幾何形變主導：金屬材料的電阻變化主要由長度（LL）和橫截面積（AA）的變化引起。根據(jù)公式 R=ρLAR=ρAL?，拉伸時 LL 增加、AA 減小，導致電阻增大。

應變系數(shù)：金屬的 KK 值通常為2.0左右，由幾何形變和泊松效應共同決定。

（2）半導體應變片

壓阻效應主導：半導體材料的電阻變化主要源于晶格變形引起的電阻率（ρρ）變化，其 KK 值可達100以上，靈敏度顯著高于金屬應變片。

2. 測量系統(tǒng)與信號處理

應變片通常接入惠斯通電橋電路，將電阻變化轉(zhuǎn)換為電壓信號：

電橋配置：1/4橋、半橋或全橋接法，全橋接法可提高靈敏度和抗干擾能力。

信號調(diào)理：通過放大器、濾波器消除噪聲，再經(jīng)模數(shù)轉(zhuǎn)換輸出應變值。

3. 溫度補償技術(shù)

應變片對溫度敏感，需采用補償措施：

補償片法：將同批次應變片粘貼于無應力試塊，與工作片組成差動電橋，抵消溫度影響。

自補償應變片：選用與待測材料熱膨脹系數(shù)匹配的敏感柵材料（如Karma合金），直接減少溫度誤差。

4. 特殊類型應變片

應變花：由多個敏感柵按不同方向排列（如0°-45°-90°），用于測量復雜應力狀態(tài)下的主應變。

薄膜應變片：采用濺射工藝在基底上沉積金屬或半導體薄膜，適用于微型化、高頻響應場景。

三、總結(jié)

應變片的發(fā)展史是材料科學與測量技術(shù)結(jié)合的典范。從早期金屬絲到現(xiàn)代半導體和光學應變片，其靈敏度和適用場景不斷拓展。工作原理上，金屬與半導體應變片分別通過幾何形變和壓阻效應實現(xiàn)應變-電信號轉(zhuǎn)換，輔以溫度補償技術(shù)提升精度。未來，隨著MEMS技術(shù)和智能傳感器的進步，應變片將在物聯(lián)網(wǎng)、智能結(jié)構(gòu)監(jiān)測中發(fā)揮更大作用。

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審核編輯 黃宇