P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、全隔離封裝便于直接散熱以及 100% UIS 測(cè)試等特性。
*附件:SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
- 超快開(kāi)關(guān)速度
- 零反向恢復(fù)電流
- 適用于高頻操作
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流
- 全隔離封裝,便于直接散熱
- 100% 經(jīng)過(guò) UIS 測(cè)試
優(yōu)勢(shì)
- 優(yōu)異的性能
- 減小系統(tǒng)體積
- 提升整體效率
- 減小散熱面積
- 車規(guī)級(jí)器件
- 降低系統(tǒng)成本
- 降低電磁干擾
應(yīng)用領(lǐng)域
最大額定值

熱特性

封裝外形

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發(fā)表于 09-24 16:22
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管
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開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅
SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS測(cè)試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅
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/DC轉(zhuǎn)換器等,滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基
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