SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速開關(guān)、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS測試等特性。
*附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 符合 AEC-Q101 標準
- 超快開關(guān)速度
- 零反向恢復電流
- 適用于高頻操作
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流
- 100% 經(jīng)過 UIS 測試
優(yōu)勢
- 提高系統(tǒng)效率
- 降低對散熱器的需求
- 基本無開關(guān)損耗
- 符合 RoHS 標準
- 器件并聯(lián)時不會出現(xiàn)熱失控現(xiàn)象
應用領(lǐng)域
最大額定值
熱特性
封裝外形
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發(fā)表于 09-24 16:22
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