概述
ADRF5026 是一款利用硅工藝制造的非反射單刀雙擲 (SPDT) 射頻 (RF) 開關。

ADRF5026 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz，具有優(yōu)于 3.8 dB 的插入損耗和 45 dB 隔離。ADRF5026 采用全關閉控制，兩個射頻端口均處于隔離狀態(tài)。ADRF5026 采用非反射設計，兩個射頻端口均在內部端接到 50 Ω。

ADRF5026 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 的雙電源電壓。此器件使用互補金屬氧化物半導體/低電壓晶體管-晶體管邏輯 (CMOS/LVTTL) 邏輯兼容控制。

ADRF5026 的引腳與 [ADRF5027] 低頻截止版本兼容，可在 9 kHz 至 44 GHz 的頻度范圍內工作。

ADRF5026 射頻端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。對于超寬帶產(chǎn)品，射頻發(fā)射線路上的阻抗匹配可以進一步優(yōu)化高頻插入損耗和回路損耗特性。有關在 28 GHz 至 43 GHz 頻率范圍內實現(xiàn) 2.4 dB 平坦插入損耗響應的匹配電路的示例，請參閱“窄帶阻抗匹配”部分。

ADRF5026 采用符合 RoHS 標準的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內工作。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5026 100MHz至44GHz硅SPDT非反射開關技術手冊.pdf

應用

• 工業(yè)掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G 毫米波
• 軍用無線電、雷達和電子對抗措施 (ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：100 MHz 到 44 GHz
• 非反射設計
• 低插入損耗：
  • 18 GHz 時為 1.2 dB
  • 26 GHz 時為 1.7 dB
  • 40 GHz 時為 2.4 dB
  • 44 GHz 時為 3.8 dB
• 高隔離
  • 18 GHz 時為 55 dB
  • 26 GHz 時為 53 dB
  • 40 GHz 時為 50 dB
  • 44 GHz 時為 45 dB
• 高輸入線性度
  • P1dB：27 dBm（典型值）
  • IP3：53 dBm（典型值）
• 高功率處理能力
  • 24 dBm 插入損耗路徑
  • 24 dBm 隔離路徑
• 全關閉狀態(tài)控制
• 無低頻雜散信號
• 0.1 dB 射頻建立時間：40 ns（典型值）
• 20 端子 3 mm × 3 mm LGA 封裝
• 引腳兼容 [ADRF5027]，低頻截止版本

框圖

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  引腳配置
  

ADRF5026-EVALZ評估板是一款4層評估板。外層銅(Cu)層厚度為0.5盎司(0.7密耳)，厚度為1.5盎司(2.2密耳)，由電介質材料隔開。圖15顯示了ADRF5026-EVALZ評估板的層疊圖。

所有RF和dc走線都布設在頂層銅層上，而內層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部電介質材料為8密耳Rogers RO4003，具有最佳高頻性能。中間和底部介電材料提供機械強度。整個電路板的厚度為62密耳，允許在電路板邊緣連接2.4毫米射頻發(fā)射器。