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ADRF5026 100MHz至44GHz硅SPDT非反射開關(guān)技術(shù)手冊

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概述
ADRF5026 是一款利用硅工藝制造的非反射單刀雙擲 (SPDT) 射頻 (RF) 開關(guān)。

ADRF5026 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz,具有優(yōu)于 3.8 dB 的插入損耗和 45 dB 隔離。ADRF5026 采用全關(guān)閉控制,兩個射頻端口均處于隔離狀態(tài)。ADRF5026 采用非反射設(shè)計,兩個射頻端口均在內(nèi)部端接到 50 Ω。

ADRF5026 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 的雙電源電壓。此器件使用互補金屬氧化物半導(dǎo)體/低電壓晶體管-晶體管邏輯 (CMOS/LVTTL) 邏輯兼容控制。

ADRF5026 的引腳與 [ADRF5027] 低頻截止版本兼容,可在 9 kHz 至 44 GHz 的頻度范圍內(nèi)工作。

ADRF5026 射頻端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。對于超寬帶產(chǎn)品,射頻發(fā)射線路上的阻抗匹配可以進一步優(yōu)化高頻插入損耗和回路損耗特性。有關(guān)在 28 GHz 至 43 GHz 頻率范圍內(nèi)實現(xiàn) 2.4 dB 平坦插入損耗響應(yīng)的匹配電路的示例,請參閱“窄帶阻抗匹配”部分。

ADRF5026 采用符合 RoHS 標(biāo)準的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝,并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內(nèi)工作。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADRF5026 100MHz至44GHz硅SPDT非反射開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

  • 工業(yè)掃描儀
  • 測試和儀器儀表
  • 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施:5G 毫米波
  • 軍用無線電、雷達和電子對抗措施 (ECM)
  • 微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
    特性
  • 超寬帶頻率范圍:100 MHz 到 44 GHz
  • 非反射設(shè)計
  • 低插入損耗:
    • 18 GHz 時為 1.2 dB
    • 26 GHz 時為 1.7 dB
    • 40 GHz 時為 2.4 dB
    • 44 GHz 時為 3.8 dB
  • 高隔離
    • 18 GHz 時為 55 dB
    • 26 GHz 時為 53 dB
    • 40 GHz 時為 50 dB
    • 44 GHz 時為 45 dB
  • 高輸入線性度
    • P1dB:27 dBm(典型值)
    • IP3:53 dBm(典型值)
  • 高功率處理能力
    • 24 dBm 插入損耗路徑
    • 24 dBm 隔離路徑
  • 全關(guān)閉狀態(tài)控制
  • 無低頻雜散信號
  • 0.1 dB 射頻建立時間:40 ns(典型值)
  • 20 端子 3 mm × 3 mm LGA 封裝
  • 引腳兼容 [ADRF5027],低頻截止版本

框圖

  • image.png
    引腳配置
    image.png

ADRF5026-EVALZ評估板是一款4層評估板。外層銅(Cu)層厚度為0.5盎司(0.7密耳),厚度為1.5盎司(2.2密耳),由電介質(zhì)材料隔開。圖15顯示了ADRF5026-EVALZ評估板的層疊圖。
image.png

所有RF和dc走線都布設(shè)在頂層銅層上,而內(nèi)層和底層是接地層,為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部電介質(zhì)材料為8密耳Rogers RO4003,具有最佳高頻性能。中間和底部介電材料提供機械強度。整個電路板的厚度為62密耳,允許在電路板邊緣連接2.4毫米射頻發(fā)射器。
image.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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