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ADRF5024 100MHz至44GHz硅SPDT反射式開關(guān)技術(shù)手冊

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概述

ADRF5024 是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關(guān),采用硅工藝制造。

該開關(guān)的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz,提供優(yōu)于 1.7 dB 的插入損耗和 35 dB 隔離性能。ADRF5024 的通過路徑和熱切換均具有 27 dBm 的射頻(RF)輸入功率處理能力。

ADRF5024 在 +3.3 V 正電源電壓和 -3.3 V 負電源電壓下分別消耗 14 μA 和 120 μA 的低電流。該器件采用互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) / 低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5024 與 ADRF5025(低頻截止版本)引腳兼容,工作頻率范圍為 9 kHz 至 44 GHz。

ADRF5024 RF 端口設(shè)計用于匹配 50 ? 的特征阻抗。對于超寬帶產(chǎn)品,RF 傳輸線路上的阻抗匹配可以進一步優(yōu)化高頻插入損耗和回波損耗特性。有關(guān)更多詳情,請參考“電氣規(guī)格”部分、“典型性能參數(shù)”部分和“應(yīng)用信息”部分。

ADRF5024 采用符合 RoHS 標準的 2.25 mm × 2.25 mm、12 引腳、基板柵格陣列(LGA)封裝,工作溫度范圍為 ?40°C 至 +105°C。

ADRF5024-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用(AQEC)
數(shù)據(jù)表:*附件:ADRF5024 100MHz至44GHz硅SPDT反射式開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

  • 工業(yè)掃描儀
  • 測試和儀器儀表
  • 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施:5G毫米波
  • 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
  • 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
    特性
  • 超寬帶頻率范圍:100 MHz至44 GHz
  • 反射式設(shè)計
  • 具有阻抗匹配的低插入損耗
    • 1.0 dB(典型值)至18 GHz
    • 1.4 dB(典型值)至40 GHz
    • 1.7 dB(典型值)至44 GHz
  • 不具有阻抗匹配的低插入損耗
    • 0.9 dB(典型值)至18 GHz
    • 1.7 dB(典型值)至40 GHz
    • 2.1 dB(典型值)至44 GHz
  • 高輸入線性度
    • P1dB:27.5 dBm(典型值)
    • IP3:50 dBm(典型值)
  • 高RF輸入功率處理
    • 通過路徑:27 dBm
    • 熱切換:27 dBm
  • 無低頻雜散
  • RF建立時間(50%VCTRL至0.1 dB的最終RF輸出):17 ns
  • 12引腳、2.25 mm × 2.25 mm LGA封裝
  • 與ADRF5025低頻截止版本引腳兼容
    ADRF5024-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用(AQEC標準)
  • 軍用溫度范圍(?55℃至+105°C)
  • 受控制造基線
  • 唯一封裝/測試廠
  • 唯一制造廠
  • 產(chǎn)品變更通知
  • 認證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供

功能框圖
image.png

功率降額曲線
image.png

引腳配置
image.png

ADRF5024-EVALZ是一款4層評估板。外層銅(Cu)層厚度為0.5盎司(0.7英里)至1.5盎司(2.2英里),由電介質(zhì)材料隔開。圖17顯示了評估板疊層。
image.png

所有RF和dc走線都布設(shè)在頂層銅層上,內(nèi)層和底層是接地層,為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部介電材料為8密耳Rogers RO4003,提供最佳高頻性能。中間和底部介電材料提供機械強度。整個電路板的厚度為62密耳,允許在電路板邊緣連接2.4毫米射頻發(fā)射器。
image.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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