N溝道MOSFET通過(guò)控制柵源電壓來(lái)控制源漏間電子通路的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵源電壓高于閾值電壓時(shí)，柵極下方會(huì)形成N型導(dǎo)電溝道，源極電子在電場(chǎng)作用下流向漏極，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，且改變柵源電壓可調(diào)節(jié)溝道寬窄和漏極電流。

增強(qiáng)型N溝道MOSFET在VGS = 0時(shí)截止，VGS大于閾值電壓（Vth）時(shí)才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；耗盡型N溝道MOSFET在VGS = 0時(shí)就存在導(dǎo)電溝道，施加反向電壓（VGS < 0）會(huì)使溝道變窄，VGS達(dá)到某負(fù)值時(shí)溝道消失，器件截止。增強(qiáng)型可以理解為常閉，需要有外來(lái)的電壓將它打開(kāi)，耗盡型可以理解為常開(kāi)，需要有外來(lái)的電壓將它關(guān)閉。

產(chǎn)品特性

合科泰半導(dǎo)體推出的N溝道MOSFET管HKTD50N03性能卓越，兼具超低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異的散熱性能等優(yōu)勢(shì)。它具備高效功率轉(zhuǎn)換和快速開(kāi)關(guān)能力，特別適用于低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及表面貼裝設(shè)備等應(yīng)用。其電學(xué)特性表現(xiàn)優(yōu)異，包括直流反向電壓30V、正向電流50A@25℃、正向涌浪電流112A、反向電流1μA@25℃以及正向電壓1.0V至3.0V。

HKTD50N03產(chǎn)品采用TO-252封裝，這是一種表面貼裝（SMD）形式。TO-252封裝的產(chǎn)品具有緊湊的尺寸、優(yōu)異的散熱性能和高可靠性，適合于在高密度電路板和自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)中使用。N溝道MOSFET具有非常好的電學(xué)性能，如超低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品。

產(chǎn)品應(yīng)用

HKTD50N03型號(hào)N溝道MOSFET的具有很好的功率處理能力和高效開(kāi)關(guān)性能，應(yīng)用特別地廣泛在低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及消費(fèi)電子產(chǎn)品等產(chǎn)品上，均可見(jiàn)到它的身影。

HKTD50N03產(chǎn)品具有很好的特性，它可以和電容、電阻、電感、二極管以及控制器IC等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成高效、穩(wěn)定的電路，可以實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換、負(fù)載控制、信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)控制以及能量管理等多種功能。