隨著半導體技術不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN)成為備受矚目的關鍵技術。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和功能,能實現(xiàn)高效的功率轉換、低能耗和高功率密度,廣泛應用于消費電子、工業(yè)、通信等多個領域,極大地推動了電子產品的升級和工業(yè)設備性能的提升。
意法半導體(ST)敏銳捕捉到這一技術的巨大潛力,在智能功率氮化鎵領域躬耕多年,成績斐然。
早在2020年,ST就率先將MasterGaN推向市場。ST憑借獨特的高壓氮化鎵驅動器和數(shù)字電源解決方案,目前已推出10種智能功率氮化鎵產品,比如MasterGaN 600V半橋驅動器、VIPerGaN 650V轉換器等。
ST具備獨特的電源功率轉換系統(tǒng)專業(yè)知識,不僅能提供整體解決方案和數(shù)字電源,還在向單片氮化鎵領域拓展。ST的戰(zhàn)略是將智能氮化鎵和數(shù)字電源相結合,以此提升系統(tǒng)在功率密度和環(huán)境可持續(xù)性方面的整體性能。
MasterGaN產品家族
MasterGaN產品架構如下圖所示:右邊為高邊/低邊兩個GaN晶圓,中間部分為高邊/低邊氮化鎵驅動,左邊為邏輯和保護功能。用戶使用MasterGaN系列,只需通過LIN和HIN兩個引腳(兼容3.3V~15V邏輯輸入電平)控制兩個管腳的開通和關斷,可以簡化設計,快速上手。
MasterGaN創(chuàng)新地將柵極驅動器和兩個增強模式的氮化鎵(GaN)晶體管以半橋結構集成在一起,帶來出色的產品特性:
結構緊湊:集成功率氮化鎵和線性穩(wěn)壓器,為低邊和高邊輸出級供電,讓產品結構精巧緊湊。
安全可靠:支持硬開關拓撲應用,低端和高端驅動部分都有欠壓鎖定(UVLO)保護,防止功率開關在低效或危險情況下工作;互鎖功能避免上下管共通,還有過溫保護,穩(wěn)定性拉滿。
易于設計:采用GQFN 9x9 mm2封裝,輸入引腳電壓范圍3.3V到15V,帶遲滯和下拉功能,方便和MCU、DSP或霍爾效應傳感器連接;專用關斷引腳,內部時序匹配精準,設計起來超方便。
目前,手機充電器功率一般為65W,筆記本適配器功率為200W或300W,因此MasterGaN系列非常適合手機充電器和筆記本適配器應用。華為、聯(lián)想等企業(yè)的筆記本適配器都采用了ST的氮化鎵產品,華為的66W超薄充電器,更是被評為世界上功率密度最高的充電器之一。
ST的600V MasterGaN系列產品亮點頗多。它采用QFN 9x9 mm2封裝,引腳對引腳可擴展,方便靈活使用。一個封裝里集成多個功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),適配半橋配置,目前已有7種產品量產:MasterGaN1/1L (150mR+150mR) 、MasterGaN2 (150mR+225mR) 、MasterGaN3 (225mR+450mR) 、MasterGaN4/4L (225mR+225mR) 、MasterGaN5 (450mR+450mR) ;功率覆蓋范圍45W-500W。其中MasterGaN4L、MasterGaN1L具備更低功耗特性,節(jié)能優(yōu)勢明顯。
VIPerGaN產品家族
VIPer系列產品能夠將交流電(AC),借助脈寬調制控制器(PWM Controller)和氮化鎵元件,再經過隔離和反饋電路,最終轉換為直流電(DC)輸出。
該系列產品功率在5W到100W之間。不同型號適用的拓撲結構包含降壓(Buck)、反激式初級端調節(jié)/次級端調節(jié)(Flyback PSR/SSR)以及反激式次級端調節(jié)(Flyback SSR)。
其中,VIPerGaN100、VIPerGaN65/65D、VIPerGaN50耐壓可達650V,瞬態(tài)最大耐壓可達850V,并已量產。VIPer系列產品市場表現(xiàn)十分亮眼。該系列產品累計出貨量已超40億個。
VIPerGaN在高壓轉換領域堪稱先驅產品,它集成了創(chuàng)新的脈寬調制(PWM)控制器以及650V氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),采用QFN 5x6封裝。
VIPerGaN特性十分豐富:
?擁有先進的準諧振反激控制器,支持多模式運行;
?具備650V的GaN HEMT,開關頻率最高可達240kHz,還帶有抖頻功能;
?內置高壓啟動發(fā)生器以及檢測場效應晶體管(FET);
?擁有內部軟啟動功能,針對寬輸出電壓進行了優(yōu)化;
?具備輸入電壓前饋補償功能,以實現(xiàn)與市電無關的過功率保護(OPP);
?采用谷底鎖定,確保恒定的谷底跳躍;
?無需外部VDD線性穩(wěn)壓器(僅需VDD輔助繞組);
?具備多種保護功能,包括輸入/輸出過壓保護(OVP)、橋臂輸入/輸出保護、過載和短路保護;
?帶有嵌入式過溫保護(OTP);
?具備動態(tài)消隱時間和可調節(jié)的谷底同步功能;還有自適應突發(fā)模式。
VIPerGaN不僅擁有更高的功率密度和效率,還能夠有效抑制電磁干擾(EMI),能讓PCB更輕巧緊湊,且能低溫運行。同時,它減少了磁性元件和EMI濾波器的使用,在BoM成本效益上表現(xiàn)出色,完全符合節(jié)能規(guī)定。該產品穩(wěn)定性好,能在小封裝中實現(xiàn)50W到100W的高功率輸出。
VIPerGaN應用廣泛,適用于小型化的快速充電器和適配器,在家電、工業(yè)、消費電子以及空調等領域都能大顯身手。
為幫助用戶加快設計,ST還推出了多款VIPerGaN評估板,適用于40W-100W功率范圍,是實現(xiàn)高效率、高功率密度以及出色電磁干擾(EMI)性能的最簡解決方案。
VIPerGaN50系列三款評估板:
?EVLVIPGAN50PD(3.0 USB-PD適配器),輸入電壓范圍90-265VAC,采用USB-PD輸出,峰值效率超92.4%,功率45W;
?EVLVIPGAN50FL(SSR隔離反激式);
?STDES-VIPGAN50FL(SSR隔離反激式)。
VIPerGaN65/65D系列三款評估板:
?EVLVIPGAN65PD(3.0 USB-PD適配器),輸入90-264VAC,峰值效率超93.5%,功率65W;
?EVLVIPGAN65DF(SSR隔離反激式);
?STDES-VIPGAN65F(3.0 USB-PD適配器)。
VIPerGaN100系列三款評估板:
?EVLVIPGAN100PD(3.0 USB-PD適配器),輸入90-264VAC,峰值效率超92.6%,功率100W;
?STDES-VGAN100F1(SSR隔離反激式);
?STDES-VIPGAN100F(SSR隔離反激式)。
此外,ST還推出了STDES-VIPGAN50FL工業(yè)級演示板,主要特性和目標規(guī)格包括:
?輸入電壓:交流輸入電壓范圍在176VAC到265VAC之間,頻率則處于47Hz到63Hz區(qū)間;
?輸出電壓:它是單路直流輸出,電壓為12VDC,輸出功率為12V/4.15A,最大能達到50W;
?外形尺寸:108mm(長)×68mm(寬)×16mm(頂層高度);
?卓越效率:當輸入為230Vac時,峰值效率大于94%;而且在230Vac輸入,負載分別為25%、50%、75%、100%的情況下,平均效率都大于94%;
?節(jié)能出色:在230Vac無負載時,功耗為100mW,能有效降低能源浪費;
?拓撲結構:采用準諧振(QR)操作,具備動態(tài)消隱時間和可調節(jié)的谷底同步延遲功能,任何輸入線路和負載條件下,都能實現(xiàn)最高效率(這里使用的是VIPerGaN50),同時還配備了自適應同步整流控制器(SRK1001);
?溫控優(yōu)秀:所有元件的溫升小于40°C,保證了產品的穩(wěn)定性和使用壽命。
該Demo板效率測試報告如下圖所示:
-
意法半導體
+關注
關注
31文章
3302瀏覽量
110736 -
晶體管
+關注
關注
77文章
10094瀏覽量
144748 -
氮化鎵
+關注
關注
63文章
1834瀏覽量
118899 -
GaN
+關注
關注
19文章
2277瀏覽量
78559
原文標題:MasterGaN與VIPerGaN:意法半導體雙劍合璧,引領智能GaN技術革新(文末有福利)
文章出處:【微信號:意法半導體工業(yè)電子,微信公眾號:意法半導體工業(yè)電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
評論