電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為一家成立于2017年的年輕公司，英韌科技自創(chuàng)立以來一直專注于存儲賽道，以成為全球存儲主控芯片的領(lǐng)軍企業(yè)為愿景。此次在MemoryS 2025存儲峰會上，英韌科技帶來了一款新的主控芯片，這顆芯片在技術(shù)上有了哪些突破？針對當(dāng)前洶涌而來的AI技術(shù)，又有哪些布局？為此，電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪到了英韌科技的CEO劉剛和數(shù)據(jù)存儲技術(shù)副總裁陳杰。

英韌科技CEO劉剛

英韌科技數(shù)據(jù)存儲技術(shù)副總裁陳杰博士

IG5222主控芯片，4K隨機(jī)讀寫破120萬IOPS

據(jù)劉剛介紹，當(dāng)前英韌科技員工規(guī)模在300人左右，其中70%以上為研發(fā)人員，這些人員基本來自于Marvell、東芝、戴爾等國際大廠，從業(yè)經(jīng)驗(yàn)基本在十年以上。近幾年，英韌科技業(yè)績增長迅猛，目前也是國家級專精特新小巨人及高新技術(shù)企業(yè)。

營收的高增長在于英韌科技當(dāng)前產(chǎn)品相對較為豐富，在7年間研發(fā)了10顆主控芯片。在消費(fèi)級芯片市場，英韌科技目前與國內(nèi)一線的模組廠都有合作，也進(jìn)入到了國內(nèi)外的OEM前裝市場；在企業(yè)級市場，產(chǎn)品上已經(jīng)全面適配長江存儲的顆粒，因此在國內(nèi)信創(chuàng)市場上，正處于高速增長的階段。

此次英韌科技帶來了一顆主控芯片IG5222，據(jù)陳杰博士透露，該芯片是一款PCIe Gen4 DRAMless主控芯片，相較以往的產(chǎn)品，該芯片優(yōu)勢在于具有更好的性能、更低的功耗和更小的芯片面積，因此該主控的性價比和能效比都非常高。

同時，在Gen4市場中，IG5222也刷新了性能的新指標(biāo)，比如在4K Random Read/ Write均超過120萬次IOPS，成為行業(yè)中新的標(biāo)桿。此外在兼容性、適配性和成熟度上也做了相應(yīng)的優(yōu)化。

據(jù)英韌科技的實(shí)測結(jié)果來看，該主控在 PCIe信道接收端實(shí)測的插入損耗冗余度，相比國際大廠性能提升了60%。因此，兼容性和可靠性遠(yuǎn)高于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn), 并全面支持Intel近期推出的 DLRM（動態(tài) PCIe 鏈路管理技術(shù)），確保在各種鏈路環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行，目前英韌科技已經(jīng)在今年年初全面通過了該項技術(shù)的測試驗(yàn)證。

在AI方面，該主控芯片也針對模型數(shù)據(jù)的實(shí)時加載做了一些優(yōu)化，例如PCIe 4.0主控芯片已經(jīng)全面支持NVMe?2.0，不僅進(jìn)一步優(yōu)化了HMB的性能，還增加了DOE（Data Object Exchange， 數(shù)據(jù)對象交換）功能，因此在針對一些數(shù)據(jù)中心及AI的計算中，對于大數(shù)據(jù)塊的高速傳輸，尤其是在一些傳輸加密數(shù)據(jù)的應(yīng)用場景下有著巨大的優(yōu)勢。

積極應(yīng)對AI對存儲帶來的新變化

而近期DeepSeek的爆火，英韌科技也非常關(guān)注其技術(shù)動向。陳杰博士表示，目前看到對存儲的影響，主要在針對高性能、高帶寬存儲需求的調(diào)整，例如HBM的需求有所下降，反映出AI算法優(yōu)化正改變算力對高性能存儲硬件的依賴。

由于DeepSeek主要是AI算法的優(yōu)化，因此為數(shù)據(jù)分層提供了一個可能，讓當(dāng)下存儲從“HBM+DDR”的模式，轉(zhuǎn)變?yōu)椤癉DR+SSD”的模式，這對于存儲控制器廠商而言將帶來巨大機(jī)遇。

從應(yīng)用場景來看，盡管DeepSeek擺脫了對“HBM+DDR”存儲架構(gòu)的強(qiáng)需求，但仍然對存儲海量數(shù)據(jù)、高帶寬、高密度有一定的要求。這就倒逼企業(yè)做出更為積極的應(yīng)對。

此外，從英韌科技的角度來看，盡管大容量和高帶寬存儲對于數(shù)據(jù)處理至關(guān)重要，但同樣不可忽視的是數(shù)據(jù)必須安全、可靠地存儲在介質(zhì)上。因此，在進(jìn)行控制器設(shè)計的第一天，英韌科技就特別注重數(shù)據(jù)的安全性和可靠性。確保數(shù)據(jù)不僅能夠快速有效地被訪問，同時也保證了數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)上的安全與穩(wěn)定，這是英韌科技設(shè)計產(chǎn)品時所堅持的核心原則之一。

在與浪潮信息的合作中，英韌科技的PCIe 4.0企業(yè)級產(chǎn)品，已成功部署到其元腦R1推理服務(wù)器當(dāng)中。由于其出色的讀寫性能和單盤存儲能力，幫助整機(jī)帶寬提升10%以上。在數(shù)據(jù)可靠性和穩(wěn)定性上，平均無故障時間（MTBF）較業(yè)界提升40%，誤碼率（UBER）達(dá)到10e-18，較同類產(chǎn)品降低90%，特別是智能動態(tài)溫控技術(shù)，能夠保障DeepSeek長時間負(fù)載不掉速且穩(wěn)定運(yùn)行。

值得一提的是，隨著市場對于大容量存儲需求的提升，閃存顆粒的物理容量也越來越大，將導(dǎo)致單盤存儲容量不斷增加，這就對存儲主控芯片的設(shè)計提出了新的挑戰(zhàn)。因?yàn)殡S著對大容量的支持，勢必要加入額外的硬件資源，因此會導(dǎo)致芯片的面積成本增加。

面對這一挑戰(zhàn)，英韌科技采用了創(chuàng)新性的思維，沒有去進(jìn)行簡單的硬件堆砌，而是采用自主研發(fā)的"硬件加速引擎"架構(gòu)開辟了差異化技術(shù)路徑。該方案通過深度優(yōu)化存儲協(xié)議處理流程，將關(guān)鍵算法模塊進(jìn)行硬件化設(shè)計，在保證功能完整性的同時，顯著降低了邏輯資源占用。因此，不僅避免了芯片面積不必要的增大，同時也提升了性能和效率。而能夠做到這一點(diǎn)，源自于英韌科技在存儲主控芯片領(lǐng)域深厚的積累與芯片架構(gòu)的深刻理解，才能完成這一技術(shù)上的創(chuàng)新。

針對未來市場，目前英韌科技已經(jīng)完成了PCIe 5.0芯片的布局，目前正在向著高端企業(yè)級SSD方向延伸。下一步的技術(shù)路線將會沿著PCIe接口速度持續(xù)迭代下去，同時推動閃存通道的高速接口的技術(shù)演進(jìn)，并有望在明年帶來PCIe 6.0的相關(guān)產(chǎn)品。