chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

昂洋科技 ? 來(lái)源:jf_78940063 ? 作者:jf_78940063 ? 2025-03-27 14:57 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析:

wKgZoWcMz2yAfF0gAACOvf5bh9Y876.png

一、MOS管的功耗計(jì)算

MOS管的功耗主要包括驅(qū)動(dòng)損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗三部分。

驅(qū)動(dòng)損耗(Pdr)

這是指驅(qū)動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)MOS管開關(guān)過(guò)程中所產(chǎn)生的損耗。驅(qū)動(dòng)損耗的大小與驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)、MOS管的柵極電容以及開關(guān)頻率等因素有關(guān)。

開關(guān)損耗(Psw)

開關(guān)損耗是MOS管在開關(guān)過(guò)程中由于電壓和電流的變化所產(chǎn)生的損耗。它包括開通損耗、關(guān)閉損耗以及二極管的反向恢復(fù)損耗。

開通損耗是指在MOS管開通瞬間,由于漏源極電壓和電流的同時(shí)變化所產(chǎn)生的損耗。

關(guān)閉損耗是指在MOS管關(guān)閉瞬間,同樣由于電壓和電流的變化所產(chǎn)生的損耗。

二極管的反向恢復(fù)損耗是指在MOS管關(guān)斷時(shí),其體二極管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)的過(guò)程中,由于反向恢復(fù)電流所產(chǎn)生的損耗。

導(dǎo)通損耗(Pc)

導(dǎo)通損耗是MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下由于導(dǎo)通電阻(RDS(on))所產(chǎn)生的損耗。它可以通過(guò)公式P=Id2×RDS(on)來(lái)計(jì)算,其中Id為導(dǎo)通電流,RDS(on)為導(dǎo)通電阻。

需要注意的是,上述損耗只是MOS管功耗的一部分,實(shí)際應(yīng)用中可能還需要考慮其他因素,如溫度對(duì)RDS(on)的影響、寄生參數(shù)的影響等。

二、MOS管的散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

為了確保MOS管在工作過(guò)程中能夠有效散熱,需要采取一系列散熱設(shè)計(jì)措施。以下是一些關(guān)鍵的散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn):

散熱片的選擇與設(shè)計(jì)

散熱片的形狀、尺寸和材料都會(huì)影響散熱效果。設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮散熱片的表面積、厚度和翅片數(shù)量等因素,以確保其能夠滿足MOS管的散熱需求。

散熱片應(yīng)盡可能與MOS管緊密接觸,以減少熱阻。可以使用散熱膏或散熱墊來(lái)填充MOS管與散熱片之間的微小空隙,提高熱傳導(dǎo)效率。

熱管的應(yīng)用

熱管是一種高效的熱傳導(dǎo)裝置,可以將熱量快速?gòu)臒嵩磦鲗?dǎo)到遠(yuǎn)離熱源的地方。在MOS管的散熱設(shè)計(jì)中,可以考慮使用熱管來(lái)加速熱量的傳遞和擴(kuò)散。

風(fēng)扇的使用

風(fēng)扇可以增加空氣流動(dòng),提高熱對(duì)流效率。在MOS管的散熱設(shè)計(jì)中,可以合理配置風(fēng)扇來(lái)加速熱量的散發(fā)。

綜上所述,MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的重要環(huán)節(jié)。在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求進(jìn)行綜合考慮和設(shè)計(jì)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    111

    文章

    2778

    瀏覽量

    75906
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1723

    瀏覽量

    100230
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    增強(qiáng)型MOS和耗盡型MOS之間的區(qū)別

    MOS,全稱?金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體?(MOSFET),是一種通過(guò)柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件。它屬于電壓控制型器件,輸入阻抗極高(可達(dá)1012Ω以上),具有低噪聲、低
    的頭像 發(fā)表于 01-05 11:42 ?254次閱讀
    增強(qiáng)型<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和耗盡型<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>之間的區(qū)別

    合科泰功率MOS的應(yīng)用指南

    在電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域,功率MOS是實(shí)現(xiàn)高效功率控制的核心器件。然而,工程師在應(yīng)用中常遇到參數(shù)選擇、導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算、PCB散熱設(shè)計(jì)等問(wèn)題,影響設(shè)計(jì)效率與系統(tǒng)可靠性。合科泰
    的頭像 發(fā)表于 12-03 16:32 ?1051次閱讀

    mos選型注重的參數(shù)分享

    的最高溫度。 10、熱阻(ReJC):MOS管內(nèi)部結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻,影響散熱性能。 11、安全工作區(qū)(SOA):確保MOS在瞬態(tài)條件下的安全操作范圍。 12、二次擊穿和熱穩(wěn)定性
    發(fā)表于 11-20 08:26

    MOS的典型應(yīng)用場(chǎng)景與技術(shù)實(shí)踐

    MOS 作為電壓控制型半導(dǎo)體器件,憑借輸入阻抗高、開關(guān)速度快、功耗低等特性,已成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的核心元件。從微型傳感器到大型電力設(shè)備,其應(yīng)用范圍之廣遠(yuǎn)超其他功率器件。本文將系統(tǒng)梳理
    的頭像 發(fā)表于 09-27 15:08 ?1210次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的典型應(yīng)用場(chǎng)景與技術(shù)實(shí)踐

    MOS實(shí)用應(yīng)用指南:選型、故障與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    在掌握MOS的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、原理與分類后,實(shí)際工程應(yīng)用中更需關(guān)注選型匹配、故障排查及驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化三大核心環(huán)節(jié)。本文將結(jié)合工業(yè)與消費(fèi)電子場(chǎng)景,拆解MOS應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 09-26 11:25 ?1890次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>實(shí)用應(yīng)用指南:選型、故障與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    MOS的連續(xù)電流ID計(jì)算示例

    在電子電路的設(shè)計(jì)中,MOS是一種極為重要的分立器件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。而在MOS的規(guī)格書中,連續(xù)電流ID這個(gè)參數(shù)備受關(guān)注。那么,
    的頭像 發(fā)表于 09-22 11:04 ?1266次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的連續(xù)電流ID<b class='flag-5'>計(jì)算</b>示例

    合科泰MOS在低功耗DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

    隨著便攜電子設(shè)備、智能可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端等設(shè)備的普及,對(duì)電源的需要也越來(lái)越普遍,而影響電源效率的低功耗DC轉(zhuǎn)換器成為了重點(diǎn)。合科泰生產(chǎn)的MOS為高效電源提供了應(yīng)用方案,以此提升設(shè)備系統(tǒng)整體的能效,以及運(yùn)行的可靠性。以下合科
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:44 ?724次閱讀

    如何準(zhǔn)確計(jì)算 MOS 驅(qū)動(dòng)電流?

    驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS開關(guān)過(guò)程的電流。在MOS的驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS
    的頭像 發(fā)表于 05-08 17:39 ?3760次閱讀
    如何準(zhǔn)確<b class='flag-5'>計(jì)算</b> <b class='flag-5'>MOS</b> <b class='flag-5'>管</b>驅(qū)動(dòng)電流?

    MOS損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證

    我一直想搞清楚MOS的開關(guān)損耗計(jì)算,在只知道驅(qū)動(dòng)MOS管芯片的輸出的驅(qū)動(dòng)電壓,MOS的規(guī)格書
    發(fā)表于 03-31 10:34

    電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-MOS和P-MOS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例

    MOS在電路設(shè)計(jì)中是比較常見的,按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話,有兩種,即:N-MOS和P-MOS。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 19:33 ?8462次閱讀
    電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和P-<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例

    MOS的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)的ESD(靜電放電)防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)對(duì)于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。以下是一些關(guān)鍵的防護(hù)措施與設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 03-10 15:05 ?1383次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>要點(diǎn)</b>

    MOS發(fā)燙嚴(yán)重:從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)

    在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中,MDDMOS嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS溫升達(dá)105℃,導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)解析發(fā)熱機(jī)理,結(jié)合實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),提供從散熱
    的頭像 發(fā)表于 03-05 11:41 ?1911次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>發(fā)燙嚴(yán)重:從<b class='flag-5'>散熱</b>設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)

    三極控制MOS為什么整體功耗偏大? #MOS #三極 #半導(dǎo)體 #電子 #功耗

    MOS
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年02月21日 17:15:34

    MOS的并聯(lián)使用:如何保證電流均流?

    在功率電子電路中,為了滿足大電流需求,常常需要將多個(gè)MOS并聯(lián)使用。然而,由于MOS參數(shù)的離散性以及電路布局的影響,并聯(lián)的MOS
    的頭像 發(fā)表于 02-13 14:06 ?4453次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的并聯(lián)使用:如何保證電流均流?

    詳解TOLL封裝MOS應(yīng)用和特點(diǎn)

    TOLL封裝MOS廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS
    的頭像 發(fā)表于 02-07 17:14 ?1998次閱讀