概述
HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的12引腳陶瓷無(wú)鉛芯片載體(LCC)封裝，可用作3 GHz至10 GHz范圍內(nèi)的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造，無(wú)需外部元件或匹配電路。HMC787A通過(guò)優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)隔離性能，采用17 dBm的LO驅(qū)動(dòng)電平工作。陶瓷LCC封裝無(wú)需線焊，與高容量表貼制造技術(shù)兼容。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC787A GaAs MMIC基波混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

HMC787AG是一款通用型雙平衡混頻器，可用作3 GHz至10 GHz頻率范圍的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造，無(wú)需外部元件或匹配電路。

HMC787AG通過(guò)優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)提供高本振(LO)至RF及LO至中頻(IF)隔離性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驅(qū)動(dòng)電平工作。

特性
HMC787ALC3B

• 轉(zhuǎn)換損耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時(shí)）

• 本振(LO)至射頻(IF)隔離：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時(shí)）

• RF至中頻(IF)隔離：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz時(shí)）

• 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時(shí)）

• 輸入1 dB壓縮點(diǎn)(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時(shí)）

• 輸出二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz時(shí)）

• 無(wú)源雙平衡拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

• 寬IF頻率范圍：DC至4 GHz

• 12引腳、陶瓷、無(wú)鉛芯片載體(LCC)封裝

HMC787AG（芯片）
下變頻器* 變頻損耗

• 8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
• 10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• LO至IF隔離
  • 44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• RF至IF隔離
  • 21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 輸入IP3
  • 22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 輸入P1dB
  • 15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 無(wú)源雙平衡拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
• 寬IF頻率范圍：DC至4 GHz
• 6焊盤(pán)、裸片[芯片]

框圖

應(yīng)用

• 微波無(wú)線電
• 工業(yè)、科研和醫(yī)療(ISM)頻段和超寬頻段(UWB)無(wú)線電
• 測(cè)試設(shè)備和傳感器
• 軍用最終用途

引腳配置描述

接口示意圖

典型應(yīng)用電路

圖49展示了HMC787A的典型應(yīng)用電路。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳內(nèi)部已實(shí)現(xiàn)交流耦合。如果不需要直流中頻（IF）工作，建議在IF端口使用一個(gè)交流耦合電容。如果需要直流IF工作，請(qǐng)勿超過(guò)“絕對(duì)最大額定值”部分中規(guī)定的IF源電流和灌電流數(shù)值。

應(yīng)用中使用的電路板必須采用射頻電路設(shè)計(jì)技術(shù)。信號(hào)線必須具有50Ω的阻抗，封裝接地引腳和外露焊盤(pán)必須直接連接到接地層，類似于圖50中所示。使用足夠數(shù)量的過(guò)孔連接頂層和底層接地層。圖50中所示的評(píng)估電路板可應(yīng)要求從亞德諾半導(dǎo)體公司（Analog Devices, Inc.）獲取。