這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內(nèi)存市場，DDR5內(nèi)存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰。

業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會有HBM 3內(nèi)存，2024年則會有HBM 4內(nèi)存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。

對于HBM內(nèi)存，DIY玩家可以說也是相當熟悉了，AMD在2015年的Fury系列顯卡上首次商用第一代HBM技術(shù)，超高的帶寬、超低的面積占用徹底改變了當時的顯卡設(shè)計，隨后NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技術(shù)，不過消費級市場上使用HBM 2技術(shù)還是AMD去年的RX Vega顯卡，但是因為HBM 2顯存的成本太過昂貴，RX Vega上實際上使用了兩組4GB HBM 2，等效位寬比第一代減少一半，盡管頻率大幅提升，所以實際帶寬反而低了一些。

見識過HBM的玩家對該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點，在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。

根據(jù)他分享的一些數(shù)據(jù)，HBM 2內(nèi)存將在2018年大量應用，HBM 3將在2020年左右應用，改進版的HBM 3+技術(shù)在2022年應用，2024年則會有HBM 4內(nèi)存，帶寬及容量也會逐級增長，比如現(xiàn)在的HBM 2內(nèi)存，核心容量可達8Gb，通過TSV技術(shù)可以實現(xiàn)每個CPU支持64GB HBM2內(nèi)存，每路插槽的帶寬可達2TB/s，而到了HBM 4時代，每個CPU支持的容量可達512GB，帶寬超過8TB/s。作為對比的話，目前AMD的EPYC處理器支持8通道DDR4內(nèi)存，雖然最高容量能達到2TB，但是帶寬不過150GB/s左右，與HBM內(nèi)存相比就差遠了。

按照他的觀點，在一些需要高帶寬的場合中，HBM技術(shù)無疑遠勝DDR內(nèi)存，所以他說的DDR內(nèi)存將死在這方面是成立的，比如HPC高性能計算機行業(yè)就非常需要HBM。不過話說回來，DDR將死這個判斷并不適合桌面市場，HBM技術(shù)雖然各種好，但是現(xiàn)在來看成本問題一時半會都沒法解決.

目前能生產(chǎn)HBM內(nèi)存的廠商只有三星、SK Hynix，美光因為有HMC技術(shù)，對HBM并不怎么熱心，所以HBM降低成本的過程將是漫長的，對桌面級玩家來說DDR4很長一段時間內(nèi)都不會過時，2020年左右會開始推DDR5內(nèi)存，所以三五年內(nèi)我們是看不到DDR內(nèi)存被HBM干掉的可能的。