這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。
*附件：csd18511q5a.pdf

特性

• 低 RDS（開啟）
• 低熱阻
• 雪崩評級
• 邏輯電平
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ?低導通電阻?：RDS(on)在VGS=10V時為1.9mΩ，有助于減少功率損耗。
• ?低熱阻?：結(jié)到殼熱阻RθJC為1.2°C/W，有助于散熱。
• ?雪崩能力?：支持雪崩模式工作，具有較高的耐雪崩能量。
• ?邏輯電平?：適合邏輯電平驅(qū)動，簡化電路設計。
• ?環(huán)保特性?：無鉛端子鍍層，符合RoHS標準，無鹵素。

2. 應用領(lǐng)域

• ?DC-DC轉(zhuǎn)換?：適用于各種DC-DC轉(zhuǎn)換器，提高能量轉(zhuǎn)換效率。
• ?次級側(cè)同步整流?：在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為次級側(cè)同步整流器使用。
• ?電池電機控制?：適用于電池供電的電機控制應用。

3. 產(chǎn)品描述

CSD18511Q5A是一款40V、1.9mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，采用5mm×6mm的SON塑料封裝。該器件專為最小化功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗而設計，具有低導通電阻、低熱阻和雪崩能力等特性。

4. 規(guī)格參數(shù)

4.1 電氣特性

• ?漏源電壓?：VDS最大值為40V。
• ?柵源閾值電壓?：VGS(th)的典型值為1.8V。
• ?漏源導通電阻?：RDS(on)在VGS=4.5V時為2.7mΩ，在VGS=10V時為1.9mΩ。
• ?柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為63nC。

4.2 熱信息

• ?結(jié)到殼熱阻?：RθJC為1.2°C/W。
• ?結(jié)到環(huán)境熱阻?：RθJA為50°C/W（在1英寸2、2盎司的銅墊上）。

5. 典型MOSFET特性

• ?瞬態(tài)熱阻抗?：展示了器件在脈沖條件下的熱阻抗特性。
• ?飽和特性?：展示了在不同柵源電壓下的漏源電流與漏源電壓關(guān)系。
• ?轉(zhuǎn)移特性?：展示了柵源電壓與漏極電流的關(guān)系。
• ?柵極電荷?：展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
• ?電容特性?：展示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容與柵源電壓的關(guān)系。

6. 設備與文檔支持

• ?文檔更新通知?：用戶可以通過TI官網(wǎng)的產(chǎn)品文件夾接收文檔更新通知。
• ?社區(qū)資源?：提供了TI E2E?在線社區(qū)的鏈接，供工程師交流問題和解決方案。
• ?靜電放電警示?：提醒用戶注意靜電放電保護，以防損壞MOS柵極。

7. 包裝與訂購信息

• ?封裝類型?：5mm×6mm的SON塑料封裝。
• ?訂購信息?：提供了器件的訂購編號、封裝類型、引腳數(shù)、包裝數(shù)量等信息。