這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET，同時(shí)大幅減小基底面尺寸。
*附件：CSD13380F3 12V N 溝道 FemtoFET MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 低導(dǎo)通電阻
• 超低 Qg和 QGD
• 高工作漏電流
• 超小尺寸
  • 0.73 毫米 × 0.64 毫米
• 低調(diào)
  • 最大高度 0.36 mm
• 集成 ESD 保護(hù)二極管
  • 額定 > 3 kV HBM
  • 額定> 2 kV CDM
• 無鉛和無鹵素
• 符合 RoHS 規(guī)范

參數(shù)

1. 產(chǎn)品特性

• ?超低導(dǎo)通電阻?：在V_GS = 4.5V時(shí)，R_DS(on)僅為63 mΩ。
• ?超低柵極電荷?：總柵極電荷Q_g為0.91 nC，柵極到漏極電荷Q_gd為0.15 nC，有助于減少開關(guān)損耗。
• ?高工作漏極電流?：連續(xù)漏極電流I_D為3.6A，脈沖漏極電流I_DM可達(dá)13.5A。
• ?超小封裝?：0.73 mm × 0.64 mm的LGA封裝，最大高度僅0.36 mm。
• ?集成ESD保護(hù)二極管?：人體模型（HBM）額定值>3 kV，充電器件模型（CDM）額定值>2 kV。
• ?環(huán)保合規(guī)?：無鉛、無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?負(fù)載開關(guān)應(yīng)用?：適用于需要快速開關(guān)和低損耗的場景。
• ?通用開關(guān)應(yīng)用?：廣泛適用于各種電子設(shè)備中的開關(guān)電路。
• ?電池應(yīng)用?：適用于電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)和保護(hù)電路。
• ?手持和移動(dòng)設(shè)備?：由于其超小封裝和低功耗特性，非常適合手持和移動(dòng)設(shè)備。

3. 產(chǎn)品描述

CSD13380F3是一款63 mΩ、12V N溝道FemtoFET? MOSFET，專為最小化手持和移動(dòng)設(shè)備中的占板面積而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的工藝技術(shù)，能夠替換標(biāo)準(zhǔn)的小信號(hào)MOSFET，同時(shí)顯著減小封裝尺寸。

4. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：包括漏源擊穿電壓BV_DSS、漏源泄漏電流I_DSS、柵源泄漏電流I_GSS、閾值電壓V_GS(th)等。
• ?動(dòng)態(tài)特性?：涵蓋輸入電容C_iss、輸出電容C_oss、反向傳輸電容C_rss、柵極電阻R_G、柵極電荷Q_g等，這些參數(shù)影響開關(guān)速度和效率。
• ?二極管特性?：包括體二極管正向電壓V_SD和反向恢復(fù)電荷Q_rr，對(duì)整流和續(xù)流應(yīng)用至關(guān)重要。

5. 熱信息

• ?熱阻?：提供了兩種條件下的結(jié)到環(huán)境熱阻R_θJA，分別為90°C/W（最大銅面積）和255°C/W（最小銅面積），幫助用戶設(shè)計(jì)有效的散熱方案。

6. 封裝和訂購信息

• ?封裝類型?：0.73 mm × 0.64 mm的LGA封裝。
• ?訂購選項(xiàng)?：提供不同卷帶長度的訂購選項(xiàng)，如3000個(gè)/卷帶和250個(gè)/卷帶。

7. 文檔和支持

• ?文檔更新通知?：用戶可通過TI官網(wǎng)注冊(cè)接收產(chǎn)品文檔的更新通知。
• ?商標(biāo)聲明?：FemtoFET?是德州儀器（Texas Instruments）的商標(biāo)。