chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

AMD發(fā)布第二代銳龍 Ryzen 2000 系列

454398 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2018-03-31 10:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近來崛起的農(nóng)廠 AMD 將在 4 月 19 日發(fā)布第二代銳龍 Ryzen 2000 系列,同時(shí)還有配套的 X470、B450 主板,使用新的工藝和架構(gòu)。另一個(gè)重要的變化就是 Ryzen 二代支持速度更快的內(nèi)存,額定頻率從 DDR4-2400 提高到 DDR4-2993,部分內(nèi)存條可以跑到 DDR4-3600,甚至能超頻到 DDR4-4000。

而芝奇如同之前一樣,為 Ryzen 二代準(zhǔn)備了新的專屬內(nèi)存,屬于Sniper X 系列,特別針對為 Ryzen 進(jìn)行優(yōu)化,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的內(nèi)存頻率。新內(nèi)存的編號為 F4-3400C16D-16GSXW,單條容量達(dá)到 8GB,提供雙條雙通道的 16GB 套裝,默認(rèn)的額定頻率為 3400MHz,電壓則是 1.35V,時(shí)序?yàn)?16-16-16-36。參考此前 Sniper X 系列內(nèi)存的最高頻率可達(dá) 3600MHz,如果能夠搭配合適的散熱,加上良好的體質(zhì),相信這新的專屬內(nèi)存搭配 Ryzen 二代跑到 3600MHz 應(yīng)該壓力不大,甚至可以超過此前的記錄,再創(chuàng)新高。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    20211

    瀏覽量

    249858
  • amd
    amd
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    5669

    瀏覽量

    139429
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    3185

    瀏覽量

    76242
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造,通過提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:03 ?128次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品,新增75m?型號

    新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件

    新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢,同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
    的頭像 發(fā)表于 12-31 09:05 ?467次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V<b class='flag-5'>第二代</b>器件

    TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案

    TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自動(dòng)化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層(PHY)合規(guī)性測試。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:04 ?1405次閱讀

    AMD Power Design Manager 2025.2版本現(xiàn)已發(fā)布

    AMD Power Design Manager 2025.2 版本現(xiàn)已發(fā)布,并正式支持第二代 AMD Versal AI Edge 系列
    的頭像 發(fā)表于 12-24 11:08 ?526次閱讀

    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?1283次閱讀
    新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和<b class='flag-5'>第二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C<b class='flag-5'>系列</b>

    AMD Power Design Manager 2025.1現(xiàn)已推出

    AMD Power Design Manager 2025.1 版(PDM)現(xiàn)已推出——增加了對第二代 AMD Versal AI Edge 和 第二代 Versal Prime
    的頭像 發(fā)表于 07-09 14:33 ?1018次閱讀

    埃斯頓酷卓發(fā)布第二代人形機(jī)器人CODROID 02

    近日,埃斯頓酷卓科技正式發(fā)布第二代人形機(jī)器人CODROID 02。CODROID 02實(shí)現(xiàn)全身關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)能力升級,顯著提升復(fù)雜場景適應(yīng)性與靈活性,標(biāo)志著國產(chǎn)人形機(jī)器人技術(shù)邁入新階段。
    的頭像 發(fā)表于 06-16 16:06 ?1618次閱讀

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1700次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1205次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CX
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?1112次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b><b class='flag-5'>AMD</b> Versal Premium<b class='flag-5'>系列</b>SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

    2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:06 ?1429次閱讀

    Framework召開第二代產(chǎn)品發(fā)布會(huì),新品搶先看!

    2025年2月25日,F(xiàn)ramework在美國舊金山召開了盛大的第二代產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。Framework發(fā)布了有史以來最大規(guī)模的一系列新品,包括Framework臺式機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 17:55 ?1387次閱讀
    Framework召開<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品<b class='flag-5'>發(fā)布</b>會(huì),新品搶先看!

    比亞迪二代刀片電池或3月17日發(fā)布

    據(jù)媒體報(bào)道,比亞迪公司將在3月17日召開一場發(fā)布會(huì),預(yù)計(jì)此次的重磅發(fā)布會(huì)的主題,或?qū)?huì)是外界期待已久的二代刀片電池,比亞迪二代刀片電池或?qū)硪?b class='flag-5'>系列
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:16 ?2947次閱讀

    紫光展聯(lián)合美格智能推出第二代5G Sub6G R16模組SRM812

    在2025年世界移動(dòng)通信大會(huì)(MWC 2025)期間,紫光展攜手美格智能正式推出了基于紫光展V620平臺的第二代5G Sub6G R16模組SRM812,以超高性價(jià)比方案,全面賦能合作伙伴,加速5G規(guī)?;瘧?yīng)用在各垂直領(lǐng)域的全
    的頭像 發(fā)表于 03-05 17:14 ?1940次閱讀

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?1005次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離