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聯(lián)芯28納米HKMG試產(chǎn)良率達(dá)98% 國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的28納米晶圓工藝

h1654155971.7596 ? 來源:未知 ? 作者:steve ? 2018-03-31 15:28 ? 次閱讀
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位于廈門火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司日前傳來喜訊,已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品,試產(chǎn)良率高達(dá) 98%。這是該公司28納米Poly/SiON制程技術(shù)成功量產(chǎn)以來,再次取得了技術(shù)發(fā)展上的新里程碑。

聯(lián)芯集成電路制造項(xiàng)目總投資62億美元,是海峽兩岸合資建設(shè)的第一座12英寸晶圓廠,也是福建省目前投資金額最大的單體項(xiàng)目。聯(lián)芯于2016年11月正式營(yíng)運(yùn)投產(chǎn),目前公司正全力提速至滿載產(chǎn)能。

據(jù)介紹,聯(lián)芯28納米High-K/Metal Gate 工藝制程采用了目前全球最先進(jìn)的Gate Last制程技術(shù),能大幅減少柵極的漏電量,提升晶體管的性能,可以應(yīng)用于更多樣化的各類電子產(chǎn)品。 對(duì)此技術(shù)突破,聯(lián)芯首席執(zhí)行官暨副董事長(zhǎng)許志清表示非常開心,并期望未來進(jìn)一步強(qiáng)化與客戶合作,積極推動(dòng)產(chǎn)品量產(chǎn)。同時(shí)他也為聯(lián)芯團(tuán)隊(duì)在短短時(shí)間內(nèi)所取得的成績(jī)而感到驕傲和自豪。

聯(lián)芯能同時(shí)提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工藝技術(shù),成為國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的28納米晶圓專工企業(yè),標(biāo)志著廈門集成電路制造水平又邁上了一個(gè)新臺(tái)階,對(duì)奠定廈門集成電路產(chǎn)業(yè)在全國(guó)的戰(zhàn)略地位具有重要意義。

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原文標(biāo)題:廈門聯(lián)芯工藝取得重大突破 28納米HKMG試產(chǎn)良率達(dá)98%

文章出處:【微信號(hào):Anxin-360ic,微信公眾號(hào):芯師爺】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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