圖 1(a)裝置結(jié)構(gòu)示意圖，利用微波腔(紫色)內(nèi)的高能微波(綠色)激發(fā)介電納米柱陣列(灰色)，產(chǎn)生(b)中展示的周期性橫向近場分布;(c)中展示了介電納米柱陣列形成的波蕩通道內(nèi)的電場線分布，促使電子作與陣列周期相同的橫向波蕩，從而發(fā)生(d)所示的輻射過程。

近期，中國科學院上海光學精密機械研究所超強激光科學與技術(shù)全國重點實驗室研究團隊，在基于片上微型波蕩器X射線輻射源研究方面取得進展。相關(guān)研究成果以“On-chip high energy photon radiation source based on near-field-dielectric undulator”為題發(fā)表在Advanced Photonics Nexus上。

在激光系統(tǒng)小型化技術(shù)快速發(fā)展的推動下，傳統(tǒng)大型科學裝置正逐步實現(xiàn)實驗室乃至桌面化部署。為突破實驗室環(huán)境下高單色性、高指向性高能光子流的產(chǎn)生瓶頸，片上集成自由電子光源概念應運而生。在此研究背景下，通過微納加工技術(shù)將傳統(tǒng)波蕩器(undulator)結(jié)構(gòu)微型化已成為重要技術(shù)路徑——借助極短周期波蕩結(jié)構(gòu)(通常達亞微米量級)，可使相對論電子束輻射頻率擴展至X射線乃至γ射線波段。此類緊湊型光源憑借其窄帶頻譜特性和優(yōu)異的光束準直性，為同步輻射光源的桌面化應用提供了革新性解決方案。

在本項研究中，研究人員提出了一種基于電磁誘導周期性近場調(diào)控的創(chuàng)新方案，通過精密設計的介電納米柱陣列在高能電磁場環(huán)境下激發(fā)空間調(diào)制的近場分布，構(gòu)建等效周期為50納米的電磁波蕩器。當兆電子伏特量級的高能電子束與這種人工微結(jié)構(gòu)近場發(fā)生相互作用時，可實現(xiàn)電子束的軌跡調(diào)制與同步輻射產(chǎn)生。數(shù)值模擬表明，該結(jié)構(gòu)可利用臺式化加速器在微米作用長度內(nèi)產(chǎn)生光子能量達千電子伏特量級的準直X射線，若使用更高能量的電子束則可將光子能量擴展到γ射線量級，或簡單地直接使用射頻電子槍即可在實驗室工作臺面上產(chǎn)生極紫外輻射。該創(chuàng)新方案不僅大幅降低了高亮度X/γ射線源的建造與運行成本，更在超高分辨生物醫(yī)學成像、納米尺度材料表征、量子調(diào)控等前沿領域展現(xiàn)出獨特應用價值，為極端物理研究和新一代光子技術(shù)發(fā)展提供了全新的研究平臺。

相關(guān)工作得到國家自然科學基金項目、中國科學院基礎研究青年團隊、基礎研究特區(qū)計劃等基金支持。

審核編輯 黃宇