TPS25200-Q1 器件是一款具有精密電流限制和過壓的 5V 電子保險(xiǎn)絲 鉗。該器件在過壓和過流期間為負(fù)載和電源提供強(qiáng)大的保護(hù) 事件。

TPS25200-Q1 器件是一款智能保護(hù)負(fù)載開關(guān)，具有 V在值可承受 20 V。如果電壓不正確 施加在 IN 引腳上，輸出箝位至 5.4 V 以保護(hù)負(fù)載。如果 IN 引腳上的電壓 超過 7.6 V，設(shè)備會(huì)斷開負(fù)載以防止損壞設(shè)備、負(fù)載或 雙。
*附件：tps25200-q1.pdf

TPS25200-Q1 器件具有一個(gè)內(nèi)部 67mΩ 電源開關(guān)，旨在保護(hù) 各種異常情況下的源、設(shè)備和負(fù)載。該設(shè)備提供高達(dá) 2.4 A 的連續(xù)負(fù)載電流。電流限制可在 85 mA 至 2.7 A 范圍內(nèi)編程，只需一個(gè) 電阻器接地。在過載事件期間，輸出電流被限制在 R伊利姆電阻器。如果發(fā)生持續(xù)過載，設(shè)備最終 進(jìn)入 Thermal Shutoff 以防止損壞 TPS25200-Q1 器件。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 設(shè)備 HBM 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM 分類等級(jí) C5
• 2.5V 至 6.5V 工作電壓
• 20V 連續(xù) V 在 （絕對(duì)最大值）
• 7.6V 輸入過壓關(guān)斷
• 5.25V 至 5.55V 固定過電壓箝位
• 0.6μs 過壓鎖定響應(yīng)
• 3.5μs 短路響應(yīng)
• 67mΩ 高側(cè) MOSFET
• 精確的 2.5A 最小值、2.9A 最大值和
  2.1A 最小值、2.5A 最大值的設(shè)置（包括
  電阻器）
• 2.7 A 時(shí)限流精度為 ±6.3%
• 禁用時(shí)反向電流阻塞
• 內(nèi)置軟啟動(dòng)
• 與 TPS2553 引腳對(duì)引腳兼容

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

?TPS25200-Q1? 是一款適用于汽車應(yīng)用的5V電子保險(xiǎn)絲（eFuse），具有精確的電流限制和過壓鉗位功能。它能夠在過壓和過流事件期間為負(fù)載和電源提供強(qiáng)大的保護(hù)。

2. 主要特性

• ?操作電壓范圍?：2.5V至6.5V
• ?連續(xù)VIN?：高達(dá)20V
• ?過壓保護(hù)?：輸入電壓超過7.6V時(shí)關(guān)閉負(fù)載
• ?過壓鉗位?：輸出電壓鉗位至5.4V
• ?電流限制?：可編程范圍從85mA至2.7A
• ?熱保護(hù)?：包括過溫保護(hù)和熱循環(huán)保護(hù)
• ?反向電流阻斷?：禁用時(shí)阻止反向電流
• ?故障報(bào)告?：具有去抖動(dòng)故障輸出

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?汽車USB端口保護(hù)?
• ?USB電源開關(guān)?
• ?USB從設(shè)備?

4. 功能模塊

4.1 使能控制（Enable）

• 通過EN引腳控制電源開關(guān)，兼容TTL和CMOS邏輯電平。

4.2 熱感應(yīng)（Thermal Sense）

• 具有兩個(gè)獨(dú)立的熱感應(yīng)電路，用于自我保護(hù)。
• OTSD1：在結(jié)溫超過135°C時(shí)關(guān)閉電源開關(guān)。
• OTSD2：在結(jié)溫超過155°C時(shí)關(guān)閉電源開關(guān)。

4.3 過流保護(hù)（Overcurrent Protection）

• 在過流條件下，設(shè)備進(jìn)入恒流模式，限制輸出電流。
• 響應(yīng)時(shí)間短至3.5μs。

4.4 故障響應(yīng)（FAULT Response）

• FAULT引腳在過流、過溫或過壓條件下輸出低電平信號(hào)。
• 具有內(nèi)部去抖動(dòng)電路，避免誤報(bào)。

4.5 輸出放電（Output Discharge）

• 在UVLO或OVLO條件下，通過480Ω（典型值）輸出放電電阻消散存儲(chǔ)的電荷和泄漏電流。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：WSON（6引腳）
• ?尺寸?：2.00mm × 2.00mm

6. 典型應(yīng)用電路

• 作為過壓和過流保護(hù)器，連接在USB端口和負(fù)載之間，防止輸入瞬態(tài)電壓損壞負(fù)載設(shè)備。

7. 設(shè)計(jì)指南

• ?輸入和輸出電容?：推薦在IN和GND引腳之間連接0.1μF或更大的陶瓷旁路電容，以進(jìn)行局部噪聲解耦。
• ? 電流限制電阻（R_ILIM） ?：通過選擇合適的R_ILIM值來設(shè)置電流限制閾值，推薦范圍為36kΩ至1100kΩ。
• ?熱設(shè)計(jì)?：考慮熱阻RθJA和環(huán)境溫度TA，以計(jì)算結(jié)溫。

8. 注意事項(xiàng)

• 在存儲(chǔ)或處理過程中，應(yīng)將引腳短路或放置在導(dǎo)電泡沫中，以防止靜電損壞MOS柵極。
• 設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮所有系統(tǒng)級(jí)因素，如氣流、板布局、銅厚和表面積等，以確保良好的熱設(shè)計(jì)。

9. 文檔與支持

• 提供了相關(guān)的技術(shù)文檔、應(yīng)用指南和布局示例，以幫助用戶正確設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)TPS25200-Q1。