TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP（額定電壓 200V）、TPS7H6013-SP（額定電壓 60V）和 TPS7H6023-SP（額定電壓 22V）。驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高壓側(cè)和低壓側(cè) LDO，無(wú)論電源電壓如何，都能確保 5V 的驅(qū)動(dòng)電壓。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨(dú)立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
*附件：tps7h6013-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個(gè)輸入產(chǎn)生兩個(gè)互補(bǔ)輸出信號(hào)，用戶可以調(diào)整每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還在獨(dú)立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)打開時(shí)，輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出打開。用戶可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，這允許驅(qū)動(dòng)器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強(qiáng)度 （RHA） 高達(dá) 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子閂鎖 （SEL）、單粒子燃盡 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
  • 兩個(gè)獨(dú)立的輸入
• 獨(dú)立輸入模式下的可選輸入互鎖保護(hù)
• 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時(shí)間的分離輸出
• 獨(dú)立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPSH-SP
• ?類型?：輻射硬化保證(RHA)的GaN FET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
• ?應(yīng)用?：空間衛(wèi)星電源供應(yīng)、通信有效載荷、命令與數(shù)據(jù)處理、光學(xué)成像有效載荷等

二、主要特性

• ?輻射性能?：
  • 總電離劑量(TID)保證高達(dá)krad(Si)
  • 對(duì)單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)、單粒子?xùn)艠O擊穿(SEGR)免疫
  • 單事件瞬態(tài)(SET)和單事件功能中斷(SEFI)特性高達(dá)LET = MeV-cm2/mg
• ?驅(qū)動(dòng)能力?：
  • 峰值源電流.A
  • 峰值沉電流.A
• ?操作模式?：
  • 單PWM輸入，可調(diào)死區(qū)時(shí)間
  • 兩個(gè)獨(dú)立輸入
• ?保護(hù)特性?：
  • 可選輸入互鎖保護(hù)
  • 分裂輸出，可調(diào)開通和關(guān)斷時(shí)間
  • ns典型傳播延遲
  • .ns典型延遲匹配

三、電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：V至V
• ?內(nèi)部線性穩(wěn)壓器?：
  • BPL和BPL提供V和V輸出
  • BPH提供V輸出用于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)
• ? 欠壓鎖定(UVLO) ?：多個(gè)內(nèi)部和外部電源具有UVLO保護(hù)
• ? 功率好(PGOOD) ?：指示低側(cè)內(nèi)部線性穩(wěn)壓器或VIN是否進(jìn)入欠壓鎖定

四、功能描述

• ?自舉操作?：支持多種自舉電容充電方式，包括通過(guò)內(nèi)部自舉開關(guān)和外部直接VIN充電
• ?死區(qū)時(shí)間?：在PWM模式下，通過(guò)外部電阻設(shè)置高側(cè)和低側(cè)輸出之間的死區(qū)時(shí)間
• ?輸入互鎖保護(hù)?：在獨(dú)立輸入模式下，防止高側(cè)和低側(cè)同時(shí)開通，防止直通

五、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：同步降壓轉(zhuǎn)換器、全橋拓?fù)涞?/li>
• ?設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?：
  • 自舉電容和旁路電容的選取和放置
  • 柵極電阻的選取，以調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷速度并抑制振鈴
  • 死區(qū)時(shí)間的設(shè)置，以防止交叉導(dǎo)通

六、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：引腳陶瓷扁平封裝(CFP)
• ?尺寸?：.mm x .mm（體尺寸），不包括引腳

七、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：包括評(píng)估模塊用戶指南、單事件效應(yīng)輻射報(bào)告、總電離劑量輻射報(bào)告等
• ?支持資源?：TI EE支持論壇、商標(biāo)信息、靜電放電(ESD)警告等

該文檔詳細(xì)描述了TPSH-SP輻射硬化保證的GaN FET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、功能描述、應(yīng)用信息、封裝尺寸以及相關(guān)的文檔和支持資源。該驅(qū)動(dòng)器適用于需要高輻射性能保證的空間應(yīng)用。