TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6005（200V 額定值）、TPS7H6015（60V 額定值）和 TPS7H6025（22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，提供 QMLP 和航天增強型塑料 （SEP） 等級。驅(qū)動器具有可調(diào)死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，它們都能確保 5V 的驅(qū)動電壓。TPS7H60x5 驅(qū)動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。
*附件：tps7h6005-sep.pdf

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個輸入產(chǎn)生兩個互補輸出信號，用戶可以調(diào)整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時，輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅(qū)動器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強度 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子瞬態(tài) （SET）、單粒子倦怠 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時間的分離輸出
• 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配
• 根據(jù) ASTM E595 進行塑料包裝脫氣測試
• 適用于軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPSH-SEP
• ?類型?：輻射硬度保證（RHA）半橋GaN FET柵極驅(qū)動器
• ?應(yīng)用?：空間衛(wèi)星電源、電機驅(qū)動、反應(yīng)輪、通信有效載荷、光學(xué)成像有效載荷、衛(wèi)星電氣電力系統(tǒng)

二、主要特性

• ?輻射性能?：
  • 輻射硬度保證（RHA）至總劑量（TID）krad(Si)
  • 單事件瞬態(tài)（SET）、單事件燒毀（SEB）、單事件柵極擊穿（SEGR）免疫至線性能量轉(zhuǎn)移（LET）=MeV-cm2/mg
  • SET和單事件功能中斷（SEFI）特征至LET=MeV-cm2/mg
• ?驅(qū)動能力?：
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
• ?工作模式?：
  • 單PWM輸入，可調(diào)死區(qū)時間
  • 兩個獨立輸入
• ?其他特性?：
  • 可選輸入互鎖保護（獨立輸入模式）
  • 分裂輸出，用于調(diào)整開通和關(guān)斷時間
  • 典型傳播延遲：ns（獨立輸入模式）
  • 延遲匹配：.ns（高側(cè)和低側(cè)）
  • 塑料封裝經(jīng)過ASTM E排氣測試
  • 工作溫度范圍：-°C至°C

三、電氣特性

• ?絕對最大額定值?：
  • VIN至AGND：-.V至V
  • BOOT至SW：SW+V
  • 其他引腳電壓限制詳見文檔
• ?推薦工作條件?：
  • VIN：V至V
  • 工作結(jié)溫：-°C至°C
• ?電氣參數(shù)?：
  • 低側(cè)和高側(cè)靜態(tài)電流：典型值為數(shù)毫安
  • 輸出高低電平電壓：符合GaN FET驅(qū)動要求
  • 峰值源/沉電流：.A/.A（典型）
  • UVLO（欠壓鎖定）閾值：多個電壓監(jiān)控點，具有遲滯

四、保護功能

• ?DESAT保護?：快速過流和短路保護，防止功率器件損壞
• ?熱關(guān)斷?：內(nèi)部熱傳感器，過溫時自動關(guān)斷
• ?UVLO?：多個電源監(jiān)控點，確保穩(wěn)定工作

五、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：引腳HTSSOP塑料封裝
• ?尺寸?：.mm × .mm（體尺寸，不含引腳），質(zhì)量：mg（標稱）

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：同步降壓轉(zhuǎn)換器、全橋拓撲、推挽、有源鉗位正向、雙低端開關(guān)轉(zhuǎn)換器
• ?設(shè)計考慮?：包括電源去耦、布局指導(dǎo)、柵極電阻選擇等

七、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了評估模塊用戶指南、輻射效應(yīng)報告等鏈接
• ?支持資源?：TI EE支持論壇、貿(mào)易標記、靜電放電警告等

八、布局指導(dǎo)

• ?關(guān)鍵布局原則?：
  • GaN FET盡可能靠近柵極驅(qū)動器
  • 最小化高電流環(huán)路面積
  • 電源和信號跡線分離
  • 使用低ESR陶瓷電容進行去耦