GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！

快充電源ic U8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測(cè)，過(guò)溫降功率和過(guò)溫保護(hù)功能

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

快充電源icU8731集成外置NTC功能，NTC引腳外接NTC電阻，通過(guò)內(nèi)部上拉電流源上拉，檢測(cè)TEM引腳電壓，當(dāng)判定TEM管腳電壓Vntc

快充電源icU8731通過(guò)輔助繞組檢測(cè)輸出電壓的范圍設(shè)定系統(tǒng)工作于不同的工作狀態(tài)下，包括恒壓模式(CV)、恒功率模式(CP)和恒流模式(CC)。同時(shí)通過(guò)外置NTC檢測(cè)，設(shè)置不同的恒功率參數(shù)，實(shí)現(xiàn)降功率功能。具體為，當(dāng)芯片未觸發(fā)降功率功能時(shí)，在2.8V

在Vdem<2.8V或者3.1V

當(dāng)芯片外置NTC檢測(cè)到達(dá)到降功率閾值后，芯片內(nèi)部的恒功率和恒流參數(shù)切換到VCP_Ref2和VCC_Ref2，從而實(shí)現(xiàn)降功率的功能。快充電源icU8731集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能，具有更好的高頻性能和高效率，推薦一試！