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銘芯微電子-國(guó)產(chǎn)RS485通信接口IC芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

無(wú)錫銘芯微電子 ? 2025-05-16 13:33 ? 次閱讀
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1. IEC靜電保護(hù)16kV

無(wú)錫銘芯微電子有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“銘芯微”)推出具有系統(tǒng)級(jí)IEC61000-4-2ESD(靜電)保護(hù)功能的新型RS-485器件。在這些器件中成IEC61000-4-2保護(hù),使RS-485接口在系統(tǒng)運(yùn)行期間能夠抵御靜電沖擊的損害,例如在系統(tǒng)啟動(dòng)后連接至RS-485電纜的情況。這些器件的另一顯著優(yōu)勢(shì)是去除了外接IECESD保護(hù)器件,從而可顯著節(jié)省板級(jí)制造商的組裝成本及板級(jí)空間。銘芯具有IECESD保護(hù)功能的首批器件包括MX48xEMX308xEMX307xE。

諸如人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)以及帶電器件模型(CDM)等ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)可以解決器件處理過(guò)程中(尤其是電路板的制造過(guò)程中)的損害防護(hù)問(wèn)題。IEC 61000-4-2 ESD規(guī)范是行業(yè)最嚴(yán)格的ESD測(cè)試方 法之一,旨在解決終端設(shè)備使用過(guò)程中對(duì)ESD沖擊故障和/或損害的系統(tǒng)級(jí)防護(hù)。相比而言,此前提 及的其他幾項(xiàng)ESD測(cè)試是在器件斷電情況下以器件級(jí)執(zhí)行的。此外,與IEC ESD規(guī)范相關(guān)的應(yīng)力狀態(tài)(stress condition)大大高于器件級(jí)ESD測(cè)試。例如,IEC 61000-4-2 ESD沖擊的峰值電流比HBM ESD沖擊峰值電流高5倍。

銘芯微符合Level 4標(biāo)準(zhǔn)(±8kV接觸放電以及±15kV氣隙放電)的MX308xE與MX307xE以及MX48xE,與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,可為工業(yè)應(yīng)用提供高出100%的ESD保護(hù)效能(±16kV接觸放電),以確保這些器件在安裝使用調(diào)試過(guò)程中,不被靜電打壞,保證了極低的產(chǎn)品返修率,大大提高了客戶(hù)廠商在使用過(guò)程中的效率和后期產(chǎn)品的穩(wěn)定性,并因此降低了日后的返修維護(hù) 等成本。

單位(kV)

MX3085E

MAX13085

SP3082

SN65HVD3085

LSL83085E

ADM485

LTC1484

HM3085

BL3085A

UM3085

ESD HBM模型

16

15

15

15

15

15

15

15

15

15

IEC接觸放電

16

6

8

無(wú)

無(wú)

無(wú)

8

8

無(wú)

無(wú)

IEC空氣間隙

16

無(wú)

15

無(wú)

無(wú)

無(wú)

8

15

無(wú)

15

2. 超大輸出電壓擺幅VOD(54歐姆負(fù)載典型值在2.8V)

Mx308xE系列驅(qū)動(dòng)器的差動(dòng)訊號(hào)值(VOD=VA-VB)可高達(dá)至少2.1V,符合Profibus的應(yīng)用規(guī)格,較其他同類(lèi)品牌產(chǎn)品的差分驅(qū)動(dòng)器輸出VOD典型值要大得多。這使得MX308x系列產(chǎn)品在一定速度下的傳輸距離可以達(dá)到更遠(yuǎn),并且當(dāng)供電電壓出現(xiàn)問(wèn)題,電壓下降時(shí),VOD的驅(qū)動(dòng)能力依然能維持在2.1V的標(biāo)準(zhǔn)以上,使得銘芯微的產(chǎn)品在穩(wěn)定性和特殊情況的適應(yīng)性方面具有很大的性能優(yōu)勢(shì),保證了RS485長(zhǎng)期穩(wěn)定的正確通訊。

VOD(V)

MX3085E

MAX3085

SP3082

SN65LBC184

LSL83085E

ADM485

LTC1485

HM3085

BL3085A

UM3085

RL =100Ω

3.6

3.0

3.3

2.4

2.8

2.5

2.3

3.0

2.5

3.0

RL =54Ω

2.8

2.2

2.6

2.1

2.3

2.0

1.8

2.6

2.5

2.2

3.熱插拔功能

把電路板插入帶電或正在工作的背板時(shí)(熱插拔輸入),數(shù)據(jù)總線(xiàn)的差分干擾可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。電路板插入背板時(shí),數(shù)據(jù)通信處理器啟動(dòng)一次上電過(guò)程。在此過(guò)程中,處理器的邏輯輸出驅(qū)動(dòng)器為高阻態(tài),不能將這些器件的DE和RE輸入驅(qū)動(dòng)至規(guī)定的邏輯電平。處理器的邏輯驅(qū)動(dòng)器在高阻態(tài)時(shí)可能會(huì)有高達(dá)±10μA的漏電流,這會(huì)引起收發(fā)器的標(biāo)準(zhǔn)CMOS使能輸入漂移到不正確的邏輯電平。此外,電路板寄生電容還會(huì)將VCC或者GND耦合至使能輸入端。如果不具備熱插拔能力,以上因素會(huì)錯(cuò)誤地使能收發(fā)器的驅(qū)動(dòng)器或接收器。MX3080E/MX3082E/MX3083E/MX3085E/MX3086E/ MX3088E的熱插拔功能保證在VCC上升時(shí),內(nèi)部電路保持DE為低電平,RE為高電平。在完成初始上電過(guò)程后,下拉電路將不再起作用,并復(fù)位熱插拔輸入端。因此,熱插拔的好處在于,避免了在上電過(guò)程中的錯(cuò)誤使能,以及可能由此引起的數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤甚至芯片損壞。對(duì)于經(jīng)常需要上電下電的應(yīng)用領(lǐng)域,附加的熱插拔功能是必不可少的,這將極大程度的提高芯片在試用過(guò)程中的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。而且在日常維護(hù)過(guò)程中,具有熱插拔功能的485芯片可在無(wú)需系統(tǒng)斷電的情況下進(jìn)行更換等操作,更為方便易用。

MX3085E

MAX13085

SP3082

SN65HVD3085

LSL83085E

ADM485

LTC1484

HM3085

BL3085A

UM3085

熱插拔功能

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

4.低功耗關(guān)斷

驅(qū)動(dòng)器輸出保護(hù)通過(guò)兩種機(jī)制避免故障或總線(xiàn)沖突引起輸出電流過(guò)大和功耗過(guò)高。第一,輸出級(jí)折返式限流,在整個(gè)共模電壓范圍(-7~12V)內(nèi)提供快速短路保護(hù)。第二,熱關(guān)斷電路,當(dāng)管芯溫度超過(guò)+165°C(典型值)時(shí),強(qiáng)制驅(qū)動(dòng)器輸出進(jìn)入高阻狀態(tài)。使得芯片在通信過(guò)程中如遇意外情況能及時(shí)進(jìn)行關(guān)斷保護(hù),避免器件損壞,有效提高了產(chǎn)品的試用壽命并降低了返修率。為企業(yè)節(jié)省維護(hù)成本。

MX3085

MAX13085

SP3082

SN65HVD3085

LSL83085E

ADM485

LTC1484

HM3085

BL3085A

UM3085

熱關(guān)斷功能

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

5.輸入阻抗

驅(qū)動(dòng)器輸入阻抗典型值在190kΩ,較滿(mǎn)足256節(jié)點(diǎn)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)96kΩ大出許多,這在實(shí)際應(yīng)用中的好處在于,當(dāng)節(jié)點(diǎn)數(shù)大于128個(gè)時(shí),有一些輸入阻抗較小的芯片,在節(jié)點(diǎn)數(shù)達(dá)到一定數(shù)量時(shí),由于阻抗限制,會(huì)產(chǎn)生傳輸數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,而銘芯的系列產(chǎn)品由于阻抗遠(yuǎn)大于基本阻抗,真正做到了滿(mǎn)足多節(jié)點(diǎn)數(shù)掛載的需求。

6.超高速傳輸

銘芯微的高速M(fèi)X3088系列產(chǎn)品,具有超高的傳輸速度,達(dá)到16Mbps以上,實(shí)際按產(chǎn)品型號(hào)可達(dá)30M/50M以上,在一些對(duì)傳輸速度有特別要求的領(lǐng)域,可實(shí)現(xiàn)其他同類(lèi)品牌產(chǎn)品無(wú)法達(dá)到的高速傳輸,可用于工廠自動(dòng)化、電信基礎(chǔ)設(shè)施、運(yùn)動(dòng)控制等領(lǐng)域。目前市場(chǎng)上只有TI推出的SN65HVD78產(chǎn)品能達(dá)到此傳輸速度。

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