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UCC23513 5.7kVrms,4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-24 14:43 ? 次閱讀
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適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kVRMS隔離等級(jí)。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來(lái)有效驅(qū)動(dòng) IGBT 和 SiC 功率 FET??梢则?qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)功率 FET,與基于光耦合器的柵極驅(qū)動(dòng)器相比,F(xiàn)ET 帶來(lái)了顯著的性能和可靠性升級(jí),同時(shí)在原理圖和布局設(shè)計(jì)中保持了引腳對(duì)引腳的兼容性。性能亮點(diǎn)包括高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)、低傳播延遲和小脈寬失真。嚴(yán)格的過(guò)程控制會(huì)導(dǎo)致較小的零件間偏差。輸入級(jí)是模擬二極管 (e-diode),與傳統(tǒng) LED 相比,這意味著長(zhǎng)期可靠性和出色的老化特性。IGH 性能和可靠性非常適合用于所有類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。更高的工作溫度為傳統(tǒng)光耦合器不支持的應(yīng)用提供了機(jī)會(huì)。
*附件:ucc23513.pdf

特性

  • 具有光兼容輸入的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 引腳對(duì)引腳、直接升級(jí),適用于光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 峰值輸出電流
  • 14V 至 33V 輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
    • 8V (B) 和 12VCC UVLO 選項(xiàng)
  • 軌到軌輸出
  • 105ns(最大值)傳播延遲
  • 25ns(最大值)器件間延遲匹配
  • 35ns(最大值)脈寬失真
  • 150kV/μs(最小值)共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)
  • 隔離柵壽命 >50 年
  • 輸入級(jí)具有 13V 反極性電壓處理能力
  • 具有 >8.5mm 爬電距離和間隙的加長(zhǎng) SO-6 封裝
  • 工作結(jié)溫,T J : –40°C 至 +150°C
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • 8000 伏PK符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 的增強(qiáng)隔離
    • 5.7kV 電壓RMS隔離 1 分鐘,符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認(rèn)證

參數(shù)

image.png

一、產(chǎn)品概述

UCC3是一款高性能的單通道隔離門驅(qū)動(dòng)器,專為IGBT、MOSFET和SiC MOSFET設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器具有.-kV RMS的隔離評(píng)級(jí),適用于工業(yè)電機(jī)控制、工業(yè)電源、UPS和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用。UCC3采用光耦兼容輸入,提供4.5-A源電流和5.3-A漏電流,并支持高達(dá)-V的輸出驅(qū)動(dòng)電壓。

二、主要特性

  • ?高隔離電壓?:.-kV RMS隔離電壓,符合UL 7和CQC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。
  • ?寬輸出電壓范圍?:支持4-V至-V的輸出驅(qū)動(dòng)電壓,適用于雙極電源配置。
  • ?高性能?:低傳播延遲(最大5 ns)、小脈沖寬度失真(最大5 ns)和高共模瞬態(tài)免疫(CMTI)能力(最小0 kV/μs)。
  • ?高可靠性?:采用模擬二極管(e-diode)輸入階段,提供長(zhǎng)期可靠性和優(yōu)異的老化特性。
  • ?光耦兼容?:提供與標(biāo)準(zhǔn)光耦隔離門驅(qū)動(dòng)器的引腳對(duì)引腳兼容性。
  • ?操作溫度范圍廣?:結(jié)溫范圍為-0°C至+°C。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器
  • 工業(yè)電源和UPS
  • 太陽(yáng)能逆變器
  • 感應(yīng)加熱

四、功能描述

  • ?輸入階段?:采用e-diode輸入,無(wú)需外部電源,提供穩(wěn)定的輸入電流和電壓特性。
  • ?輸出階段?:具有混合拉高結(jié)構(gòu),結(jié)合P溝道MOSFET和N溝道MOSFET,提供強(qiáng)大的源電流能力。拉低結(jié)構(gòu)由N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn),確??焖訇P(guān)斷。
  • ?保護(hù)功能?:包括欠壓鎖定(UVLO)、有源下拉和短路鉗位,保護(hù)功率半導(dǎo)體免受損壞。
  • ?增強(qiáng)型隔離?:采用SiO電容隔離技術(shù),提供增強(qiáng)的電氣隔離和優(yōu)異的CMTI性能。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC3在驅(qū)動(dòng)IGBT時(shí)的典型應(yīng)用電路,包括設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟。設(shè)計(jì)步驟包括選擇輸入電阻、門驅(qū)動(dòng)器輸出電阻、估計(jì)門驅(qū)動(dòng)器功率損耗和估算結(jié)溫等。

六、電源推薦

  • 推薦使用4-V至-V的輸出供電電壓(Vcc),并需要在Vcc和Vee引腳之間連接旁路電容以支持高峰值電流。

七、布局指南

  • ?組件放置?:旁路電容應(yīng)盡可能靠近Vcc和Vee引腳,以減少噪聲和支持高峰值電流。
  • ?接地考慮?:限制高峰值電流充電和放電的晶體管柵極到最小物理區(qū)域,以減小環(huán)路電感和最小化晶體管柵極上的噪聲。
  • ?高壓隔離?:確保隔離屏障下方?jīng)]有PCB走線或銅層,以防止污染并確保隔離性能。
  • ?熱考慮?:增加連接到Vcc和Vee引腳的PCB銅層,以提高熱傳導(dǎo)性。

八、文檔支持

文檔提供了詳細(xì)的規(guī)格表、電氣特性、開(kāi)關(guān)特性、典型特性曲線、參數(shù)測(cè)量信息、應(yīng)用指南、布局示例、PCB材料推薦、機(jī)械包裝和可訂購(gòu)信息。此外,還提供了設(shè)備支持資源鏈接、相關(guān)文檔、接收文檔更新通知的方法、社區(qū)資源、靜電放電注意事項(xiàng)和術(shù)語(yǔ)表等。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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